All categories
Featured selections
Trade Assurance
Buyer Central
Help Center
Get the app
Become a supplier

Capacitors

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

Taiyo Yuden ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น1210/3225 10UF 50V X7R SMD 10% -55C + UMK325AB7106KM-P MSASU32MAB7106KPNA01 125C - Product Image 1
Taiyo Yuden ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น1210/3225 10UF 50V X7R SMD 10% -55C + UMK325AB7106KM-P MSASU32MAB7106KPNA01 125C - Product Image 2
Taiyo Yuden ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น1210/3225 10UF 50V X7R SMD 10% -55C + UMK325AB7106KM-P MSASU32MAB7106KPNA01 125C - Product Image 3
Taiyo Yuden ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น1210/3225 10UF 50V X7R SMD 10% -55C + UMK325AB7106KM-P MSASU32MAB7106KPNA01 125C - Product Image 4
Taiyo Yuden ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น1210/3225 10UF 50V X7R SMD 10% -55C + UMK325AB7106KM-P MSASU32MAB7106KPNA01 125C - Product Image 5

Taiyo Yuden ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น1210/3225 10UF 50V X7R SMD 10% -55C + UMK325AB7106KM-P MSASU32MAB7106KPNA01 125C

฿1,905.02
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ม้วน
CHARMING TECHNOLOGY CO., LTD.
2 yrsTW flagTW5.0/5.0(1)
Whole -Sale TCC0201COG0R2C500ZT 0201 0603 Capacitors SMD Capacitors 0.2pF 0.25pF 50V C0G - Product Image 1
Whole -Sale TCC0201COG0R2C500ZT 0201 0603 Capacitors SMD Capacitors 0.2pF 0.25pF 50V C0G - Product Image 2
Whole -Sale TCC0201COG0R2C500ZT 0201 0603 Capacitors SMD Capacitors 0.2pF 0.25pF 50V C0G - Product Image 3
Whole -Sale TCC0201COG0R2C500ZT 0201 0603 Capacitors SMD Capacitors 0.2pF 0.25pF 50V C0G - Product Image 4
Whole -Sale TCC0201COG0R2C500ZT 0201 0603 Capacitors SMD Capacitors 0.2pF 0.25pF 50V C0G - Product Image 5
Whole -Sale TCC0201COG0R2C500ZT 0201 0603 Capacitors SMD Capacitors 0.2pF 0.25pF 50V C0G - Product Image 6

Whole -Sale TCC0201COG0R2C500ZT 0201 0603 Capacitors SMD Capacitors 0.2pF 0.25pF 50V C0G

฿0.0334-0.3334
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
CCP INTERNATIONAL TRADE CO., LIMITED
2 yrsHK flagHK4.8/5.0(15)
CL31B226KQKZ4N (สวัสดีชิปตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น1206 3216 22uF 6.3Vdc ± 10% X7R 125 ) CL31B226KQKZ4N - Product Image 1
CL31B226KQKZ4N (สวัสดีชิปตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น1206 3216 22uF 6.3Vdc ± 10% X7R 125 ) CL31B226KQKZ4N - Product Image 2
CL31B226KQKZ4N (สวัสดีชิปตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น1206 3216 22uF 6.3Vdc ± 10% X7R 125 ) CL31B226KQKZ4N - Product Image 3
CL31B226KQKZ4N (สวัสดีชิปตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น1206 3216 22uF 6.3Vdc ± 10% X7R 125 ) CL31B226KQKZ4N - Product Image 4
CL31B226KQKZ4N (สวัสดีชิปตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น1206 3216 22uF 6.3Vdc ± 10% X7R 125 ) CL31B226KQKZ4N - Product Image 5
CL31B226KQKZ4N (สวัสดีชิปตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น1206 3216 22uF 6.3Vdc ± 10% X7R 125 ) CL31B226KQKZ4N - Product Image 6

