All categories

Featured selections

Trade Assurance

Buyer Central

Help Center

Get the app

Become a supplier

Capacitors

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

GRM155R71C683KA88D ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) 0402 ( ค่าความจุ: 68nF )( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 16V ) - Product Image 1

GRM155R71C683KA88D ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) 0402 ( ค่าความจุ: 68nF )( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 16V ) - Product Image 2

GRM155R71C683KA88D ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) 0402 ( ค่าความจุ: 68nF )( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 16V ) - Product Image 3

GRM155R71C683KA88D ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) 0402 ( ค่าความจุ: 68nF )( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 16V ) - Product Image 4

GRM155R71C683KA88D ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) 0402 ( ค่าความจุ: 68nF )( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 16V ) - Product Image 5

GRM155R71C683KA88D ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) 0402 ( ค่าความจุ: 68nF )( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 16V ) - Product Image 6

GRM155R71C683KA88D ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) 0402 ( ค่าความจุ: 68nF )( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 16V )

฿0.0634-0.3166

MOQ: 1

HESC5R5224Z-H(Z009) ตัวเก็บประจุซูเปอร์คาปาซิเตอร์ผ่านรู (THT) 0.22F -20% ~ + 80% 5.5V 65Ohm @ 1kHz - Product Image 1

HESC5R5224Z-H(Z009) ตัวเก็บประจุซูเปอร์คาปาซิเตอร์ผ่านรู (THT) 0.22F -20% ~ + 80% 5.5V 65Ohm @ 1kHz - Product Image 2

HESC5R5224Z-H(Z009) ตัวเก็บประจุซูเปอร์คาปาซิเตอร์ผ่านรู (THT) 0.22F -20% ~ + 80% 5.5V 65Ohm @ 1kHz - Product Image 3

HESC5R5224Z-H(Z009) ตัวเก็บประจุซูเปอร์คาปาซิเตอร์ผ่านรู (THT) 0.22F -20% ~ + 80% 5.5V 65Ohm @ 1kHz - Product Image 4

HESC5R5224Z-H(Z009) ตัวเก็บประจุซูเปอร์คาปาซิเตอร์ผ่านรู (THT) 0.22F -20% ~ + 80% 5.5V 65Ohm @ 1kHz - Product Image 5

HESC5R5224Z-H(Z009) ตัวเก็บประจุซูเปอร์คาปาซิเตอร์ผ่านรู (THT) 0.22F -20% ~ + 80% 5.5V 65Ohm @ 1kHz - Product Image 6

HESC5R5224Z-H(Z009) ตัวเก็บประจุซูเปอร์คาปาซิเตอร์ผ่านรู (THT) 0.22F -20% ~ + 80% 5.5V 65Ohm @ 1kHz

฿0.3166-1.59

MOQ: 1

GRM188B30J475KE18D ตัวเก็บประจุ SMD (MLCC) 0603 (ความจุ: 4.7UF) (ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้า: 6.3V) - Product Image 1

GRM188B30J475KE18D ตัวเก็บประจุ SMD (MLCC) 0603 (ความจุ: 4.7UF) (ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้า: 6.3V) - Product Image 2

GRM188B30J475KE18D ตัวเก็บประจุ SMD (MLCC) 0603 (ความจุ: 4.7UF) (ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้า: 6.3V) - Product Image 3

GRM188B30J475KE18D ตัวเก็บประจุ SMD (MLCC) 0603 (ความจุ: 4.7UF) (ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้า: 6.3V) - Product Image 4

GRM188B30J475KE18D ตัวเก็บประจุ SMD (MLCC) 0603 (ความจุ: 4.7UF) (ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้า: 6.3V) - Product Image 5

GRM188B30J475KE18D ตัวเก็บประจุ SMD (MLCC) 0603 (ความจุ: 4.7UF) (ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้า: 6.3V) - Product Image 6

GRM188B30J475KE18D ตัวเก็บประจุ SMD (MLCC) 0603 (ความจุ: 4.7UF) (ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้า: 6.3V)

฿0.3166-0.9498

MOQ: 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC1H330KC1EDUJ4B1100 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5.08 มม. 33pF 10% 50V 5.08 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC1H330KC1EDUJ4B1100 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5.08 มม. 33pF 10% 50V 5.08 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC1H330KC1EDUJ4B1100 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5.08 มม. 33pF 10% 50V 5.08 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC1H330KC1EDUJ4B1100 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5.08 มม. 33pF 10% 50V 5.08 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC1H330KC1EDUJ4B1100 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5.08 มม. 33pF 10% 50V 5.08 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC1H330KC1EDUJ4B1100 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5.08 มม. 33pF 10% 50V 5.08 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC1H330KC1EDUJ4B1100 ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5.08 มม. 33pF 10% 50V 5.08 มม.

