All categories
Featured selections
Trade Assurance
Buyer Central
Help Center
Get the app
Become a supplier

Capacitors

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น C4532X7R1E106KT000N ขนาด 1812 ( ความจุ: 10uF )( ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้า: 25V ) - Product Image 1
ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น C4532X7R1E106KT000N ขนาด 1812 ( ความจุ: 10uF )( ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้า: 25V ) - Product Image 2
ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น C4532X7R1E106KT000N ขนาด 1812 ( ความจุ: 10uF )( ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้า: 25V ) - Product Image 3
ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น C4532X7R1E106KT000N ขนาด 1812 ( ความจุ: 10uF )( ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้า: 25V ) - Product Image 4
ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น C4532X7R1E106KT000N ขนาด 1812 ( ความจุ: 10uF )( ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้า: 25V ) - Product Image 5
ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น C4532X7R1E106KT000N ขนาด 1812 ( ความจุ: 10uF )( ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้า: 25V ) - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น C4532X7R1E106KT000N ขนาด 1812 ( ความจุ: 10uF )( ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้า: 25V )

฿6.01-23.34
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
CCP INTERNATIONAL TRADE CO., LIMITED
2 yrsHK flagHK4.8/5.0(15)
CL31X226KOH1IN (ชิปสวัสดีตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง1206 3216 22uF 16Vdc ± 10% X6S 105 AEC-Q200) CL31X226KOH1IN - Product Image 1
CL31X226KOH1IN (ชิปสวัสดีตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง1206 3216 22uF 16Vdc ± 10% X6S 105 AEC-Q200) CL31X226KOH1IN - Product Image 2
CL31X226KOH1IN (ชิปสวัสดีตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง1206 3216 22uF 16Vdc ± 10% X6S 105 AEC-Q200) CL31X226KOH1IN - Product Image 3
CL31X226KOH1IN (ชิปสวัสดีตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง1206 3216 22uF 16Vdc ± 10% X6S 105 AEC-Q200) CL31X226KOH1IN - Product Image 4
CL31X226KOH1IN (ชิปสวัสดีตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง1206 3216 22uF 16Vdc ± 10% X6S 105 AEC-Q200) CL31X226KOH1IN - Product Image 5
CL31X226KOH1IN (ชิปสวัสดีตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง1206 3216 22uF 16Vdc ± 10% X6S 105 AEC-Q200) CL31X226KOH1IN - Product Image 6

CL31X226KOH1IN (ชิปสวัสดีตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง1206 3216 22uF 16Vdc ± 10% X6S 105 AEC-Q200) CL31X226KOH1IN

฿6.67-66.67
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.6/5.0(255)
CL32A106KOCLNN (ชิปเฮลโล ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์ความจุสูง 1210 3225 10uF 16Vdc ±10% X5R 85) CL32A106KOCLNN - Product Image 1
CL32A106KOCLNN (ชิปเฮลโล ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์ความจุสูง 1210 3225 10uF 16Vdc ±10% X5R 85) CL32A106KOCLNN - Product Image 2
CL32A106KOCLNN (ชิปเฮลโล ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์ความจุสูง 1210 3225 10uF 16Vdc ±10% X5R 85) CL32A106KOCLNN - Product Image 3
CL32A106KOCLNN (ชิปเฮลโล ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์ความจุสูง 1210 3225 10uF 16Vdc ±10% X5R 85) CL32A106KOCLNN - Product Image 4
CL32A106KOCLNN (ชิปเฮลโล ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์ความจุสูง 1210 3225 10uF 16Vdc ±10% X5R 85) CL32A106KOCLNN - Product Image 5
CL32A106KOCLNN (ชิปเฮลโล ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์ความจุสูง 1210 3225 10uF 16Vdc ±10% X5R 85) CL32A106KOCLNN - Product Image 6

CL32A106KOCLNN (ชิปเฮลโล ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์ความจุสูง 1210 3225 10uF 16Vdc ±10% X5R 85) CL32A106KOCLNN

