All categories
Featured selections
Trade Assurance
Buyer Central
Help Center
Get the app
Become a supplier

Capacitors

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

CL31Z106KBKVPN (ชิปสวัสดีตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง1206 3216 10uF 50Vdc ± 10% X7T 125 AEC-Q200) CL31Z106KBKVPN - Product Image 1
CL31Z106KBKVPN (ชิปสวัสดีตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง1206 3216 10uF 50Vdc ± 10% X7T 125 AEC-Q200) CL31Z106KBKVPN - Product Image 2
CL31Z106KBKVPN (ชิปสวัสดีตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง1206 3216 10uF 50Vdc ± 10% X7T 125 AEC-Q200) CL31Z106KBKVPN - Product Image 3
CL31Z106KBKVPN (ชิปสวัสดีตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง1206 3216 10uF 50Vdc ± 10% X7T 125 AEC-Q200) CL31Z106KBKVPN - Product Image 4
CL31Z106KBKVPN (ชิปสวัสดีตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง1206 3216 10uF 50Vdc ± 10% X7T 125 AEC-Q200) CL31Z106KBKVPN - Product Image 5
CL31Z106KBKVPN (ชิปสวัสดีตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง1206 3216 10uF 50Vdc ± 10% X7T 125 AEC-Q200) CL31Z106KBKVPN - Product Image 6

CL31Z106KBKVPN (ชิปสวัสดีตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง1206 3216 10uF 50Vdc ± 10% X7T 125 AEC-Q200) CL31Z106KBKVPN

฿6.67-66.67
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.6/5.0(255)
ตัวเก็บประจุโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะแบบฟิล์ม MKP แรงดันสูง ความสูญเสียต่ำ รุ่น FKP2F011001D00KA00 A168 - Product Image 1
ตัวเก็บประจุโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะแบบฟิล์ม MKP แรงดันสูง ความสูญเสียต่ำ รุ่น FKP2F011001D00KA00 A168 - Product Image 2
ตัวเก็บประจุโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะแบบฟิล์ม MKP แรงดันสูง ความสูญเสียต่ำ รุ่น FKP2F011001D00KA00 A168 - Product Image 3
ตัวเก็บประจุโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะแบบฟิล์ม MKP แรงดันสูง ความสูญเสียต่ำ รุ่น FKP2F011001D00KA00 A168 - Product Image 4
ตัวเก็บประจุโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะแบบฟิล์ม MKP แรงดันสูง ความสูญเสียต่ำ รุ่น FKP2F011001D00KA00 A168 - Product Image 5
ตัวเก็บประจุโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะแบบฟิล์ม MKP แรงดันสูง ความสูญเสียต่ำ รุ่น FKP2F011001D00KA00 A168 - Product Image 6

ตัวเก็บประจุโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะแบบฟิล์ม MKP แรงดันสูง ความสูญเสียต่ำ รุ่น FKP2F011001D00KA00 A168

฿1.67-30.01
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.6/5.0(255)
ตัวเก็บประจุโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะแบบฟิล์ม MKP แรงดันสูง ความสูญเสียต่ำ รุ่น FKP2F011001D00HN00 A152 - Product Image 1
ตัวเก็บประจุโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะแบบฟิล์ม MKP แรงดันสูง ความสูญเสียต่ำ รุ่น FKP2F011001D00HN00 A152 - Product Image 2
ตัวเก็บประจุโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะแบบฟิล์ม MKP แรงดันสูง ความสูญเสียต่ำ รุ่น FKP2F011001D00HN00 A152 - Product Image 3
ตัวเก็บประจุโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะแบบฟิล์ม MKP แรงดันสูง ความสูญเสียต่ำ รุ่น FKP2F011001D00HN00 A152 - Product Image 4
ตัวเก็บประจุโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะแบบฟิล์ม MKP แรงดันสูง ความสูญเสียต่ำ รุ่น FKP2F011001D00HN00 A152 - Product Image 5
ตัวเก็บประจุโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะแบบฟิล์ม MKP แรงดันสูง ความสูญเสียต่ำ รุ่น FKP2F011001D00HN00 A152 - Product Image 6

