All categories
Featured selections
Trade Assurance
Buyer Central
Help Center
Get the app
Become a supplier

Capacitors

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น FN15N100G500PNG ขนาด 0402 (ค่าความจุ: 10pF) (ความแม่นยำ: 2%) แรงดันไฟฟ้า: 50V - Product Image 1
ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น FN15N100G500PNG ขนาด 0402 (ค่าความจุ: 10pF) (ความแม่นยำ: 2%) แรงดันไฟฟ้า: 50V - Product Image 2
ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น FN15N100G500PNG ขนาด 0402 (ค่าความจุ: 10pF) (ความแม่นยำ: 2%) แรงดันไฟฟ้า: 50V - Product Image 3
ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น FN15N100G500PNG ขนาด 0402 (ค่าความจุ: 10pF) (ความแม่นยำ: 2%) แรงดันไฟฟ้า: 50V - Product Image 4
ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น FN15N100G500PNG ขนาด 0402 (ค่าความจุ: 10pF) (ความแม่นยำ: 2%) แรงดันไฟฟ้า: 50V - Product Image 5
ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น FN15N100G500PNG ขนาด 0402 (ค่าความจุ: 10pF) (ความแม่นยำ: 2%) แรงดันไฟฟ้า: 50V - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น FN15N100G500PNG ขนาด 0402 (ค่าความจุ: 10pF) (ความแม่นยำ: 2%) แรงดันไฟฟ้า: 50V

฿0.0667-0.3334
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 100 ชิ้น
CCP INTERNATIONAL TRADE CO., LIMITED
2 yrsHK flagHK4.8/5.0(15)
ตัวเก็บประจุโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะแบบฟิล์ม MKP แรงดันสูง ความสูญเสียต่ำ รุ่น FKP2F011001D00ESSD A151 - Product Image 1
ตัวเก็บประจุโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะแบบฟิล์ม MKP แรงดันสูง ความสูญเสียต่ำ รุ่น FKP2F011001D00ESSD A151 - Product Image 2
ตัวเก็บประจุโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะแบบฟิล์ม MKP แรงดันสูง ความสูญเสียต่ำ รุ่น FKP2F011001D00ESSD A151 - Product Image 3
ตัวเก็บประจุโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะแบบฟิล์ม MKP แรงดันสูง ความสูญเสียต่ำ รุ่น FKP2F011001D00ESSD A151 - Product Image 4
ตัวเก็บประจุโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะแบบฟิล์ม MKP แรงดันสูง ความสูญเสียต่ำ รุ่น FKP2F011001D00ESSD A151 - Product Image 5
ตัวเก็บประจุโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะแบบฟิล์ม MKP แรงดันสูง ความสูญเสียต่ำ รุ่น FKP2F011001D00ESSD A151 - Product Image 6

ตัวเก็บประจุโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะแบบฟิล์ม MKP แรงดันสูง ความสูญเสียต่ำ รุ่น FKP2F011001D00ESSD A151

฿1.67-30.01
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.6/5.0(255)
CXP-3R0105R-TW 3.0V1F ซูเปอร์คาปาซิเตอร์ผ่านรูส่วนประกอบ (THT),P = 3.5MM ตัวเก็บประจุ1F 0% ~ + 100% 3V 6uA @ 72hrs - Product Image 1
CXP-3R0105R-TW 3.0V1F ซูเปอร์คาปาซิเตอร์ผ่านรูส่วนประกอบ (THT),P = 3.5MM ตัวเก็บประจุ1F 0% ~ + 100% 3V 6uA @ 72hrs - Product Image 2
CXP-3R0105R-TW 3.0V1F ซูเปอร์คาปาซิเตอร์ผ่านรูส่วนประกอบ (THT),P = 3.5MM ตัวเก็บประจุ1F 0% ~ + 100% 3V 6uA @ 72hrs - Product Image 3
CXP-3R0105R-TW 3.0V1F ซูเปอร์คาปาซิเตอร์ผ่านรูส่วนประกอบ (THT),P = 3.5MM ตัวเก็บประจุ1F 0% ~ + 100% 3V 6uA @ 72hrs - Product Image 4
CXP-3R0105R-TW 3.0V1F ซูเปอร์คาปาซิเตอร์ผ่านรูส่วนประกอบ (THT),P = 3.5MM ตัวเก็บประจุ1F 0% ~ + 100% 3V 6uA @ 72hrs - Product Image 5
CXP-3R0105R-TW 3.0V1F ซูเปอร์คาปาซิเตอร์ผ่านรูส่วนประกอบ (THT),P = 3.5MM ตัวเก็บประจุ1F 0% ~ + 100% 3V 6uA @ 72hrs - Product Image 6

