All categories
Featured selections
Trade Assurance
Buyer Central
Help Center
Get the app
Become a supplier

Capacitors

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T530X477M006ATE006 2917 ( ความจุ: 470uF )( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 6.3V ) - Product Image 1
ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T530X477M006ATE006 2917 ( ความจุ: 470uF )( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 6.3V ) - Product Image 2
ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T530X477M006ATE006 2917 ( ความจุ: 470uF )( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 6.3V ) - Product Image 3
ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T530X477M006ATE006 2917 ( ความจุ: 470uF )( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 6.3V ) - Product Image 4
ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T530X477M006ATE006 2917 ( ความจุ: 470uF )( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 6.3V ) - Product Image 5
ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T530X477M006ATE006 2917 ( ความจุ: 470uF )( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 6.3V ) - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม T530X477M006ATE006 2917 ( ความจุ: 470uF )( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 6.3V )

฿134.34-435.68
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
CCP INTERNATIONAL TRADE CO., LIMITED
2 yrsHK flagHK4.8/5.0(15)
CL21Y106KOBVPJ (Hello Chip ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น0805 2012 10uF 16Vdc ± 10% X7S 125 AEC-Q200) CL21Y106KOBVPJ - Product Image 1
CL21Y106KOBVPJ (Hello Chip ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น0805 2012 10uF 16Vdc ± 10% X7S 125 AEC-Q200) CL21Y106KOBVPJ - Product Image 2
CL21Y106KOBVPJ (Hello Chip ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น0805 2012 10uF 16Vdc ± 10% X7S 125 AEC-Q200) CL21Y106KOBVPJ - Product Image 3
CL21Y106KOBVPJ (Hello Chip ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น0805 2012 10uF 16Vdc ± 10% X7S 125 AEC-Q200) CL21Y106KOBVPJ - Product Image 4
CL21Y106KOBVPJ (Hello Chip ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น0805 2012 10uF 16Vdc ± 10% X7S 125 AEC-Q200) CL21Y106KOBVPJ - Product Image 5
CL21Y106KOBVPJ (Hello Chip ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น0805 2012 10uF 16Vdc ± 10% X7S 125 AEC-Q200) CL21Y106KOBVPJ - Product Image 6

CL21Y106KOBVPJ (Hello Chip ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น0805 2012 10uF 16Vdc ± 10% X7S 125 AEC-Q200) CL21Y106KOBVPJ

฿6.67-66.67
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.6/5.0(255)
ตัวเก็บประจุโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะแบบฟิล์ม MKP แรงดันสูง ความสูญเสียต่ำ รุ่น FKP2F011001D00 JA00 A162 - Product Image 1
ตัวเก็บประจุโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะแบบฟิล์ม MKP แรงดันสูง ความสูญเสียต่ำ รุ่น FKP2F011001D00 JA00 A162 - Product Image 2
ตัวเก็บประจุโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะแบบฟิล์ม MKP แรงดันสูง ความสูญเสียต่ำ รุ่น FKP2F011001D00 JA00 A162 - Product Image 3
ตัวเก็บประจุโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะแบบฟิล์ม MKP แรงดันสูง ความสูญเสียต่ำ รุ่น FKP2F011001D00 JA00 A162 - Product Image 4
ตัวเก็บประจุโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะแบบฟิล์ม MKP แรงดันสูง ความสูญเสียต่ำ รุ่น FKP2F011001D00 JA00 A162 - Product Image 5
ตัวเก็บประจุโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะแบบฟิล์ม MKP แรงดันสูง ความสูญเสียต่ำ รุ่น FKP2F011001D00 JA00 A162 - Product Image 6

ตัวเก็บประจุโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะแบบฟิล์ม MKP แรงดันสูง ความสูญเสียต่ำ รุ่น FKP2F011001D00 JA00 A162