฿0.3166-0.9498

MOQ: 50

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น HV0805X7R333K101NT ขนาด 0805 ( ค่าความจุ: 33nF ) ( แรงดันไฟฟ้า: 100V ) - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น HV0805X7R333K101NT ขนาด 0805 ( ค่าความจุ: 33nF ) ( แรงดันไฟฟ้า: 100V ) - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น HV0805X7R333K101NT ขนาด 0805 ( ค่าความจุ: 33nF ) ( แรงดันไฟฟ้า: 100V ) - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น HV0805X7R333K101NT ขนาด 0805 ( ค่าความจุ: 33nF ) ( แรงดันไฟฟ้า: 100V ) - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น HV0805X7R333K101NT ขนาด 0805 ( ค่าความจุ: 33nF ) ( แรงดันไฟฟ้า: 100V ) - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น HV0805X7R333K101NT ขนาด 0805 ( ค่าความจุ: 33nF ) ( แรงดันไฟฟ้า: 100V ) - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น HV0805X7R333K101NT ขนาด 0805 ( ค่าความจุ: 33nF ) ( แรงดันไฟฟ้า: 100V )

฿0.3166-1.59

MOQ: 1

ตัวเก็บประจุโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะแบบฟิล์ม MKP แรงดันสูง ความสูญเสียต่ำ รุ่น FKP2F011001D00HO00 A156 - Product Image 1

ตัวเก็บประจุโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะแบบฟิล์ม MKP แรงดันสูง ความสูญเสียต่ำ รุ่น FKP2F011001D00HO00 A156 - Product Image 2

ตัวเก็บประจุโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะแบบฟิล์ม MKP แรงดันสูง ความสูญเสียต่ำ รุ่น FKP2F011001D00HO00 A156 - Product Image 3

ตัวเก็บประจุโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะแบบฟิล์ม MKP แรงดันสูง ความสูญเสียต่ำ รุ่น FKP2F011001D00HO00 A156 - Product Image 4

ตัวเก็บประจุโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะแบบฟิล์ม MKP แรงดันสูง ความสูญเสียต่ำ รุ่น FKP2F011001D00HO00 A156 - Product Image 5

ตัวเก็บประจุโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะแบบฟิล์ม MKP แรงดันสูง ความสูญเสียต่ำ รุ่น FKP2F011001D00HO00 A156 - Product Image 6

ตัวเก็บประจุโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะแบบฟิล์ม MKP แรงดันสูง ความสูญเสียต่ำ รุ่น FKP2F011001D00HO00 A156

฿1.59-28.50

MOQ: 1

ตัวเก็บประจุหลัก SC 5R5 155 V ตัวเก็บประจุผ่านรู (THT) 1.5F 20% ~ + 80% 5.5V 15Ohm @ 1kHz - Product Image 1

ตัวเก็บประจุหลัก SC 5R5 155 V ตัวเก็บประจุผ่านรู (THT) 1.5F 20% ~ + 80% 5.5V 15Ohm @ 1kHz - Product Image 2

ตัวเก็บประจุหลัก SC 5R5 155 V ตัวเก็บประจุผ่านรู (THT) 1.5F 20% ~ + 80% 5.5V 15Ohm @ 1kHz - Product Image 3

ตัวเก็บประจุหลัก SC 5R5 155 V ตัวเก็บประจุผ่านรู (THT) 1.5F 20% ~ + 80% 5.5V 15Ohm @ 1kHz - Product Image 4

ตัวเก็บประจุหลัก SC 5R5 155 V ตัวเก็บประจุผ่านรู (THT) 1.5F 20% ~ + 80% 5.5V 15Ohm @ 1kHz - Product Image 5

ตัวเก็บประจุหลัก SC 5R5 155 V ตัวเก็บประจุผ่านรู (THT) 1.5F 20% ~ + 80% 5.5V 15Ohm @ 1kHz - Product Image 6

ตัวเก็บประจุหลัก SC 5R5 155 V ตัวเก็บประจุผ่านรู (THT) 1.5F 20% ~ + 80% 5.5V 15Ohm @ 1kHz

฿0.3166-1.59

MOQ: 1

ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะแรงดันสูงสูญเสียต่ำ FKP2F011001D00 รุ่น FKP2F011001D00JN00 A160 - Product Image 1

ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะแรงดันสูงสูญเสียต่ำ FKP2F011001D00 รุ่น FKP2F011001D00JN00 A160 - Product Image 2

ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะแรงดันสูงสูญเสียต่ำ FKP2F011001D00 รุ่น FKP2F011001D00JN00 A160 - Product Image 3

ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะแรงดันสูงสูญเสียต่ำ FKP2F011001D00 รุ่น FKP2F011001D00JN00 A160 - Product Image 4

ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะแรงดันสูงสูญเสียต่ำ FKP2F011001D00 รุ่น FKP2F011001D00JN00 A160 - Product Image 5

ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะแรงดันสูงสูญเสียต่ำ FKP2F011001D00 รุ่น FKP2F011001D00JN00 A160 - Product Image 6

ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะแรงดันสูงสูญเสียต่ำ FKP2F011001D00 รุ่น FKP2F011001D00JN00 A160

฿1.59-28.50

MOQ: 1