฿6.67-66.67
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.6/5.0(255)
CL31B106KAHNFN (Hello Chip ตัวเก็บประจุ MLCC 1206 3216 10uF 25Vdc ± 10% X7R 125 ) CL31B106KAHNFN - Product Image 1
CL31B106KAHNFN (Hello Chip ตัวเก็บประจุ MLCC 1206 3216 10uF 25Vdc ± 10% X7R 125 ) CL31B106KAHNFN - Product Image 2
CL31B106KAHNFN (Hello Chip ตัวเก็บประจุ MLCC 1206 3216 10uF 25Vdc ± 10% X7R 125 ) CL31B106KAHNFN - Product Image 3
CL31B106KAHNFN (Hello Chip ตัวเก็บประจุ MLCC 1206 3216 10uF 25Vdc ± 10% X7R 125 ) CL31B106KAHNFN - Product Image 4
CL31B106KAHNFN (Hello Chip ตัวเก็บประจุ MLCC 1206 3216 10uF 25Vdc ± 10% X7R 125 ) CL31B106KAHNFN - Product Image 5
CL31B106KAHNFN (Hello Chip ตัวเก็บประจุ MLCC 1206 3216 10uF 25Vdc ± 10% X7R 125 ) CL31B106KAHNFN - Product Image 6

CL31B106KAHNFN (Hello Chip ตัวเก็บประจุ MLCC 1206 3216 10uF 25Vdc ± 10% X7R 125 ) CL31B106KAHNFN

฿6.67-66.67
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.6/5.0(255)
Taiyo Yuden ตัวเก็บประจุเซรามิก SMD X5R โครงสร้างเสาหิน16V 47F 20% 1206/3216ขนาด-55 + 85 MSASE31LBB5476MTNA01/ - Product Image 1
Taiyo Yuden ตัวเก็บประจุเซรามิก SMD X5R โครงสร้างเสาหิน16V 47F 20% 1206/3216ขนาด-55 + 85 MSASE31LBB5476MTNA01/ - Product Image 2
Taiyo Yuden ตัวเก็บประจุเซรามิก SMD X5R โครงสร้างเสาหิน16V 47F 20% 1206/3216ขนาด-55 + 85 MSASE31LBB5476MTNA01/ - Product Image 3
Taiyo Yuden ตัวเก็บประจุเซรามิก SMD X5R โครงสร้างเสาหิน16V 47F 20% 1206/3216ขนาด-55 + 85 MSASE31LBB5476MTNA01/ - Product Image 4
Taiyo Yuden ตัวเก็บประจุเซรามิก SMD X5R โครงสร้างเสาหิน16V 47F 20% 1206/3216ขนาด-55 + 85 MSASE31LBB5476MTNA01/ - Product Image 5

Taiyo Yuden ตัวเก็บประจุเซรามิก SMD X5R โครงสร้างเสาหิน16V 47F 20% 1206/3216ขนาด-55 + 85 MSASE31LBB5476MTNA01/

฿4,826.71-5,080.05
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 10 ม้วน
CHARMING TECHNOLOGY CO., LTD.
2 yrsTW flagTW5.0/5.0(1)
CL31B226MPK6PN (Hello Chip SMD ตัวเก็บประจุ MLCC 1206 3216 22uF 10Vdc ± 20% X7R 125 AEC-Q200) CL31B226MPK6PN - Product Image 1
CL31B226MPK6PN (Hello Chip SMD ตัวเก็บประจุ MLCC 1206 3216 22uF 10Vdc ± 20% X7R 125 AEC-Q200) CL31B226MPK6PN - Product Image 2
CL31B226MPK6PN (Hello Chip SMD ตัวเก็บประจุ MLCC 1206 3216 22uF 10Vdc ± 20% X7R 125 AEC-Q200) CL31B226MPK6PN - Product Image 3
CL31B226MPK6PN (Hello Chip SMD ตัวเก็บประจุ MLCC 1206 3216 22uF 10Vdc ± 20% X7R 125 AEC-Q200) CL31B226MPK6PN - Product Image 4
CL31B226MPK6PN (Hello Chip SMD ตัวเก็บประจุ MLCC 1206 3216 22uF 10Vdc ± 20% X7R 125 AEC-Q200) CL31B226MPK6PN - Product Image 5
CL31B226MPK6PN (Hello Chip SMD ตัวเก็บประจุ MLCC 1206 3216 22uF 10Vdc ± 20% X7R 125 AEC-Q200) CL31B226MPK6PN - Product Image 6

