All categories

Featured selections

Trade Assurance

Buyer Central

Help Center

Get the app

Become a supplier

Capacitors

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

Taiyo Yuden ตัวเก็บประจุเซรามิก SMD 1206/3216หลายชั้น16V 20% MSASE31LBB5476MTNA01 / EMK316BBJ476ML-T - Product Image 1

Taiyo Yuden ตัวเก็บประจุเซรามิก SMD 1206/3216หลายชั้น16V 20% MSASE31LBB5476MTNA01 / EMK316BBJ476ML-T - Product Image 2

Taiyo Yuden ตัวเก็บประจุเซรามิก SMD 1206/3216หลายชั้น16V 20% MSASE31LBB5476MTNA01 / EMK316BBJ476ML-T - Product Image 3

Taiyo Yuden ตัวเก็บประจุเซรามิก SMD 1206/3216หลายชั้น16V 20% MSASE31LBB5476MTNA01 / EMK316BBJ476ML-T - Product Image 4

Taiyo Yuden ตัวเก็บประจุเซรามิก SMD 1206/3216หลายชั้น16V 20% MSASE31LBB5476MTNA01 / EMK316BBJ476ML-T - Product Image 5

Taiyo Yuden ตัวเก็บประจุเซรามิก SMD 1206/3216หลายชั้น16V 20% MSASE31LBB5476MTNA01 / EMK316BBJ476ML-T

฿4,826.71-5,080.05

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 10 ม้วน

CHARMING TECHNOLOGY CO., LTD.

2 yrs

CL21A106KP7LQN (ชิปสวัสดีตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง0805 2012 10uF 10Vdc ± 10% X5R 85 ) CL21A106KP7LQN - Product Image 1

CL21A106KP7LQN (ชิปสวัสดีตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง0805 2012 10uF 10Vdc ± 10% X5R 85 ) CL21A106KP7LQN - Product Image 2

CL21A106KP7LQN (ชิปสวัสดีตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง0805 2012 10uF 10Vdc ± 10% X5R 85 ) CL21A106KP7LQN - Product Image 3

CL21A106KP7LQN (ชิปสวัสดีตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง0805 2012 10uF 10Vdc ± 10% X5R 85 ) CL21A106KP7LQN - Product Image 4

CL21A106KP7LQN (ชิปสวัสดีตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง0805 2012 10uF 10Vdc ± 10% X5R 85 ) CL21A106KP7LQN - Product Image 5

CL21A106KP7LQN (ชิปสวัสดีตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง0805 2012 10uF 10Vdc ± 10% X5R 85 ) CL21A106KP7LQN - Product Image 6

CL21A106KP7LQN (ชิปสวัสดีตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง0805 2012 10uF 10Vdc ± 10% X5R 85 ) CL21A106KP7LQN

฿6.67-66.67

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

HELLOCHIP LIMITED

1 yrs

CL32B476KPJN3W (ชิป Hello ตัวเก็บประจุเซรามิก1210 3225 47uF 10Vdc ± 10% X7R 125 ) CL32B476KPJN3W - Product Image 1

CL32B476KPJN3W (ชิป Hello ตัวเก็บประจุเซรามิก1210 3225 47uF 10Vdc ± 10% X7R 125 ) CL32B476KPJN3W - Product Image 2

CL32B476KPJN3W (ชิป Hello ตัวเก็บประจุเซรามิก1210 3225 47uF 10Vdc ± 10% X7R 125 ) CL32B476KPJN3W - Product Image 3

CL32B476KPJN3W (ชิป Hello ตัวเก็บประจุเซรามิก1210 3225 47uF 10Vdc ± 10% X7R 125 ) CL32B476KPJN3W - Product Image 4

CL32B476KPJN3W (ชิป Hello ตัวเก็บประจุเซรามิก1210 3225 47uF 10Vdc ± 10% X7R 125 ) CL32B476KPJN3W - Product Image 5

CL32B476KPJN3W (ชิป Hello ตัวเก็บประจุเซรามิก1210 3225 47uF 10Vdc ± 10% X7R 125 ) CL32B476KPJN3W - Product Image 6