฿1.67-30.01
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.6/5.0(255)
CL21K106KAY6NN (ชิป Hello ตัวเก็บประจุเซรามิก0805 2012 10uF 25Vdc ± 10% X7R 125 ) CL21K106KAY6NN - Product Image 1
CL21K106KAY6NN (ชิป Hello ตัวเก็บประจุเซรามิก0805 2012 10uF 25Vdc ± 10% X7R 125 ) CL21K106KAY6NN - Product Image 2
CL21K106KAY6NN (ชิป Hello ตัวเก็บประจุเซรามิก0805 2012 10uF 25Vdc ± 10% X7R 125 ) CL21K106KAY6NN - Product Image 3
CL21K106KAY6NN (ชิป Hello ตัวเก็บประจุเซรามิก0805 2012 10uF 25Vdc ± 10% X7R 125 ) CL21K106KAY6NN - Product Image 4
CL21K106KAY6NN (ชิป Hello ตัวเก็บประจุเซรามิก0805 2012 10uF 25Vdc ± 10% X7R 125 ) CL21K106KAY6NN - Product Image 5
CL21K106KAY6NN (ชิป Hello ตัวเก็บประจุเซรามิก0805 2012 10uF 25Vdc ± 10% X7R 125 ) CL21K106KAY6NN - Product Image 6

CL21K106KAY6NN (ชิป Hello ตัวเก็บประจุเซรามิก0805 2012 10uF 25Vdc ± 10% X7R 125 ) CL21K106KAY6NN

฿6.67-66.67
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.6/5.0(255)
CL21Z476MRY6PN (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์แบบ Hello chip ขนาด 0805 2012 ความจุ 47uF แรงดัน 4Vdc ±20% X7T 125 AEC-Q200) CL21Z476MRY6PN - Product Image 1
CL21Z476MRY6PN (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์แบบ Hello chip ขนาด 0805 2012 ความจุ 47uF แรงดัน 4Vdc ±20% X7T 125 AEC-Q200) CL21Z476MRY6PN - Product Image 2
CL21Z476MRY6PN (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์แบบ Hello chip ขนาด 0805 2012 ความจุ 47uF แรงดัน 4Vdc ±20% X7T 125 AEC-Q200) CL21Z476MRY6PN - Product Image 3
CL21Z476MRY6PN (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์แบบ Hello chip ขนาด 0805 2012 ความจุ 47uF แรงดัน 4Vdc ±20% X7T 125 AEC-Q200) CL21Z476MRY6PN - Product Image 4
CL21Z476MRY6PN (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์แบบ Hello chip ขนาด 0805 2012 ความจุ 47uF แรงดัน 4Vdc ±20% X7T 125 AEC-Q200) CL21Z476MRY6PN - Product Image 5
CL21Z476MRY6PN (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์แบบ Hello chip ขนาด 0805 2012 ความจุ 47uF แรงดัน 4Vdc ±20% X7T 125 AEC-Q200) CL21Z476MRY6PN - Product Image 6

CL21Z476MRY6PN (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์แบบ Hello chip ขนาด 0805 2012 ความจุ 47uF แรงดัน 4Vdc ±20% X7T 125 AEC-Q200) CL21Z476MRY6PN

฿6.67-66.67
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.6/5.0(255)
CL21A106MAYQNW (Hello Chip ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น0805 2012 10uF 25Vdc ± 20% X5R 85 ) CL21A106MAYQNW - Product Image 1
CL21A106MAYQNW (Hello Chip ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น0805 2012 10uF 25Vdc ± 20% X5R 85 ) CL21A106MAYQNW - Product Image 2
CL21A106MAYQNW (Hello Chip ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น0805 2012 10uF 25Vdc ± 20% X5R 85 ) CL21A106MAYQNW - Product Image 3
CL21A106MAYQNW (Hello Chip ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น0805 2012 10uF 25Vdc ± 20% X5R 85 ) CL21A106MAYQNW - Product Image 4
CL21A106MAYQNW (Hello Chip ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น0805 2012 10uF 25Vdc ± 20% X5R 85 ) CL21A106MAYQNW - Product Image 5
CL21A106MAYQNW (Hello Chip ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น0805 2012 10uF 25Vdc ± 20% X5R 85 ) CL21A106MAYQNW - Product Image 6

