All categories
Featured selections
Trade Assurance
Buyer Central
Help Center
Get the app
Become a supplier

Capacitors

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น RF03N1R5A500CT ขนาด 0201 (ค่าความจุ: 1.5pF) (แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 50V ค่าสัมประสิทธิ์อุณหภูมิ: NP0) - Product Image 1
ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น RF03N1R5A500CT ขนาด 0201 (ค่าความจุ: 1.5pF) (แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 50V ค่าสัมประสิทธิ์อุณหภูมิ: NP0) - Product Image 2
ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น RF03N1R5A500CT ขนาด 0201 (ค่าความจุ: 1.5pF) (แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 50V ค่าสัมประสิทธิ์อุณหภูมิ: NP0) - Product Image 3
ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น RF03N1R5A500CT ขนาด 0201 (ค่าความจุ: 1.5pF) (แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 50V ค่าสัมประสิทธิ์อุณหภูมิ: NP0) - Product Image 4
ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น RF03N1R5A500CT ขนาด 0201 (ค่าความจุ: 1.5pF) (แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 50V ค่าสัมประสิทธิ์อุณหภูมิ: NP0) - Product Image 5
ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น RF03N1R5A500CT ขนาด 0201 (ค่าความจุ: 1.5pF) (แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 50V ค่าสัมประสิทธิ์อุณหภูมิ: NP0) - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น RF03N1R5A500CT ขนาด 0201 (ค่าความจุ: 1.5pF) (แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 50V ค่าสัมประสิทธิ์อุณหภูมิ: NP0)

฿0.3334-1.01
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 50 ชิ้น
CCP INTERNATIONAL TRADE CO., LIMITED
2 yrsHK flagHK4.8/5.0(15)
C4532X7R1E226M สำหรับอุปกรณ์อัตโนมัติ (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น) 1812 22 F 25V ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 22uF CGA8P1X7R1E226M250KC - Product Image 1
C4532X7R1E226M สำหรับอุปกรณ์อัตโนมัติ (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น) 1812 22 F 25V ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 22uF CGA8P1X7R1E226M250KC - Product Image 2
C4532X7R1E226M สำหรับอุปกรณ์อัตโนมัติ (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น) 1812 22 F 25V ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 22uF CGA8P1X7R1E226M250KC - Product Image 3
C4532X7R1E226M สำหรับอุปกรณ์อัตโนมัติ (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น) 1812 22 F 25V ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 22uF CGA8P1X7R1E226M250KC - Product Image 4
C4532X7R1E226M สำหรับอุปกรณ์อัตโนมัติ (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น) 1812 22 F 25V ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 22uF CGA8P1X7R1E226M250KC - Product Image 5
C4532X7R1E226M สำหรับอุปกรณ์อัตโนมัติ (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น) 1812 22 F 25V ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 22uF CGA8P1X7R1E226M250KC - Product Image 6

C4532X7R1E226M สำหรับอุปกรณ์อัตโนมัติ (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น) 1812 22 F 25V ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 22uF CGA8P1X7R1E226M250KC

฿16.67-66.67
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.6/5.0(256)
CL31A227MQKNNW (Hello Chip ตัวเก็บประจุเซรามิก1206 3216 220uF 6.3Vdc ± 20% X5R 85 ) CL31A227MQKNNW - Product Image 1
CL31A227MQKNNW (Hello Chip ตัวเก็บประจุเซรามิก1206 3216 220uF 6.3Vdc ± 20% X5R 85 ) CL31A227MQKNNW - Product Image 2
CL31A227MQKNNW (Hello Chip ตัวเก็บประจุเซรามิก1206 3216 220uF 6.3Vdc ± 20% X5R 85 ) CL31A227MQKNNW - Product Image 3
CL31A227MQKNNW (Hello Chip ตัวเก็บประจุเซรามิก1206 3216 220uF 6.3Vdc ± 20% X5R 85 ) CL31A227MQKNNW - Product Image 4
CL31A227MQKNNW (Hello Chip ตัวเก็บประจุเซรามิก1206 3216 220uF 6.3Vdc ± 20% X5R 85 ) CL31A227MQKNNW - Product Image 5
CL31A227MQKNNW (Hello Chip ตัวเก็บประจุเซรามิก1206 3216 220uF 6.3Vdc ± 20% X5R 85 ) CL31A227MQKNNW - Product Image 6

