All categories
Featured selections
Trade Assurance
Buyer Central
Help Center
Get the app
Become a supplier

Capacitors

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

ตัวเก็บประจุด้วยไฟฟ้าชนิดอลูมิเนียมชนิด400V 450V 500V 6800uF 8200uF 10000uF 12000uF 5600uF 3300uF - Product Image 1
ตัวเก็บประจุด้วยไฟฟ้าชนิดอลูมิเนียมชนิด400V 450V 500V 6800uF 8200uF 10000uF 12000uF 5600uF 3300uF - Product Image 2
ตัวเก็บประจุด้วยไฟฟ้าชนิดอลูมิเนียมชนิด400V 450V 500V 6800uF 8200uF 10000uF 12000uF 5600uF 3300uF - Product Image 3
ตัวเก็บประจุด้วยไฟฟ้าชนิดอลูมิเนียมชนิด400V 450V 500V 6800uF 8200uF 10000uF 12000uF 5600uF 3300uF - Product Image 4
ตัวเก็บประจุด้วยไฟฟ้าชนิดอลูมิเนียมชนิด400V 450V 500V 6800uF 8200uF 10000uF 12000uF 5600uF 3300uF - Product Image 5
ตัวเก็บประจุด้วยไฟฟ้าชนิดอลูมิเนียมชนิด400V 450V 500V 6800uF 8200uF 10000uF 12000uF 5600uF 3300uF - Product Image 6

ตัวเก็บประจุด้วยไฟฟ้าชนิดอลูมิเนียมชนิด400V 450V 500V 6800uF 8200uF 10000uF 12000uF 5600uF 3300uF

฿144.51-181.72
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
CCP INTERNATIONAL TRADE CO., LIMITED
2 yrsHK flagHK4.8/5.0(15)
C3216X6S0J226M160AB (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 1206 22 F 6.3V ± 20% X6S -55ถึง105 C 22uF C3216X6S0J226M160AB - Product Image 1
C3216X6S0J226M160AB (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 1206 22 F 6.3V ± 20% X6S -55ถึง105 C 22uF C3216X6S0J226M160AB - Product Image 2
C3216X6S0J226M160AB (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 1206 22 F 6.3V ± 20% X6S -55ถึง105 C 22uF C3216X6S0J226M160AB - Product Image 3
C3216X6S0J226M160AB (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 1206 22 F 6.3V ± 20% X6S -55ถึง105 C 22uF C3216X6S0J226M160AB - Product Image 4
C3216X6S0J226M160AB (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 1206 22 F 6.3V ± 20% X6S -55ถึง105 C 22uF C3216X6S0J226M160AB - Product Image 5
C3216X6S0J226M160AB (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 1206 22 F 6.3V ± 20% X6S -55ถึง105 C 22uF C3216X6S0J226M160AB - Product Image 6

C3216X6S0J226M160AB (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 1206 22 F 6.3V ± 20% X6S -55ถึง105 C 22uF C3216X6S0J226M160AB

฿16.77-67.06
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.6/5.0(258)
GCM32EL8EH106KA07ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์ (CHY) 10 F 50Vdc ± 10% X8L 150 AEC-Q200 10uF GCM32EL8EH106KA07 - Product Image 1
GCM32EL8EH106KA07ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์ (CHY) 10 F 50Vdc ± 10% X8L 150 AEC-Q200 10uF GCM32EL8EH106KA07 - Product Image 2
GCM32EL8EH106KA07ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์ (CHY) 10 F 50Vdc ± 10% X8L 150 AEC-Q200 10uF GCM32EL8EH106KA07 - Product Image 3
GCM32EL8EH106KA07ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์ (CHY) 10 F 50Vdc ± 10% X8L 150 AEC-Q200 10uF GCM32EL8EH106KA07 - Product Image 4
GCM32EL8EH106KA07ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์ (CHY) 10 F 50Vdc ± 10% X8L 150 AEC-Q200 10uF GCM32EL8EH106KA07 - Product Image 5
GCM32EL8EH106KA07ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์ (CHY) 10 F 50Vdc ± 10% X8L 150 AEC-Q200 10uF GCM32EL8EH106KA07 - Product Image 6

