All categories

Featured selections

Trade Assurance

Buyer Central

Help Center

Get the app

Become a supplier

Capacitors

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC1H470JC74DCH4B10MN แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=5.08 มม. 47pF 5% 50V 5.08 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC1H470JC74DCH4B10MN แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=5.08 มม. 47pF 5% 50V 5.08 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC1H470JC74DCH4B10MN แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=5.08 มม. 47pF 5% 50V 5.08 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC1H470JC74DCH4B10MN แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=5.08 มม. 47pF 5% 50V 5.08 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC1H470JC74DCH4B10MN แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=5.08 มม. 47pF 5% 50V 5.08 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC1H470JC74DCH4B10MN แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=5.08 มม. 47pF 5% 50V 5.08 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC1H470JC74DCH4B10MN แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=5.08 มม. 47pF 5% 50V 5.08 มม.

฿0.3166-1.27

MOQ: 50

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น CG100MJ711BP ขนาด D6.3xL11 มม. 6.3 มม. 11 มม. อายุการใช้งาน 2000 ชั่วโมง ทนอุณหภูมิ 105 องศา ℃ - Product Image 1

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น CG100MJ711BP ขนาด D6.3xL11 มม. 6.3 มม. 11 มม. อายุการใช้งาน 2000 ชั่วโมง ทนอุณหภูมิ 105 องศา ℃ - Product Image 2

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น CG100MJ711BP ขนาด D6.3xL11 มม. 6.3 มม. 11 มม. อายุการใช้งาน 2000 ชั่วโมง ทนอุณหภูมิ 105 องศา ℃ - Product Image 3

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น CG100MJ711BP ขนาด D6.3xL11 มม. 6.3 มม. 11 มม. อายุการใช้งาน 2000 ชั่วโมง ทนอุณหภูมิ 105 องศา ℃ - Product Image 4

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น CG100MJ711BP ขนาด D6.3xL11 มม. 6.3 มม. 11 มม. อายุการใช้งาน 2000 ชั่วโมง ทนอุณหภูมิ 105 องศา ℃ - Product Image 5

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น CG100MJ711BP ขนาด D6.3xL11 มม. 6.3 มม. 11 มม. อายุการใช้งาน 2000 ชั่วโมง ทนอุณหภูมิ 105 องศา ℃ - Product Image 6

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น CG100MJ711BP ขนาด D6.3xL11 มม. 6.3 มม. 11 มม. อายุการใช้งาน 2000 ชั่วโมง ทนอุณหภูมิ 105 องศา ℃

฿0.0634-0.3166

MOQ: 50

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC3A471KC1GEB45H31MF ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=5.08 มม. ความจุ 470pF 10% 1kV 5.08 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC3A471KC1GEB45H31MF ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=5.08 มม. ความจุ 470pF 10% 1kV 5.08 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC3A471KC1GEB45H31MF ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=5.08 มม. ความจุ 470pF 10% 1kV 5.08 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC3A471KC1GEB45H31MF ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=5.08 มม. ความจุ 470pF 10% 1kV 5.08 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC3A471KC1GEB45H31MF ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=5.08 มม. ความจุ 470pF 10% 1kV 5.08 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC3A471KC1GEB45H31MF ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=5.08 มม. ความจุ 470pF 10% 1kV 5.08 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC3A471KC1GEB45H31MF ชนิด Through-Hole Component (THT), ระยะขา P=5.08 มม. ความจุ 470pF 10% 1kV 5.08 มม.

฿0.3166-1.27

MOQ: 50

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC1H102MA1EDB44B1100 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=2.54 มม. 1nF 20% 50V 2.54 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC1H102MA1EDB44B1100 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=2.54 มม. 1nF 20% 50V 2.54 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC1H102MA1EDB44B1100 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=2.54 มม. 1nF 20% 50V 2.54 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC1H102MA1EDB44B1100 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=2.54 มม. 1nF 20% 50V 2.54 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC1H102MA1EDB44B1100 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=2.54 มม. 1nF 20% 50V 2.54 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC1H102MA1EDB44B1100 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=2.54 มม. 1nF 20% 50V 2.54 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC1H102MA1EDB44B1100 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=2.54 มม. 1nF 20% 50V 2.54 มม.

