All categories

Featured selections

Trade Assurance

Buyer Central

Help Center

Get the app

Become a supplier

Capacitors

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

ตัวเก็บประจุฟิล์มแบบต้านทาน EMI ยี่ห้อ STC รุ่น C42106*310T70+++++P0 ซีรีส์ X2 ความจุ 10uF แรงดัน 310V ระยะพิทช์ 37.5 มม. ประสิทธิภาพสูง มาตรฐาน UL94 V-0 - Product Image 1

ตัวเก็บประจุฟิล์มแบบต้านทาน EMI ยี่ห้อ STC รุ่น C42106*310T70+++++P0 ซีรีส์ X2 ความจุ 10uF แรงดัน 310V ระยะพิทช์ 37.5 มม. ประสิทธิภาพสูง มาตรฐาน UL94 V-0 - Product Image 2

ตัวเก็บประจุฟิล์มแบบต้านทาน EMI ยี่ห้อ STC รุ่น C42106*310T70+++++P0 ซีรีส์ X2 ความจุ 10uF แรงดัน 310V ระยะพิทช์ 37.5 มม. ประสิทธิภาพสูง มาตรฐาน UL94 V-0 - Product Image 3

ตัวเก็บประจุฟิล์มแบบต้านทาน EMI ยี่ห้อ STC รุ่น C42106*310T70+++++P0 ซีรีส์ X2 ความจุ 10uF แรงดัน 310V ระยะพิทช์ 37.5 มม. ประสิทธิภาพสูง มาตรฐาน UL94 V-0 - Product Image 4

ตัวเก็บประจุฟิล์มแบบต้านทาน EMI ยี่ห้อ STC รุ่น C42106*310T70+++++P0 ซีรีส์ X2 ความจุ 10uF แรงดัน 310V ระยะพิทช์ 37.5 มม. ประสิทธิภาพสูง มาตรฐาน UL94 V-0 - Product Image 5

ตัวเก็บประจุฟิล์มแบบต้านทาน EMI ยี่ห้อ STC รุ่น C42106*310T70+++++P0 ซีรีส์ X2 ความจุ 10uF แรงดัน 310V ระยะพิทช์ 37.5 มม. ประสิทธิภาพสูง มาตรฐาน UL94 V-0 - Product Image 6

ตัวเก็บประจุฟิล์มแบบต้านทาน EMI ยี่ห้อ STC รุ่น C42106*310T70+++++P0 ซีรีส์ X2 ความจุ 10uF แรงดัน 310V ระยะพิทช์ 37.5 มม. ประสิทธิภาพสูง มาตรฐาน UL94 V-0

฿174.03

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1,000 ชิ้น

CHARMING TECHNOLOGY CO., LTD.

2 yrs

ตัวเก็บประจุ UPJ1C331MPD6 th แบบเรเดียล330 uF 20% 330 UF UF - Product Image 1

ตัวเก็บประจุ UPJ1C331MPD6 th แบบเรเดียล330 uF 20% 330 UF UF - Product Image 2

ตัวเก็บประจุ UPJ1C331MPD6 th แบบเรเดียล330 uF 20% 330 UF UF - Product Image 3

ตัวเก็บประจุ UPJ1C331MPD6 th แบบเรเดียล330 uF 20% 330 UF UF - Product Image 4

ตัวเก็บประจุ UPJ1C331MPD6 th แบบเรเดียล330 uF 20% 330 UF UF - Product Image 5

ตัวเก็บประจุ UPJ1C331MPD6 th แบบเรเดียล330 uF 20% 330 UF UF - Product Image 6

ตัวเก็บประจุ UPJ1C331MPD6 th แบบเรเดียล330 uF 20% 330 UF UF

฿7.37-14.40

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

UNITE CHANCE CO., LIMITED

1 yrs

HK

GRM21BB30J106ME18(CHY ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นอิเล็กทรอนิกส์) 0805 10 F 6.3Vdc ± 20% B 85 10uF GRM21BB30J106ME18 - Product Image 1

GRM21BB30J106ME18(CHY ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นอิเล็กทรอนิกส์) 0805 10 F 6.3Vdc ± 20% B 85 10uF GRM21BB30J106ME18 - Product Image 2