CL32B476KPJN3W (ชิป Hello ตัวเก็บประจุเซรามิก1210 3225 47uF 10Vdc ± 10% X7R 125 ) CL32B476KPJN3W

฿6.67-66.67

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

HELLOCHIP LIMITED

1 yrs

ตัวเก็บประจุแบบซุปเปอร์คาปาซิเตอร์ DRL156S0TI25CB แบบ Through hole Component (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 15F ±20%~+50% แรงดันไฟฟ้า 2.7V อายุการใช้งาน 1000 ชั่วโมงที่ 70 องศาเซลเซียส - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแบบซุปเปอร์คาปาซิเตอร์ DRL156S0TI25CB แบบ Through hole Component (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 15F ±20%~+50% แรงดันไฟฟ้า 2.7V อายุการใช้งาน 1000 ชั่วโมงที่ 70 องศาเซลเซียส - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแบบซุปเปอร์คาปาซิเตอร์ DRL156S0TI25CB แบบ Through hole Component (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 15F ±20%~+50% แรงดันไฟฟ้า 2.7V อายุการใช้งาน 1000 ชั่วโมงที่ 70 องศาเซลเซียส - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแบบซุปเปอร์คาปาซิเตอร์ DRL156S0TI25CB แบบ Through hole Component (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 15F ±20%~+50% แรงดันไฟฟ้า 2.7V อายุการใช้งาน 1000 ชั่วโมงที่ 70 องศาเซลเซียส - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแบบซุปเปอร์คาปาซิเตอร์ DRL156S0TI25CB แบบ Through hole Component (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 15F ±20%~+50% แรงดันไฟฟ้า 2.7V อายุการใช้งาน 1000 ชั่วโมงที่ 70 องศาเซลเซียส - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแบบซุปเปอร์คาปาซิเตอร์ DRL156S0TI25CB แบบ Through hole Component (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 15F ±20%~+50% แรงดันไฟฟ้า 2.7V อายุการใช้งาน 1000 ชั่วโมงที่ 70 องศาเซลเซียส - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบซุปเปอร์คาปาซิเตอร์ DRL156S0TI25CB แบบ Through hole Component (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 15F ±20%~+50% แรงดันไฟฟ้า 2.7V อายุการใช้งาน 1000 ชั่วโมงที่ 70 องศาเซลเซียส

฿24.67-93.34

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

CCP INTERNATIONAL TRADE CO., LIMITED

2 yrs

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น FN15N100G500PNG ขนาด 0402 (ค่าความจุ: 10pF) (ความแม่นยำ: 2%) แรงดันไฟฟ้า: 50V - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น FN15N100G500PNG ขนาด 0402 (ค่าความจุ: 10pF) (ความแม่นยำ: 2%) แรงดันไฟฟ้า: 50V - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น FN15N100G500PNG ขนาด 0402 (ค่าความจุ: 10pF) (ความแม่นยำ: 2%) แรงดันไฟฟ้า: 50V - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น FN15N100G500PNG ขนาด 0402 (ค่าความจุ: 10pF) (ความแม่นยำ: 2%) แรงดันไฟฟ้า: 50V - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น FN15N100G500PNG ขนาด 0402 (ค่าความจุ: 10pF) (ความแม่นยำ: 2%) แรงดันไฟฟ้า: 50V - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น FN15N100G500PNG ขนาด 0402 (ค่าความจุ: 10pF) (ความแม่นยำ: 2%) แรงดันไฟฟ้า: 50V - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น FN15N100G500PNG ขนาด 0402 (ค่าความจุ: 10pF) (ความแม่นยำ: 2%) แรงดันไฟฟ้า: 50V

฿0.0667-0.3334

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 100 ชิ้น

CCP INTERNATIONAL TRADE CO., LIMITED

2 yrs

CL21K106KAYQNN (Hello Chip ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น0805 2012 10uF 25Vdc ± 10% X7R(S) 125 ) CL21K106KAYQNN - Product Image 1