GCM32EL8EH106KA07ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์ (CHY) 10 F 50Vdc ± 10% X8L 150 AEC-Q200 10uF GCM32EL8EH106KA07

฿16.77-67.06
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.6/5.0(258)
CKG57NX7S1C107M500JJ (ตัวเก็บประจุเซรามิก SMD) 2220 100 F 16V ± 20% X7S -55ถึง125 C AEC-Q200 CKG57NX7S1C107M500JJ 100uF - Product Image 1
CKG57NX7S1C107M500JJ (ตัวเก็บประจุเซรามิก SMD) 2220 100 F 16V ± 20% X7S -55ถึง125 C AEC-Q200 CKG57NX7S1C107M500JJ 100uF - Product Image 2
CKG57NX7S1C107M500JJ (ตัวเก็บประจุเซรามิก SMD) 2220 100 F 16V ± 20% X7S -55ถึง125 C AEC-Q200 CKG57NX7S1C107M500JJ 100uF - Product Image 3
CKG57NX7S1C107M500JJ (ตัวเก็บประจุเซรามิก SMD) 2220 100 F 16V ± 20% X7S -55ถึง125 C AEC-Q200 CKG57NX7S1C107M500JJ 100uF - Product Image 4
CKG57NX7S1C107M500JJ (ตัวเก็บประจุเซรามิก SMD) 2220 100 F 16V ± 20% X7S -55ถึง125 C AEC-Q200 CKG57NX7S1C107M500JJ 100uF - Product Image 5
CKG57NX7S1C107M500JJ (ตัวเก็บประจุเซรามิก SMD) 2220 100 F 16V ± 20% X7S -55ถึง125 C AEC-Q200 CKG57NX7S1C107M500JJ 100uF - Product Image 6

CKG57NX7S1C107M500JJ (ตัวเก็บประจุเซรามิก SMD) 2220 100 F 16V ± 20% X7S -55ถึง125 C AEC-Q200 CKG57NX7S1C107M500JJ 100uF

฿16.77-67.06
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.6/5.0(258)
NFM18TC106D0J3 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 0603 10 F 6.3Vdc ±20% 125 AEC-Q200 10uF NFM18TC106D0J3 - Product Image 1
NFM18TC106D0J3 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 0603 10 F 6.3Vdc ±20% 125 AEC-Q200 10uF NFM18TC106D0J3 - Product Image 2
NFM18TC106D0J3 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 0603 10 F 6.3Vdc ±20% 125 AEC-Q200 10uF NFM18TC106D0J3 - Product Image 3
NFM18TC106D0J3 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 0603 10 F 6.3Vdc ±20% 125 AEC-Q200 10uF NFM18TC106D0J3 - Product Image 4
NFM18TC106D0J3 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 0603 10 F 6.3Vdc ±20% 125 AEC-Q200 10uF NFM18TC106D0J3 - Product Image 5
NFM18TC106D0J3 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 0603 10 F 6.3Vdc ±20% 125 AEC-Q200 10uF NFM18TC106D0J3 - Product Image 6

NFM18TC106D0J3 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 0603 10 F 6.3Vdc ±20% 125 AEC-Q200 10uF NFM18TC106D0J3

฿16.77-67.06
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.6/5.0(258)
C3225X8R1C106M สำหรับอุปกรณ์อัตโนมัติ (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD) 1210 10 F 16V ±20% X8R -55 ถึง 150 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA6P3X8R1C106M250AE - Product Image 1
C3225X8R1C106M สำหรับอุปกรณ์อัตโนมัติ (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD) 1210 10 F 16V ±20% X8R -55 ถึง 150 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA6P3X8R1C106M250AE - Product Image 2
C3225X8R1C106M สำหรับอุปกรณ์อัตโนมัติ (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD) 1210 10 F 16V ±20% X8R -55 ถึง 150 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA6P3X8R1C106M250AE - Product Image 3
C3225X8R1C106M สำหรับอุปกรณ์อัตโนมัติ (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD) 1210 10 F 16V ±20% X8R -55 ถึง 150 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA6P3X8R1C106M250AE - Product Image 4
C3225X8R1C106M สำหรับอุปกรณ์อัตโนมัติ (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD) 1210 10 F 16V ±20% X8R -55 ถึง 150 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA6P3X8R1C106M250AE - Product Image 5
C3225X8R1C106M สำหรับอุปกรณ์อัตโนมัติ (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD) 1210 10 F 16V ±20% X8R -55 ถึง 150 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA6P3X8R1C106M250AE - Product Image 6