CL31A227MQKNNW (Hello Chip ตัวเก็บประจุเซรามิก1206 3216 220uF 6.3Vdc ± 20% X5R 85 ) CL31A227MQKNNW

฿6.67-66.67
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.6/5.0(256)
ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพิลีน (CBB) แบบมีรูทะลุ (THT) รุ่น C3D3A206KF0AC00, ระยะขา P=37.5 มม. ความจุ 20uF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV - Product Image 1
ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพิลีน (CBB) แบบมีรูทะลุ (THT) รุ่น C3D3A206KF0AC00, ระยะขา P=37.5 มม. ความจุ 20uF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV - Product Image 2
ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพิลีน (CBB) แบบมีรูทะลุ (THT) รุ่น C3D3A206KF0AC00, ระยะขา P=37.5 มม. ความจุ 20uF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV - Product Image 3
ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพิลีน (CBB) แบบมีรูทะลุ (THT) รุ่น C3D3A206KF0AC00, ระยะขา P=37.5 มม. ความจุ 20uF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV - Product Image 4
ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพิลีน (CBB) แบบมีรูทะลุ (THT) รุ่น C3D3A206KF0AC00, ระยะขา P=37.5 มม. ความจุ 20uF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV - Product Image 5
ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพิลีน (CBB) แบบมีรูทะลุ (THT) รุ่น C3D3A206KF0AC00, ระยะขา P=37.5 มม. ความจุ 20uF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV - Product Image 6

ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพิลีน (CBB) แบบมีรูทะลุ (THT) รุ่น C3D3A206KF0AC00, ระยะขา P=37.5 มม. ความจุ 20uF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV

฿82.67-290.34
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
CCP INTERNATIONAL TRADE CO., LIMITED
2 yrsHK flagHK4.8/5.0(15)
ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพิลีน (CBB) รุ่น MDP601856K042062LSR แบบ DIP-4, ระยะขา P=37.5 มม. 85uF 10% 600V - Product Image 1
ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพิลีน (CBB) รุ่น MDP601856K042062LSR แบบ DIP-4, ระยะขา P=37.5 มม. 85uF 10% 600V - Product Image 2
ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพิลีน (CBB) รุ่น MDP601856K042062LSR แบบ DIP-4, ระยะขา P=37.5 มม. 85uF 10% 600V - Product Image 3
ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพิลีน (CBB) รุ่น MDP601856K042062LSR แบบ DIP-4, ระยะขา P=37.5 มม. 85uF 10% 600V - Product Image 4
ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพิลีน (CBB) รุ่น MDP601856K042062LSR แบบ DIP-4, ระยะขา P=37.5 มม. 85uF 10% 600V - Product Image 5
ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพิลีน (CBB) รุ่น MDP601856K042062LSR แบบ DIP-4, ระยะขา P=37.5 มม. 85uF 10% 600V - Product Image 6

ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพิลีน (CBB) รุ่น MDP601856K042062LSR แบบ DIP-4, ระยะขา P=37.5 มม. 85uF 10% 600V

฿83.01-292.34
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
CCP INTERNATIONAL TRADE CO., LIMITED
2 yrsHK flagHK4.8/5.0(15)
CL21Y106KOQ6PN (Hello Chip ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น0805 2012 10uF 16Vdc ± 10% X7S 125 AEC-Q200) CL21Y106KOQ6PN - Product Image 1
CL21Y106KOQ6PN (Hello Chip ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น0805 2012 10uF 16Vdc ± 10% X7S 125 AEC-Q200) CL21Y106KOQ6PN - Product Image 2
CL21Y106KOQ6PN (Hello Chip ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น0805 2012 10uF 16Vdc ± 10% X7S 125 AEC-Q200) CL21Y106KOQ6PN - Product Image 3
CL21Y106KOQ6PN (Hello Chip ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น0805 2012 10uF 16Vdc ± 10% X7S 125 AEC-Q200) CL21Y106KOQ6PN - Product Image 4
CL21Y106KOQ6PN (Hello Chip ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น0805 2012 10uF 16Vdc ± 10% X7S 125 AEC-Q200) CL21Y106KOQ6PN - Product Image 5
CL21Y106KOQ6PN (Hello Chip ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น0805 2012 10uF 16Vdc ± 10% X7S 125 AEC-Q200) CL21Y106KOQ6PN - Product Image 6

