All categories

Featured selections

Trade Assurance

Buyer Central

Help Center

Get the app

Become a supplier

Capacitors

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

39nF เก็บประจุเซรามิก hitano - Product Image 1

39nF เก็บประจุเซรามิก hitano - Product Image 2

39nF เก็บประจุเซรามิก hitano - Product Image 3

39nF เก็บประจุเซรามิก hitano

฿37.05

MOQ: 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CK45-B3DD471KYNNA ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 470pF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 2kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CK45-B3DD471KYNNA ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 470pF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 2kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CK45-B3DD471KYNNA ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 470pF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 2kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CK45-B3DD471KYNNA ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 470pF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 2kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CK45-B3DD471KYNNA ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 470pF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 2kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CK45-B3DD471KYNNA ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 470pF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 2kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CK45-B3DD471KYNNA ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 470pF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 2kV ระยะขา 5 มม.

฿0.6332-2.22

MOQ: 20

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH102K30Y5PN6WL7A0 แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 1nF 10% 1kV 7.5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH102K30Y5PN6WL7A0 แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 1nF 10% 1kV 7.5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH102K30Y5PN6WL7A0 แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 1nF 10% 1kV 7.5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH102K30Y5PN6WL7A0 แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 1nF 10% 1kV 7.5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH102K30Y5PN6WL7A0 แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 1nF 10% 1kV 7.5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH102K30Y5PN6WL7A0 แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 1nF 10% 1kV 7.5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH102K30Y5PN6WL7A0 แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 1nF 10% 1kV 7.5 มม.

฿0.6332-1.90

MOQ: 20

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CK45-R3DD221K-VRA ชนิด THT ระยะขา P=5 มม. ความจุ 220pF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 2kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CK45-R3DD221K-VRA ชนิด THT ระยะขา P=5 มม. ความจุ 220pF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 2kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CK45-R3DD221K-VRA ชนิด THT ระยะขา P=5 มม. ความจุ 220pF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 2kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CK45-R3DD221K-VRA ชนิด THT ระยะขา P=5 มม. ความจุ 220pF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 2kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CK45-R3DD221K-VRA ชนิด THT ระยะขา P=5 มม. ความจุ 220pF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 2kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CK45-R3DD221K-VRA ชนิด THT ระยะขา P=5 มม. ความจุ 220pF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 2kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CK45-R3DD221K-VRA ชนิด THT ระยะขา P=5 มม. ความจุ 220pF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 2kV ระยะขา 5 มม.

฿0.9498-4.12

MOQ: 10

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น C0402X7R562K500NTB ขนาด 0402 (ค่าความจุ: 5.6nF) (ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้า: 50V - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น C0402X7R562K500NTB ขนาด 0402 (ค่าความจุ: 5.6nF) (ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้า: 50V - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น C0402X7R562K500NTB ขนาด 0402 (ค่าความจุ: 5.6nF) (ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้า: 50V - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น C0402X7R562K500NTB ขนาด 0402 (ค่าความจุ: 5.6nF) (ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้า: 50V - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น C0402X7R562K500NTB ขนาด 0402 (ค่าความจุ: 5.6nF) (ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้า: 50V - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น C0402X7R562K500NTB ขนาด 0402 (ค่าความจุ: 5.6nF) (ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้า: 50V - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น C0402X7R562K500NTB ขนาด 0402 (ค่าความจุ: 5.6nF) (ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้า: 50V

฿0.0634-0.3166

MOQ: 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น S10E1E222MN0B0S0N0 ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 2.2nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 3kV ขนาดขา 7.5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น S10E1E222MN0B0S0N0 ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 2.2nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 3kV ขนาดขา 7.5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น S10E1E222MN0B0S0N0 ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 2.2nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 3kV ขนาดขา 7.5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น S10E1E222MN0B0S0N0 ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 2.2nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 3kV ขนาดขา 7.5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น S10E1E222MN0B0S0N0 ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 2.2nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 3kV ขนาดขา 7.5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น S10E1E222MN0B0S0N0 ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 2.2nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 3kV ขนาดขา 7.5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น S10E1E222MN0B0S0N0 ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 2.2nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 3kV ขนาดขา 7.5 มม.

฿1.27-5.39

MOQ: 10

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม 293D685X9020A2TE3 ขนาด 1206 ( ความจุ: 6.8uF )( ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 20V - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม 293D685X9020A2TE3 ขนาด 1206 ( ความจุ: 6.8uF )( ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 20V - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม 293D685X9020A2TE3 ขนาด 1206 ( ความจุ: 6.8uF )( ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 20V - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม 293D685X9020A2TE3 ขนาด 1206 ( ความจุ: 6.8uF )( ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 20V - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม 293D685X9020A2TE3 ขนาด 1206 ( ความจุ: 6.8uF )( ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 20V - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม 293D685X9020A2TE3 ขนาด 1206 ( ความจุ: 6.8uF )( ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 20V - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม 293D685X9020A2TE3 ขนาด 1206 ( ความจุ: 6.8uF )( ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 20V

฿3.80-14.57

MOQ: 1

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น C0402C0G6R0D500NTB ขนาด 0402 ความจุ 6pF แรงดัน 50V รุ่น C0G - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น C0402C0G6R0D500NTB ขนาด 0402 ความจุ 6pF แรงดัน 50V รุ่น C0G - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น C0402C0G6R0D500NTB ขนาด 0402 ความจุ 6pF แรงดัน 50V รุ่น C0G - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น C0402C0G6R0D500NTB ขนาด 0402 ความจุ 6pF แรงดัน 50V รุ่น C0G - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น C0402C0G6R0D500NTB ขนาด 0402 ความจุ 6pF แรงดัน 50V รุ่น C0G - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น C0402C0G6R0D500NTB ขนาด 0402 ความจุ 6pF แรงดัน 50V รุ่น C0G - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น C0402C0G6R0D500NTB ขนาด 0402 ความจุ 6pF แรงดัน 50V รุ่น C0G

฿0.0634-0.3166

MOQ: 1