ตัวเก็บประจุโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะแบบฟิล์ม MKP แรงดันสูง ความสูญเสียต่ำ รุ่น FKP2F011001D00HN00 A152

฿1.67-30.01
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.6/5.0(255)
Taiyo Yuden ตัวเก็บประจุกรองเซรามิคหลายชั้น0805/2012 4.7UF 25V X7R 10% SMD -55C + MSAST21GAB7475KTNA01 125C - Product Image 1
Taiyo Yuden ตัวเก็บประจุกรองเซรามิคหลายชั้น0805/2012 4.7UF 25V X7R 10% SMD -55C + MSAST21GAB7475KTNA01 125C - Product Image 2
Taiyo Yuden ตัวเก็บประจุกรองเซรามิคหลายชั้น0805/2012 4.7UF 25V X7R 10% SMD -55C + MSAST21GAB7475KTNA01 125C - Product Image 3
Taiyo Yuden ตัวเก็บประจุกรองเซรามิคหลายชั้น0805/2012 4.7UF 25V X7R 10% SMD -55C + MSAST21GAB7475KTNA01 125C - Product Image 4
Taiyo Yuden ตัวเก็บประจุกรองเซรามิคหลายชั้น0805/2012 4.7UF 25V X7R 10% SMD -55C + MSAST21GAB7475KTNA01 125C - Product Image 5
Taiyo Yuden ตัวเก็บประจุกรองเซรามิคหลายชั้น0805/2012 4.7UF 25V X7R 10% SMD -55C + MSAST21GAB7475KTNA01 125C - Product Image 6

Taiyo Yuden ตัวเก็บประจุกรองเซรามิคหลายชั้น0805/2012 4.7UF 25V X7R 10% SMD -55C + MSAST21GAB7475KTNA01 125C

฿0.3867-0.6667
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 3,000 ชิ้น
CHARMING TECHNOLOGY CO., LTD.
2 yrsTW flagTW5.0/5.0(1)
CL21X226MSYNNW (Hello Chip SMD ตัวเก็บประจุเซรามิก0805 2012 22UF ± 2.5Vdc 20% X6S 105 ) CL21X226MSYNNW - Product Image 1
CL21X226MSYNNW (Hello Chip SMD ตัวเก็บประจุเซรามิก0805 2012 22UF ± 2.5Vdc 20% X6S 105 ) CL21X226MSYNNW - Product Image 2
CL21X226MSYNNW (Hello Chip SMD ตัวเก็บประจุเซรามิก0805 2012 22UF ± 2.5Vdc 20% X6S 105 ) CL21X226MSYNNW - Product Image 3
CL21X226MSYNNW (Hello Chip SMD ตัวเก็บประจุเซรามิก0805 2012 22UF ± 2.5Vdc 20% X6S 105 ) CL21X226MSYNNW - Product Image 4
CL21X226MSYNNW (Hello Chip SMD ตัวเก็บประจุเซรามิก0805 2012 22UF ± 2.5Vdc 20% X6S 105 ) CL21X226MSYNNW - Product Image 5
CL21X226MSYNNW (Hello Chip SMD ตัวเก็บประจุเซรามิก0805 2012 22UF ± 2.5Vdc 20% X6S 105 ) CL21X226MSYNNW - Product Image 6

CL21X226MSYNNW (Hello Chip SMD ตัวเก็บประจุเซรามิก0805 2012 22UF ± 2.5Vdc 20% X6S 105 ) CL21X226MSYNNW

฿6.67-66.67
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.6/5.0(255)
ตัวเก็บประจุโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะแบบฟิล์ม MKP แรงดันสูง ความสูญเสียต่ำ รุ่น FKP2F011001D00KSC9 A178 - Product Image 1
ตัวเก็บประจุโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะแบบฟิล์ม MKP แรงดันสูง ความสูญเสียต่ำ รุ่น FKP2F011001D00KSC9 A178 - Product Image 2
ตัวเก็บประจุโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะแบบฟิล์ม MKP แรงดันสูง ความสูญเสียต่ำ รุ่น FKP2F011001D00KSC9 A178 - Product Image 3
ตัวเก็บประจุโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะแบบฟิล์ม MKP แรงดันสูง ความสูญเสียต่ำ รุ่น FKP2F011001D00KSC9 A178 - Product Image 4
ตัวเก็บประจุโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะแบบฟิล์ม MKP แรงดันสูง ความสูญเสียต่ำ รุ่น FKP2F011001D00KSC9 A178 - Product Image 5
ตัวเก็บประจุโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะแบบฟิล์ม MKP แรงดันสูง ความสูญเสียต่ำ รุ่น FKP2F011001D00KSC9 A178 - Product Image 6