CL21Y106KOQ6PN (Hello Chip ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น0805 2012 10uF 16Vdc ± 10% X7S 125 AEC-Q200) CL21Y106KOQ6PN

฿6.67-66.67
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.6/5.0(256)
ตัวเก็บประจุโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะแบบฟิล์ม MKP แรงดันสูง ความสูญเสียต่ำ รุ่น FKP2F011001D00 JA00 A162 - Product Image 1
ตัวเก็บประจุโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะแบบฟิล์ม MKP แรงดันสูง ความสูญเสียต่ำ รุ่น FKP2F011001D00 JA00 A162 - Product Image 2
ตัวเก็บประจุโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะแบบฟิล์ม MKP แรงดันสูง ความสูญเสียต่ำ รุ่น FKP2F011001D00 JA00 A162 - Product Image 3
ตัวเก็บประจุโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะแบบฟิล์ม MKP แรงดันสูง ความสูญเสียต่ำ รุ่น FKP2F011001D00 JA00 A162 - Product Image 4
ตัวเก็บประจุโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะแบบฟิล์ม MKP แรงดันสูง ความสูญเสียต่ำ รุ่น FKP2F011001D00 JA00 A162 - Product Image 5
ตัวเก็บประจุโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะแบบฟิล์ม MKP แรงดันสูง ความสูญเสียต่ำ รุ่น FKP2F011001D00 JA00 A162 - Product Image 6

ตัวเก็บประจุโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะแบบฟิล์ม MKP แรงดันสูง ความสูญเสียต่ำ รุ่น FKP2F011001D00 JA00 A162

฿1.67-30.01
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.6/5.0(256)
CL31B156KQKZNN (Hello Chip SMD ตัวเก็บประจุเซรามิก1206 3216 15UF ± 6.3Vdc 10% X7R 125 ) CL31B156KQKZNN - Product Image 1
CL31B156KQKZNN (Hello Chip SMD ตัวเก็บประจุเซรามิก1206 3216 15UF ± 6.3Vdc 10% X7R 125 ) CL31B156KQKZNN - Product Image 2
CL31B156KQKZNN (Hello Chip SMD ตัวเก็บประจุเซรามิก1206 3216 15UF ± 6.3Vdc 10% X7R 125 ) CL31B156KQKZNN - Product Image 3
CL31B156KQKZNN (Hello Chip SMD ตัวเก็บประจุเซรามิก1206 3216 15UF ± 6.3Vdc 10% X7R 125 ) CL31B156KQKZNN - Product Image 4
CL31B156KQKZNN (Hello Chip SMD ตัวเก็บประจุเซรามิก1206 3216 15UF ± 6.3Vdc 10% X7R 125 ) CL31B156KQKZNN - Product Image 5
CL31B156KQKZNN (Hello Chip SMD ตัวเก็บประจุเซรามิก1206 3216 15UF ± 6.3Vdc 10% X7R 125 ) CL31B156KQKZNN - Product Image 6

CL31B156KQKZNN (Hello Chip SMD ตัวเก็บประจุเซรามิก1206 3216 15UF ± 6.3Vdc 10% X7R 125 ) CL31B156KQKZNN

฿6.67-66.67
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.6/5.0(256)

การค้นหาที่เกี่ยวข้อง:

cbb60 50ufcbb61 15ufcbb61capacitor cbb61 3uf 250vac 50 60hzปลา คา ร์ ฟ จักร พร ร ดิ์cbb60cbb60 12uf 450vacปลา คา ร์ ฟ ราคา เท่า ไหร่cbb60 450vac 50 60hz 40 85 21คา ปา ปั๊ม น้ำkondensator cbb60epcosคา ร์ บั้ มcbb61 1ufcbb60 15uf 450vaccbb60 45ufอี แว ป ปอ เร เตอร์cbb60 450vac 50 60hz 40 70 21ปลา คา ร์ ฟ แพ ล ต ติ นั่ มcapacitor cbb 60