CXP-3R0105R-TW 3.0V1F ซูเปอร์คาปาซิเตอร์ผ่านรูส่วนประกอบ (THT),P = 3.5MM ตัวเก็บประจุ1F 0% ~ + 100% 3V 6uA @ 72hrs

฿15.01-59.01
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
CCP INTERNATIONAL TRADE CO., LIMITED
2 yrsHK flagHK4.8/5.0(15)
C3216X6S0J226M160AB (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 1206 22 F 6.3V ± 20% X6S -55ถึง105 C 22uF C3216X6S0J226M160AB - Product Image 1
C3216X6S0J226M160AB (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 1206 22 F 6.3V ± 20% X6S -55ถึง105 C 22uF C3216X6S0J226M160AB - Product Image 2
C3216X6S0J226M160AB (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 1206 22 F 6.3V ± 20% X6S -55ถึง105 C 22uF C3216X6S0J226M160AB - Product Image 3
C3216X6S0J226M160AB (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 1206 22 F 6.3V ± 20% X6S -55ถึง105 C 22uF C3216X6S0J226M160AB - Product Image 4
C3216X6S0J226M160AB (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 1206 22 F 6.3V ± 20% X6S -55ถึง105 C 22uF C3216X6S0J226M160AB - Product Image 5
C3216X6S0J226M160AB (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 1206 22 F 6.3V ± 20% X6S -55ถึง105 C 22uF C3216X6S0J226M160AB - Product Image 6

C3216X6S0J226M160AB (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 1206 22 F 6.3V ± 20% X6S -55ถึง105 C 22uF C3216X6S0J226M160AB

฿16.67-66.67
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.6/5.0(255)
ตัวเก็บประจุฟิล์มแบบต้านทาน EMI ยี่ห้อ STC รุ่น C42106*310T70+++++P0 ซีรีส์ X2 ความจุ 10uF แรงดัน 310V ระยะพิทช์ 37.5 มม. ประสิทธิภาพสูง มาตรฐาน UL94 V-0 - Product Image 1
ตัวเก็บประจุฟิล์มแบบต้านทาน EMI ยี่ห้อ STC รุ่น C42106*310T70+++++P0 ซีรีส์ X2 ความจุ 10uF แรงดัน 310V ระยะพิทช์ 37.5 มม. ประสิทธิภาพสูง มาตรฐาน UL94 V-0 - Product Image 2
ตัวเก็บประจุฟิล์มแบบต้านทาน EMI ยี่ห้อ STC รุ่น C42106*310T70+++++P0 ซีรีส์ X2 ความจุ 10uF แรงดัน 310V ระยะพิทช์ 37.5 มม. ประสิทธิภาพสูง มาตรฐาน UL94 V-0 - Product Image 3
ตัวเก็บประจุฟิล์มแบบต้านทาน EMI ยี่ห้อ STC รุ่น C42106*310T70+++++P0 ซีรีส์ X2 ความจุ 10uF แรงดัน 310V ระยะพิทช์ 37.5 มม. ประสิทธิภาพสูง มาตรฐาน UL94 V-0 - Product Image 4
ตัวเก็บประจุฟิล์มแบบต้านทาน EMI ยี่ห้อ STC รุ่น C42106*310T70+++++P0 ซีรีส์ X2 ความจุ 10uF แรงดัน 310V ระยะพิทช์ 37.5 มม. ประสิทธิภาพสูง มาตรฐาน UL94 V-0 - Product Image 5
ตัวเก็บประจุฟิล์มแบบต้านทาน EMI ยี่ห้อ STC รุ่น C42106*310T70+++++P0 ซีรีส์ X2 ความจุ 10uF แรงดัน 310V ระยะพิทช์ 37.5 มม. ประสิทธิภาพสูง มาตรฐาน UL94 V-0 - Product Image 6

ตัวเก็บประจุฟิล์มแบบต้านทาน EMI ยี่ห้อ STC รุ่น C42106*310T70+++++P0 ซีรีส์ X2 ความจุ 10uF แรงดัน 310V ระยะพิทช์ 37.5 มม. ประสิทธิภาพสูง มาตรฐาน UL94 V-0

฿173.34
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1,000 ชิ้น
CHARMING TECHNOLOGY CO., LTD.
2 yrsTW flagTW5.0/5.0(1)
CL10X106MQ8NRW (ชิปสวัสดีตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง0603 1608 10uF 6.3Vdc ± 20% X6S 105 ) CL10X106MQ8NRW - Product Image 1
CL10X106MQ8NRW (ชิปสวัสดีตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง0603 1608 10uF 6.3Vdc ± 20% X6S 105 ) CL10X106MQ8NRW - Product Image 2
CL10X106MQ8NRW (ชิปสวัสดีตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง0603 1608 10uF 6.3Vdc ± 20% X6S 105 ) CL10X106MQ8NRW - Product Image 3
CL10X106MQ8NRW (ชิปสวัสดีตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง0603 1608 10uF 6.3Vdc ± 20% X6S 105 ) CL10X106MQ8NRW - Product Image 4
CL10X106MQ8NRW (ชิปสวัสดีตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง0603 1608 10uF 6.3Vdc ± 20% X6S 105 ) CL10X106MQ8NRW - Product Image 5
CL10X106MQ8NRW (ชิปสวัสดีตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง0603 1608 10uF 6.3Vdc ± 20% X6S 105 ) CL10X106MQ8NRW - Product Image 6