CL21A106MAYQNW (Hello Chip ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น0805 2012 10uF 25Vdc ± 20% X5R 85 ) CL21A106MAYQNW

฿6.67-66.67
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.6/5.0(255)
CL31B156KQKZNN (Hello Chip SMD ตัวเก็บประจุเซรามิก1206 3216 15UF ± 6.3Vdc 10% X7R 125 ) CL31B156KQKZNN - Product Image 1
CL31B156KQKZNN (Hello Chip SMD ตัวเก็บประจุเซรามิก1206 3216 15UF ± 6.3Vdc 10% X7R 125 ) CL31B156KQKZNN - Product Image 2
CL31B156KQKZNN (Hello Chip SMD ตัวเก็บประจุเซรามิก1206 3216 15UF ± 6.3Vdc 10% X7R 125 ) CL31B156KQKZNN - Product Image 3
CL31B156KQKZNN (Hello Chip SMD ตัวเก็บประจุเซรามิก1206 3216 15UF ± 6.3Vdc 10% X7R 125 ) CL31B156KQKZNN - Product Image 4
CL31B156KQKZNN (Hello Chip SMD ตัวเก็บประจุเซรามิก1206 3216 15UF ± 6.3Vdc 10% X7R 125 ) CL31B156KQKZNN - Product Image 5
CL31B156KQKZNN (Hello Chip SMD ตัวเก็บประจุเซรามิก1206 3216 15UF ± 6.3Vdc 10% X7R 125 ) CL31B156KQKZNN - Product Image 6

CL31B156KQKZNN (Hello Chip SMD ตัวเก็บประจุเซรามิก1206 3216 15UF ± 6.3Vdc 10% X7R 125 ) CL31B156KQKZNN

฿6.67-66.67
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.6/5.0(255)
Taiyo Yuden ตัวเก็บประจุชิปเซรามิกหลายชั้นทนทานต่อ20% 1206/3216 16V MSASE31LBB5476MTNA01 / EMK316BBJ476ML-T สำหรับ - Product Image 1
Taiyo Yuden ตัวเก็บประจุชิปเซรามิกหลายชั้นทนทานต่อ20% 1206/3216 16V MSASE31LBB5476MTNA01 / EMK316BBJ476ML-T สำหรับ - Product Image 2
Taiyo Yuden ตัวเก็บประจุชิปเซรามิกหลายชั้นทนทานต่อ20% 1206/3216 16V MSASE31LBB5476MTNA01 / EMK316BBJ476ML-T สำหรับ - Product Image 3
Taiyo Yuden ตัวเก็บประจุชิปเซรามิกหลายชั้นทนทานต่อ20% 1206/3216 16V MSASE31LBB5476MTNA01 / EMK316BBJ476ML-T สำหรับ - Product Image 4
Taiyo Yuden ตัวเก็บประจุชิปเซรามิกหลายชั้นทนทานต่อ20% 1206/3216 16V MSASE31LBB5476MTNA01 / EMK316BBJ476ML-T สำหรับ - Product Image 5

Taiyo Yuden ตัวเก็บประจุชิปเซรามิกหลายชั้นทนทานต่อ20% 1206/3216 16V MSASE31LBB5476MTNA01 / EMK316BBJ476ML-T สำหรับ

฿4,826.71-5,080.05
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 10 ม้วน
CHARMING TECHNOLOGY CO., LTD.
2 yrsTW flagTW5.0/5.0(1)

การค้นหาที่เกี่ยวข้อง:

cbb60 50ufcbb61 15ufcbb61capacitor cbb61 3uf 250vac 50 60hzปลา คา ร์ ฟ จักร พร ร ดิ์cbb60cbb60 12uf 450vacปลา คา ร์ ฟ ราคา เท่า ไหร่cbb60 450vac 50 60hz 40 85 21คา ปา ปั๊ม น้ำkondensator cbb60epcosคา ร์ บั้ มcbb61 1ufcbb60 15uf 450vaccbb60 45ufอี แว ป ปอ เร เตอร์cbb60 450vac 50 60hz 40 70 21ปลา คา ร์ ฟ แพ ล ต ติ นั่ มcapacitor cbb 60