GRM21BB30J106ME18(CHY ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นอิเล็กทรอนิกส์) 0805 10 F 6.3Vdc ± 20% B 85 10uF GRM21BB30J106ME18 - Product Image 3

GRM21BB30J106ME18(CHY ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นอิเล็กทรอนิกส์) 0805 10 F 6.3Vdc ± 20% B 85 10uF GRM21BB30J106ME18 - Product Image 4

GRM21BB30J106ME18(CHY ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นอิเล็กทรอนิกส์) 0805 10 F 6.3Vdc ± 20% B 85 10uF GRM21BB30J106ME18 - Product Image 5

GRM21BB30J106ME18(CHY ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นอิเล็กทรอนิกส์) 0805 10 F 6.3Vdc ± 20% B 85 10uF GRM21BB30J106ME18 - Product Image 6

GRM21BB30J106ME18(CHY ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นอิเล็กทรอนิกส์) 0805 10 F 6.3Vdc ± 20% B 85 10uF GRM21BB30J106ME18

฿16.74-66.94

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

HELLOCHIP LIMITED

1 yrs

ตัวเก็บประจุแบบติดผิว 220 ยูเอฟ อลูมิเนียม 16 โวลต์ โพลาไรซ์ NACE221M16V6.3X8TR15F - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแบบติดผิว 220 ยูเอฟ อลูมิเนียม 16 โวลต์ โพลาไรซ์ NACE221M16V6.3X8TR15F - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแบบติดผิว 220 ยูเอฟ อลูมิเนียม 16 โวลต์ โพลาไรซ์ NACE221M16V6.3X8TR15F - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแบบติดผิว 220 ยูเอฟ อลูมิเนียม 16 โวลต์ โพลาไรซ์ NACE221M16V6.3X8TR15F - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแบบติดผิว 220 ยูเอฟ อลูมิเนียม 16 โวลต์ โพลาไรซ์ NACE221M16V6.3X8TR15F - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแบบติดผิว 220 ยูเอฟ อลูมิเนียม 16 โวลต์ โพลาไรซ์ NACE221M16V6.3X8TR15F - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบติดผิว 220 ยูเอฟ อลูมิเนียม 16 โวลต์ โพลาไรซ์ NACE221M16V6.3X8TR15F

฿3.35-9.38

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

UNITE CHANCE CO., LIMITED

1 yrs

HK

C3216X6S0J226M160AB (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 1206 22 F 6.3V ± 20% X6S -55ถึง105 C 22uF C3216X6S0J226M160AB - Product Image 1

C3216X6S0J226M160AB (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 1206 22 F 6.3V ± 20% X6S -55ถึง105 C 22uF C3216X6S0J226M160AB - Product Image 2

C3216X6S0J226M160AB (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 1206 22 F 6.3V ± 20% X6S -55ถึง105 C 22uF C3216X6S0J226M160AB - Product Image 3

C3216X6S0J226M160AB (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 1206 22 F 6.3V ± 20% X6S -55ถึง105 C 22uF C3216X6S0J226M160AB - Product Image 4

C3216X6S0J226M160AB (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 1206 22 F 6.3V ± 20% X6S -55ถึง105 C 22uF C3216X6S0J226M160AB - Product Image 5

C3216X6S0J226M160AB (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 1206 22 F 6.3V ± 20% X6S -55ถึง105 C 22uF C3216X6S0J226M160AB - Product Image 6

C3216X6S0J226M160AB (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 1206 22 F 6.3V ± 20% X6S -55ถึง105 C 22uF C3216X6S0J226M160AB

฿16.74-66.94

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

HELLOCHIP LIMITED

1 yrs

ตัวแทนจำหน่ายอย่างเป็นทางการ ตัวเก็บประจุแบบติดผิว 4.7 ยูเอฟ อลูมิเนียม 4.7UF 20% 35V SMD UZR1V4R7MCL1GB - Product Image 1

ตัวแทนจำหน่ายอย่างเป็นทางการ ตัวเก็บประจุแบบติดผิว 4.7 ยูเอฟ อลูมิเนียม 4.7UF 20% 35V SMD UZR1V4R7MCL1GB - Product Image 2