CL10X106MQ8NRW (ชิปสวัสดีตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง0603 1608 10uF 6.3Vdc ± 20% X6S 105 ) CL10X106MQ8NRW

฿6.67-66.67
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.6/5.0(255)
ตัวเก็บประจุแบบซุปเปอร์แคปซิเตอร์ DMS3R3224RS แบบ SMD, ขนาด D6.8xL1.4 มม. ( ความจุ: 0.22F ) ( ความแม่นยำ: -20%~+80% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 3.3V ) - Product Image 1
ตัวเก็บประจุแบบซุปเปอร์แคปซิเตอร์ DMS3R3224RS แบบ SMD, ขนาด D6.8xL1.4 มม. ( ความจุ: 0.22F ) ( ความแม่นยำ: -20%~+80% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 3.3V ) - Product Image 2
ตัวเก็บประจุแบบซุปเปอร์แคปซิเตอร์ DMS3R3224RS แบบ SMD, ขนาด D6.8xL1.4 มม. ( ความจุ: 0.22F ) ( ความแม่นยำ: -20%~+80% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 3.3V ) - Product Image 3
ตัวเก็บประจุแบบซุปเปอร์แคปซิเตอร์ DMS3R3224RS แบบ SMD, ขนาด D6.8xL1.4 มม. ( ความจุ: 0.22F ) ( ความแม่นยำ: -20%~+80% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 3.3V ) - Product Image 4
ตัวเก็บประจุแบบซุปเปอร์แคปซิเตอร์ DMS3R3224RS แบบ SMD, ขนาด D6.8xL1.4 มม. ( ความจุ: 0.22F ) ( ความแม่นยำ: -20%~+80% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 3.3V ) - Product Image 5
ตัวเก็บประจุแบบซุปเปอร์แคปซิเตอร์ DMS3R3224RS แบบ SMD, ขนาด D6.8xL1.4 มม. ( ความจุ: 0.22F ) ( ความแม่นยำ: -20%~+80% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 3.3V ) - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบซุปเปอร์แคปซิเตอร์ DMS3R3224RS แบบ SMD, ขนาด D6.8xL1.4 มม. ( ความจุ: 0.22F ) ( ความแม่นยำ: -20%~+80% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 3.3V )

฿10.67-42.34
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
CCP INTERNATIONAL TRADE CO., LIMITED
2 yrsHK flagHK4.8/5.0(15)
ตัวเก็บประจุฟิล์ม L22G474KS130220110055EOY ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 20มม. 470nF 10% 400V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 1
ตัวเก็บประจุฟิล์ม L22G474KS130220110055EOY ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 20มม. 470nF 10% 400V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 2
ตัวเก็บประจุฟิล์ม L22G474KS130220110055EOY ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 20มม. 470nF 10% 400V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 3
ตัวเก็บประจุฟิล์ม L22G474KS130220110055EOY ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 20มม. 470nF 10% 400V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 4
ตัวเก็บประจุฟิล์ม L22G474KS130220110055EOY ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 20มม. 470nF 10% 400V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 5
ตัวเก็บประจุฟิล์ม L22G474KS130220110055EOY ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 20มม. 470nF 10% 400V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 6

ตัวเก็บประจุฟิล์ม L22G474KS130220110055EOY ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 20มม. 470nF 10% 400V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ

฿2.34-9.67
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 5 ชิ้น
CCP INTERNATIONAL TRADE CO., LIMITED
2 yrsHK flagHK4.8/5.0(15)

การค้นหาที่เกี่ยวข้อง:

cbb60 50ufcbb61 15ufcbb61capacitor cbb61 3uf 250vac 50 60hzปลา คา ร์ ฟ จักร พร ร ดิ์cbb60cbb60 12uf 450vacปลา คา ร์ ฟ ราคา เท่า ไหร่cbb60 450vac 50 60hz 40 85 21คา ปา ปั๊ม น้ำkondensator cbb60epcosคา ร์ บั้ มcbb61 1ufcbb60 15uf 450vaccbb60 45ufอี แว ป ปอ เร เตอร์cbb60 450vac 50 60hz 40 70 21ปลา คา ร์ ฟ แพ ล ต ติ นั่ มcapacitor cbb 60