฿0.3166-0.9498

MOQ: 50

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น RK3371AMD112RB ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT) ขนาด D6.3xL11 มม. 330uF 20% 10V 2.5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น RK3371AMD112RB ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT) ขนาด D6.3xL11 มม. 330uF 20% 10V 2.5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น RK3371AMD112RB ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT) ขนาด D6.3xL11 มม. 330uF 20% 10V 2.5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น RK3371AMD112RB ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT) ขนาด D6.3xL11 มม. 330uF 20% 10V 2.5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น RK3371AMD112RB ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT) ขนาด D6.3xL11 มม. 330uF 20% 10V 2.5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น RK3371AMD112RB ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT) ขนาด D6.3xL11 มม. 330uF 20% 10V 2.5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น RK3371AMD112RB ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT) ขนาด D6.3xL11 มม. 330uF 20% 10V 2.5 มม.

฿0.3166-1.59

MOQ: 1

ตัวเก็บประจุชนิดหนึ่ง SC EB 5R5 334 V ตัวเก็บประจุผ่านรู (THT) 0.33F 20% ~ + 80% 5.5V 50Ohm @ 1kHz - Product Image 1

ตัวเก็บประจุชนิดหนึ่ง SC EB 5R5 334 V ตัวเก็บประจุผ่านรู (THT) 0.33F 20% ~ + 80% 5.5V 50Ohm @ 1kHz - Product Image 2

ตัวเก็บประจุชนิดหนึ่ง SC EB 5R5 334 V ตัวเก็บประจุผ่านรู (THT) 0.33F 20% ~ + 80% 5.5V 50Ohm @ 1kHz - Product Image 3

ตัวเก็บประจุชนิดหนึ่ง SC EB 5R5 334 V ตัวเก็บประจุผ่านรู (THT) 0.33F 20% ~ + 80% 5.5V 50Ohm @ 1kHz - Product Image 4

ตัวเก็บประจุชนิดหนึ่ง SC EB 5R5 334 V ตัวเก็บประจุผ่านรู (THT) 0.33F 20% ~ + 80% 5.5V 50Ohm @ 1kHz - Product Image 5

ตัวเก็บประจุชนิดหนึ่ง SC EB 5R5 334 V ตัวเก็บประจุผ่านรู (THT) 0.33F 20% ~ + 80% 5.5V 50Ohm @ 1kHz - Product Image 6

ตัวเก็บประจุชนิดหนึ่ง SC EB 5R5 334 V ตัวเก็บประจุผ่านรู (THT) 0.33F 20% ~ + 80% 5.5V 50Ohm @ 1kHz

฿0.3166-1.59

MOQ: 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC3A681KC46EB45E3000 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5.08 มม. ความจุ 680pF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV ระยะขา 5.08 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC3A681KC46EB45E3000 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5.08 มม. ความจุ 680pF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV ระยะขา 5.08 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC3A681KC46EB45E3000 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5.08 มม. ความจุ 680pF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV ระยะขา 5.08 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC3A681KC46EB45E3000 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5.08 มม. ความจุ 680pF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV ระยะขา 5.08 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC3A681KC46EB45E3000 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5.08 มม. ความจุ 680pF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV ระยะขา 5.08 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC3A681KC46EB45E3000 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5.08 มม. ความจุ 680pF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV ระยะขา 5.08 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC3A681KC46EB45E3000 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5.08 มม. ความจุ 680pF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 1kV ระยะขา 5.08 มม.

฿0.3166-0.9498

MOQ: 50

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น CC1H101KC1EDSL4B1100 ระยะขา P=5.08 มม. 100pF 10% 50V 5.08 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น CC1H101KC1EDSL4B1100 ระยะขา P=5.08 มม. 100pF 10% 50V 5.08 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น CC1H101KC1EDSL4B1100 ระยะขา P=5.08 มม. 100pF 10% 50V 5.08 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น CC1H101KC1EDSL4B1100 ระยะขา P=5.08 มม. 100pF 10% 50V 5.08 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น CC1H101KC1EDSL4B1100 ระยะขา P=5.08 มม. 100pF 10% 50V 5.08 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น CC1H101KC1EDSL4B1100 ระยะขา P=5.08 มม. 100pF 10% 50V 5.08 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น CC1H101KC1EDSL4B1100 ระยะขา P=5.08 มม. 100pF 10% 50V 5.08 มม.

฿0.3166-0.9498

MOQ: 50