ตัวเก็บประจุโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะแบบฟิล์ม MKP แรงดันสูง ความสูญเสียต่ำ รุ่น FKP2F011001D00KSC9 A178

฿3.01-30.01
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.6/5.0(255)
ตัวเก็บประจุโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะแบบฟิล์ม MKP แรงดันสูง ความสูญเสียต่ำ รุ่น FKP2F011001D00HF00 A155 - Product Image 1
ตัวเก็บประจุโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะแบบฟิล์ม MKP แรงดันสูง ความสูญเสียต่ำ รุ่น FKP2F011001D00HF00 A155 - Product Image 2
ตัวเก็บประจุโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะแบบฟิล์ม MKP แรงดันสูง ความสูญเสียต่ำ รุ่น FKP2F011001D00HF00 A155 - Product Image 3
ตัวเก็บประจุโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะแบบฟิล์ม MKP แรงดันสูง ความสูญเสียต่ำ รุ่น FKP2F011001D00HF00 A155 - Product Image 4
ตัวเก็บประจุโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะแบบฟิล์ม MKP แรงดันสูง ความสูญเสียต่ำ รุ่น FKP2F011001D00HF00 A155 - Product Image 5
ตัวเก็บประจุโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะแบบฟิล์ม MKP แรงดันสูง ความสูญเสียต่ำ รุ่น FKP2F011001D00HF00 A155 - Product Image 6

ตัวเก็บประจุโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะแบบฟิล์ม MKP แรงดันสูง ความสูญเสียต่ำ รุ่น FKP2F011001D00HF00 A155

฿1.67-30.01
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.6/5.0(255)
CL31A106KOHNNN (ชิปสวัสดีตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง1206 3216 10uF 16Vdc ± 10% X5R 85 ) CL31A106KOHNNN - Product Image 1
CL31A106KOHNNN (ชิปสวัสดีตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง1206 3216 10uF 16Vdc ± 10% X5R 85 ) CL31A106KOHNNN - Product Image 2
CL31A106KOHNNN (ชิปสวัสดีตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง1206 3216 10uF 16Vdc ± 10% X5R 85 ) CL31A106KOHNNN - Product Image 3
CL31A106KOHNNN (ชิปสวัสดีตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง1206 3216 10uF 16Vdc ± 10% X5R 85 ) CL31A106KOHNNN - Product Image 4
CL31A106KOHNNN (ชิปสวัสดีตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง1206 3216 10uF 16Vdc ± 10% X5R 85 ) CL31A106KOHNNN - Product Image 5
CL31A106KOHNNN (ชิปสวัสดีตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง1206 3216 10uF 16Vdc ± 10% X5R 85 ) CL31A106KOHNNN - Product Image 6

CL31A106KOHNNN (ชิปสวัสดีตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง1206 3216 10uF 16Vdc ± 10% X5R 85 ) CL31A106KOHNNN

฿6.67-66.67
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.6/5.0(255)

การค้นหาที่เกี่ยวข้อง:

cbb60 50ufcbb61 15ufcbb61capacitor cbb61 3uf 250vac 50 60hzปลา คา ร์ ฟ จักร พร ร ดิ์cbb60cbb60 12uf 450vacปลา คา ร์ ฟ ราคา เท่า ไหร่cbb60 450vac 50 60hz 40 85 21คา ปา ปั๊ม น้ำkondensator cbb60epcosคา ร์ บั้ มcbb61 1ufcbb60 15uf 450vaccbb60 45ufอี แว ป ปอ เร เตอร์cbb60 450vac 50 60hz 40 70 21ปลา คา ร์ ฟ แพ ล ต ติ นั่ มcapacitor cbb 60