C3225X8R1C106M สำหรับอุปกรณ์อัตโนมัติ (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD) 1210 10 F 16V ±20% X8R -55 ถึง 150 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA6P3X8R1C106M250AE

฿16.77-67.06
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.6/5.0(258)
GCM188D70E226ME36(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 0603 22 F ± 2.5Vdc 20% X7T 125 AEC-Q200 22uF GCM188D70E226ME36 - Product Image 1
GCM188D70E226ME36(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 0603 22 F ± 2.5Vdc 20% X7T 125 AEC-Q200 22uF GCM188D70E226ME36 - Product Image 2
GCM188D70E226ME36(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 0603 22 F ± 2.5Vdc 20% X7T 125 AEC-Q200 22uF GCM188D70E226ME36 - Product Image 3
GCM188D70E226ME36(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 0603 22 F ± 2.5Vdc 20% X7T 125 AEC-Q200 22uF GCM188D70E226ME36 - Product Image 4
GCM188D70E226ME36(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 0603 22 F ± 2.5Vdc 20% X7T 125 AEC-Q200 22uF GCM188D70E226ME36 - Product Image 5
GCM188D70E226ME36(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 0603 22 F ± 2.5Vdc 20% X7T 125 AEC-Q200 22uF GCM188D70E226ME36 - Product Image 6

GCM188D70E226ME36(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 0603 22 F ± 2.5Vdc 20% X7T 125 AEC-Q200 22uF GCM188D70E226ME36

฿16.77-67.06
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.6/5.0(258)
RFS-63V221MJ7 # ชิปคาปาซิเตอร์ RFS-63V221 แบบ SMD ชิ้นส่วนแบบพาสซีฟ วงจรรวม RFS-63V221MJ7 # - Product Image 1
RFS-63V221MJ7 # ชิปคาปาซิเตอร์ RFS-63V221 แบบ SMD ชิ้นส่วนแบบพาสซีฟ วงจรรวม RFS-63V221MJ7 # - Product Image 2
RFS-63V221MJ7 # ชิปคาปาซิเตอร์ RFS-63V221 แบบ SMD ชิ้นส่วนแบบพาสซีฟ วงจรรวม RFS-63V221MJ7 # - Product Image 3
RFS-63V221MJ7 # ชิปคาปาซิเตอร์ RFS-63V221 แบบ SMD ชิ้นส่วนแบบพาสซีฟ วงจรรวม RFS-63V221MJ7 # - Product Image 4
RFS-63V221MJ7 # ชิปคาปาซิเตอร์ RFS-63V221 แบบ SMD ชิ้นส่วนแบบพาสซีฟ วงจรรวม RFS-63V221MJ7 # - Product Image 5
RFS-63V221MJ7 # ชิปคาปาซิเตอร์ RFS-63V221 แบบ SMD ชิ้นส่วนแบบพาสซีฟ วงจรรวม RFS-63V221MJ7 # - Product Image 6

RFS-63V221MJ7 # ชิปคาปาซิเตอร์ RFS-63V221 แบบ SMD ชิ้นส่วนแบบพาสซีฟ วงจรรวม RFS-63V221MJ7 #

฿16.77-83.82
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.6/5.0(258)

การค้นหาที่เกี่ยวข้อง:

cbb60 50ufcbb61 15ufcbb61capacitor cbb61 3uf 250vac 50 60hzปลา คา ร์ ฟ จักร พร ร ดิ์cbb60cbb60 12uf 450vacปลา คา ร์ ฟ ราคา เท่า ไหร่cbb60 450vac 50 60hz 40 85 21คา ปา ปั๊ม น้ำkondensator cbb60epcosคา ร์ บั้ มcbb61 1ufcbb60 15uf 450vaccbb60 45ufอี แว ป ปอ เร เตอร์cbb60 450vac 50 60hz 40 70 21ปลา คา ร์ ฟ แพ ล ต ติ นั่ มcapacitor cbb 60