CL31B226MPK6PN (Hello Chip SMD ตัวเก็บประจุ MLCC 1206 3216 22uF 10Vdc ± 20% X7R 125 AEC-Q200) CL31B226MPK6PN

฿6.67-66.67
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.6/5.0(255)
C42824คาปาซิเตอร์แบบฟิล์มโพรพิลีนป้องกันการรบกวนรุ่น X2 P8 +++++ 0.82uF 310V EMI Suspension - Product Image 1
C42824คาปาซิเตอร์แบบฟิล์มโพรพิลีนป้องกันการรบกวนรุ่น X2 P8 +++++ 0.82uF 310V EMI Suspension - Product Image 2
C42824คาปาซิเตอร์แบบฟิล์มโพรพิลีนป้องกันการรบกวนรุ่น X2 P8 +++++ 0.82uF 310V EMI Suspension - Product Image 3
C42824คาปาซิเตอร์แบบฟิล์มโพรพิลีนป้องกันการรบกวนรุ่น X2 P8 +++++ 0.82uF 310V EMI Suspension - Product Image 4
C42824คาปาซิเตอร์แบบฟิล์มโพรพิลีนป้องกันการรบกวนรุ่น X2 P8 +++++ 0.82uF 310V EMI Suspension - Product Image 5
C42824คาปาซิเตอร์แบบฟิล์มโพรพิลีนป้องกันการรบกวนรุ่น X2 P8 +++++ 0.82uF 310V EMI Suspension - Product Image 6

C42824คาปาซิเตอร์แบบฟิล์มโพรพิลีนป้องกันการรบกวนรุ่น X2 P8 +++++ 0.82uF 310V EMI Suspension

฿12.67
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 2,000 ชิ้น
CHARMING TECHNOLOGY CO., LTD.
2 yrsTW flagTW5.0/5.0(1)
CL21A476MQYN3N (Hello Chip ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง0805 2012 47uF 6.3Vdc ± 20% X5R 85 ) CL21A476MQYN3N - Product Image 1
CL21A476MQYN3N (Hello Chip ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง0805 2012 47uF 6.3Vdc ± 20% X5R 85 ) CL21A476MQYN3N - Product Image 2
CL21A476MQYN3N (Hello Chip ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง0805 2012 47uF 6.3Vdc ± 20% X5R 85 ) CL21A476MQYN3N - Product Image 3
CL21A476MQYN3N (Hello Chip ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง0805 2012 47uF 6.3Vdc ± 20% X5R 85 ) CL21A476MQYN3N - Product Image 4
CL21A476MQYN3N (Hello Chip ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง0805 2012 47uF 6.3Vdc ± 20% X5R 85 ) CL21A476MQYN3N - Product Image 5
CL21A476MQYN3N (Hello Chip ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง0805 2012 47uF 6.3Vdc ± 20% X5R 85 ) CL21A476MQYN3N - Product Image 6

CL21A476MQYN3N (Hello Chip ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง0805 2012 47uF 6.3Vdc ± 20% X5R 85 ) CL21A476MQYN3N

฿6.67-66.67
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.6/5.0(255)

การค้นหาที่เกี่ยวข้อง:

cbb60 50ufcbb61 15ufcbb61capacitor cbb61 3uf 250vac 50 60hzปลา คา ร์ ฟ จักร พร ร ดิ์cbb60cbb60 12uf 450vacปลา คา ร์ ฟ ราคา เท่า ไหร่cbb60 450vac 50 60hz 40 85 21คา ปา ปั๊ม น้ำkondensator cbb60epcosคา ร์ บั้ มcbb61 1ufcbb60 15uf 450vaccbb60 45ufอี แว ป ปอ เร เตอร์cbb60 450vac 50 60hz 40 70 21ปลา คา ร์ ฟ แพ ล ต ติ นั่ มcapacitor cbb 60