CL21K106KAYQNN (Hello Chip ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น0805 2012 10uF 25Vdc ± 10% X7R(S) 125 ) CL21K106KAYQNN - Product Image 2

CL21K106KAYQNN (Hello Chip ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น0805 2012 10uF 25Vdc ± 10% X7R(S) 125 ) CL21K106KAYQNN - Product Image 3

CL21K106KAYQNN (Hello Chip ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น0805 2012 10uF 25Vdc ± 10% X7R(S) 125 ) CL21K106KAYQNN - Product Image 4

CL21K106KAYQNN (Hello Chip ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น0805 2012 10uF 25Vdc ± 10% X7R(S) 125 ) CL21K106KAYQNN - Product Image 5

CL21K106KAYQNN (Hello Chip ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น0805 2012 10uF 25Vdc ± 10% X7R(S) 125 ) CL21K106KAYQNN - Product Image 6

CL21K106KAYQNN (Hello Chip ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น0805 2012 10uF 25Vdc ± 10% X7R(S) 125 ) CL21K106KAYQNN

฿6.67-66.67

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

HELLOCHIP LIMITED

1 yrs

ตัวเก็บประจุโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะแบบฟิล์ม MKP แรงดันสูง ความสูญเสียต่ำ รุ่น FKP2F011001D00ESSD A151 - Product Image 1

ตัวเก็บประจุโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะแบบฟิล์ม MKP แรงดันสูง ความสูญเสียต่ำ รุ่น FKP2F011001D00ESSD A151 - Product Image 2

ตัวเก็บประจุโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะแบบฟิล์ม MKP แรงดันสูง ความสูญเสียต่ำ รุ่น FKP2F011001D00ESSD A151 - Product Image 3

ตัวเก็บประจุโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะแบบฟิล์ม MKP แรงดันสูง ความสูญเสียต่ำ รุ่น FKP2F011001D00ESSD A151 - Product Image 4

ตัวเก็บประจุโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะแบบฟิล์ม MKP แรงดันสูง ความสูญเสียต่ำ รุ่น FKP2F011001D00ESSD A151 - Product Image 5

ตัวเก็บประจุโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะแบบฟิล์ม MKP แรงดันสูง ความสูญเสียต่ำ รุ่น FKP2F011001D00ESSD A151 - Product Image 6

ตัวเก็บประจุโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะแบบฟิล์ม MKP แรงดันสูง ความสูญเสียต่ำ รุ่น FKP2F011001D00ESSD A151

฿1.67-30.01

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

HELLOCHIP LIMITED

1 yrs

CL31A226KOCLNW (ชิปเฮลโล SMD MLCC Capacitor 1206 3216 22uF 16Vdc ±10% X5R 85) CL31A226KOCLNW - Product Image 1

CL31A226KOCLNW (ชิปเฮลโล SMD MLCC Capacitor 1206 3216 22uF 16Vdc ±10% X5R 85) CL31A226KOCLNW - Product Image 2

CL31A226KOCLNW (ชิปเฮลโล SMD MLCC Capacitor 1206 3216 22uF 16Vdc ±10% X5R 85) CL31A226KOCLNW - Product Image 3

CL31A226KOCLNW (ชิปเฮลโล SMD MLCC Capacitor 1206 3216 22uF 16Vdc ±10% X5R 85) CL31A226KOCLNW - Product Image 4

CL31A226KOCLNW (ชิปเฮลโล SMD MLCC Capacitor 1206 3216 22uF 16Vdc ±10% X5R 85) CL31A226KOCLNW - Product Image 5

CL31A226KOCLNW (ชิปเฮลโล SMD MLCC Capacitor 1206 3216 22uF 16Vdc ±10% X5R 85) CL31A226KOCLNW - Product Image 6

CL31A226KOCLNW (ชิปเฮลโล SMD MLCC Capacitor 1206 3216 22uF 16Vdc ±10% X5R 85) CL31A226KOCLNW

฿6.67-66.67

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

HELLOCHIP LIMITED

1 yrs