ตัวแทนจำหน่ายอย่างเป็นทางการ ตัวเก็บประจุแบบติดผิว 4.7 ยูเอฟ อลูมิเนียม 4.7UF 20% 35V SMD UZR1V4R7MCL1GB - Product Image 3

ตัวแทนจำหน่ายอย่างเป็นทางการ ตัวเก็บประจุแบบติดผิว 4.7 ยูเอฟ อลูมิเนียม 4.7UF 20% 35V SMD UZR1V4R7MCL1GB - Product Image 4

ตัวแทนจำหน่ายอย่างเป็นทางการ ตัวเก็บประจุแบบติดผิว 4.7 ยูเอฟ อลูมิเนียม 4.7UF 20% 35V SMD UZR1V4R7MCL1GB - Product Image 5

ตัวแทนจำหน่ายอย่างเป็นทางการ ตัวเก็บประจุแบบติดผิว 4.7 ยูเอฟ อลูมิเนียม 4.7UF 20% 35V SMD UZR1V4R7MCL1GB - Product Image 6

ตัวแทนจำหน่ายอย่างเป็นทางการ ตัวเก็บประจุแบบติดผิว 4.7 ยูเอฟ อลูมิเนียม 4.7UF 20% 35V SMD UZR1V4R7MCL1GB

฿4.36-14.06

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

UNITE CHANCE CO., LIMITED

1 yrs

HK

ตัวเก็บประจุแบบซุปเปอร์แคปซิเตอร์ DMS3R3224RS แบบ SMD, ขนาด D6.8xL1.4 มม. ( ความจุ: 0.22F ) ( ความแม่นยำ: -20%~+80% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 3.3V ) - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแบบซุปเปอร์แคปซิเตอร์ DMS3R3224RS แบบ SMD, ขนาด D6.8xL1.4 มม. ( ความจุ: 0.22F ) ( ความแม่นยำ: -20%~+80% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 3.3V ) - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแบบซุปเปอร์แคปซิเตอร์ DMS3R3224RS แบบ SMD, ขนาด D6.8xL1.4 มม. ( ความจุ: 0.22F ) ( ความแม่นยำ: -20%~+80% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 3.3V ) - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแบบซุปเปอร์แคปซิเตอร์ DMS3R3224RS แบบ SMD, ขนาด D6.8xL1.4 มม. ( ความจุ: 0.22F ) ( ความแม่นยำ: -20%~+80% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 3.3V ) - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแบบซุปเปอร์แคปซิเตอร์ DMS3R3224RS แบบ SMD, ขนาด D6.8xL1.4 มม. ( ความจุ: 0.22F ) ( ความแม่นยำ: -20%~+80% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 3.3V ) - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแบบซุปเปอร์แคปซิเตอร์ DMS3R3224RS แบบ SMD, ขนาด D6.8xL1.4 มม. ( ความจุ: 0.22F ) ( ความแม่นยำ: -20%~+80% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 3.3V ) - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบซุปเปอร์แคปซิเตอร์ DMS3R3224RS แบบ SMD, ขนาด D6.8xL1.4 มม. ( ความจุ: 0.22F ) ( ความแม่นยำ: -20%~+80% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 3.3V )

฿10.71-42.51

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

CCP INTERNATIONAL TRADE CO., LIMITED

2 yrs

ตัวเก็บประจุฟิล์ม L22G474KS130220110055EOY ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 20มม. 470nF 10% 400V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 1

ตัวเก็บประจุฟิล์ม L22G474KS130220110055EOY ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 20มม. 470nF 10% 400V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 2

ตัวเก็บประจุฟิล์ม L22G474KS130220110055EOY ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 20มม. 470nF 10% 400V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 3

ตัวเก็บประจุฟิล์ม L22G474KS130220110055EOY ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 20มม. 470nF 10% 400V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 4

ตัวเก็บประจุฟิล์ม L22G474KS130220110055EOY ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 20มม. 470nF 10% 400V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 5

ตัวเก็บประจุฟิล์ม L22G474KS130220110055EOY ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 20มม. 470nF 10% 400V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 6

ตัวเก็บประจุฟิล์ม L22G474KS130220110055EOY ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 20มม. 470nF 10% 400V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ

฿2.35-9.71

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 5 ชิ้น

CCP INTERNATIONAL TRADE CO., LIMITED

2 yrs