CL31B226KQKZ4N (สวัสดีชิปตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น1206 3216 22uF 6.3Vdc ± 10% X7R 125 ) CL31B226KQKZ4N

฿6.67-66.67
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.6/5.0(255)
ตัวเก็บประจุฟิล์ม MEB105J63V82CB0235ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5มม. 1uF 5% 63V โพลีเอสเตอร์โลหะ - Product Image 1
ตัวเก็บประจุฟิล์ม MEB105J63V82CB0235ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5มม. 1uF 5% 63V โพลีเอสเตอร์โลหะ - Product Image 2
ตัวเก็บประจุฟิล์ม MEB105J63V82CB0235ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5มม. 1uF 5% 63V โพลีเอสเตอร์โลหะ - Product Image 3
ตัวเก็บประจุฟิล์ม MEB105J63V82CB0235ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5มม. 1uF 5% 63V โพลีเอสเตอร์โลหะ - Product Image 4
ตัวเก็บประจุฟิล์ม MEB105J63V82CB0235ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5มม. 1uF 5% 63V โพลีเอสเตอร์โลหะ - Product Image 5
ตัวเก็บประจุฟิล์ม MEB105J63V82CB0235ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5มม. 1uF 5% 63V โพลีเอสเตอร์โลหะ - Product Image 6

ตัวเก็บประจุฟิล์ม MEB105J63V82CB0235ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5มม. 1uF 5% 63V โพลีเอสเตอร์โลหะ

฿3.67-14.67
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 5 ชิ้น
CCP INTERNATIONAL TRADE CO., LIMITED
2 yrsHK flagHK4.8/5.0(15)
CL21K106KAY6NW (Hello Chip SMD ตัวเก็บประจุ MLCC 0805 2012 10uF 25Vdc ± 10% X7R 125 ) CL21K106KAY6NW - Product Image 1
CL21K106KAY6NW (Hello Chip SMD ตัวเก็บประจุ MLCC 0805 2012 10uF 25Vdc ± 10% X7R 125 ) CL21K106KAY6NW - Product Image 2
CL21K106KAY6NW (Hello Chip SMD ตัวเก็บประจุ MLCC 0805 2012 10uF 25Vdc ± 10% X7R 125 ) CL21K106KAY6NW - Product Image 3
CL21K106KAY6NW (Hello Chip SMD ตัวเก็บประจุ MLCC 0805 2012 10uF 25Vdc ± 10% X7R 125 ) CL21K106KAY6NW - Product Image 4
CL21K106KAY6NW (Hello Chip SMD ตัวเก็บประจุ MLCC 0805 2012 10uF 25Vdc ± 10% X7R 125 ) CL21K106KAY6NW - Product Image 5
CL21K106KAY6NW (Hello Chip SMD ตัวเก็บประจุ MLCC 0805 2012 10uF 25Vdc ± 10% X7R 125 ) CL21K106KAY6NW - Product Image 6

CL21K106KAY6NW (Hello Chip SMD ตัวเก็บประจุ MLCC 0805 2012 10uF 25Vdc ± 10% X7R 125 ) CL21K106KAY6NW

฿6.67-66.67
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.6/5.0(255)
ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพิลีน (CBB) รุ่น C823D153J60C000 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=15 มม. ความจุ 15nF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 2kV - Product Image 1
ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพิลีน (CBB) รุ่น C823D153J60C000 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=15 มม. ความจุ 15nF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 2kV - Product Image 2
ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพิลีน (CBB) รุ่น C823D153J60C000 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=15 มม. ความจุ 15nF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 2kV - Product Image 3
ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพิลีน (CBB) รุ่น C823D153J60C000 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=15 มม. ความจุ 15nF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 2kV - Product Image 4
ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพิลีน (CBB) รุ่น C823D153J60C000 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=15 มม. ความจุ 15nF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 2kV - Product Image 5
ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพิลีน (CBB) รุ่น C823D153J60C000 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=15 มม. ความจุ 15nF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 2kV - Product Image 6

ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพิลีน (CBB) รุ่น C823D153J60C000 แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=15 มม. ความจุ 15nF ความคลาดเคลื่อน 5% แรงดัน 2kV

฿10.01-39.01
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
CCP INTERNATIONAL TRADE CO., LIMITED
2 yrsHK flagHK4.8/5.0(15)
ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นความถี่สูง1206/3216 MSASE31LBB5476MTNA01/EMK316BBJ476ML-T Taiyo Yuden 16V 20% - Product Image 1
ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นความถี่สูง1206/3216 MSASE31LBB5476MTNA01/EMK316BBJ476ML-T Taiyo Yuden 16V 20% - Product Image 2
ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นความถี่สูง1206/3216 MSASE31LBB5476MTNA01/EMK316BBJ476ML-T Taiyo Yuden 16V 20% - Product Image 3
ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นความถี่สูง1206/3216 MSASE31LBB5476MTNA01/EMK316BBJ476ML-T Taiyo Yuden 16V 20% - Product Image 4
ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นความถี่สูง1206/3216 MSASE31LBB5476MTNA01/EMK316BBJ476ML-T Taiyo Yuden 16V 20% - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นความถี่สูง1206/3216 MSASE31LBB5476MTNA01/EMK316BBJ476ML-T Taiyo Yuden 16V 20%

฿4,826.71-5,080.05
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 10 ม้วน
CHARMING TECHNOLOGY CO., LTD.
2 yrsTW flagTW5.0/5.0(1)
CL21A226MOQNNN (ชิปสวัสดีตัวเก็บประจุเซรามิก0805 2012 22uF 16Vdc ± 20% X5R 85 ) CL21A226MOQNNN - Product Image 1
CL21A226MOQNNN (ชิปสวัสดีตัวเก็บประจุเซรามิก0805 2012 22uF 16Vdc ± 20% X5R 85 ) CL21A226MOQNNN - Product Image 2
CL21A226MOQNNN (ชิปสวัสดีตัวเก็บประจุเซรามิก0805 2012 22uF 16Vdc ± 20% X5R 85 ) CL21A226MOQNNN - Product Image 3
CL21A226MOQNNN (ชิปสวัสดีตัวเก็บประจุเซรามิก0805 2012 22uF 16Vdc ± 20% X5R 85 ) CL21A226MOQNNN - Product Image 4
CL21A226MOQNNN (ชิปสวัสดีตัวเก็บประจุเซรามิก0805 2012 22uF 16Vdc ± 20% X5R 85 ) CL21A226MOQNNN - Product Image 5
CL21A226MOQNNN (ชิปสวัสดีตัวเก็บประจุเซรามิก0805 2012 22uF 16Vdc ± 20% X5R 85 ) CL21A226MOQNNN - Product Image 6

CL21A226MOQNNN (ชิปสวัสดีตัวเก็บประจุเซรามิก0805 2012 22uF 16Vdc ± 20% X5R 85 ) CL21A226MOQNNN

฿6.67-66.67
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.6/5.0(255)

การค้นหาที่เกี่ยวข้อง:

cbb60 50ufcbb61 15ufcbb61capacitor cbb61 3uf 250vac 50 60hzปลา คา ร์ ฟ จักร พร ร ดิ์cbb60cbb60 12uf 450vacปลา คา ร์ ฟ ราคา เท่า ไหร่cbb60 450vac 50 60hz 40 85 21คา ปา ปั๊ม น้ำkondensator cbb60epcosคา ร์ บั้ มcbb61 1ufcbb60 15uf 450vaccbb60 45ufอี แว ป ปอ เร เตอร์cbb60 450vac 50 60hz 40 70 21ปลา คา ร์ ฟ แพ ล ต ติ นั่ มcapacitor cbb 60