All categories

Featured selections

Trade Assurance

Buyer Central

Help Center

Get the app

Become a supplier

Capacitors

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

ตัวเก็บประจุฟิล์ม B32529D1105J000ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5มม. 1uF 5% 100V โพลีเอสเตอร์โลหะ - Product Image 1

ตัวเก็บประจุฟิล์ม B32529D1105J000ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5มม. 1uF 5% 100V โพลีเอสเตอร์โลหะ - Product Image 2

ตัวเก็บประจุฟิล์ม B32529D1105J000ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5มม. 1uF 5% 100V โพลีเอสเตอร์โลหะ - Product Image 3

ตัวเก็บประจุฟิล์ม B32529D1105J000ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5มม. 1uF 5% 100V โพลีเอสเตอร์โลหะ - Product Image 4

ตัวเก็บประจุฟิล์ม B32529D1105J000ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5มม. 1uF 5% 100V โพลีเอสเตอร์โลหะ - Product Image 5

ตัวเก็บประจุฟิล์ม B32529D1105J000ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5มม. 1uF 5% 100V โพลีเอสเตอร์โลหะ - Product Image 6

ตัวเก็บประจุฟิล์ม B32529D1105J000ผ่านชิ้นส่วนรู (THT),P = 5มม. 1uF 5% 100V โพลีเอสเตอร์โลหะ

฿14.10-55.41

MOQ: 1

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม ER4067 แบบ Through-hole (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 220nF 10% แรงดัน 400V โพลีเอสเตอร์เคลือบโลหะ - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม ER4067 แบบ Through-hole (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 220nF 10% แรงดัน 400V โพลีเอสเตอร์เคลือบโลหะ - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม ER4067 แบบ Through-hole (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 220nF 10% แรงดัน 400V โพลีเอสเตอร์เคลือบโลหะ - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม ER4067 แบบ Through-hole (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 220nF 10% แรงดัน 400V โพลีเอสเตอร์เคลือบโลหะ - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม ER4067 แบบ Through-hole (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 220nF 10% แรงดัน 400V โพลีเอสเตอร์เคลือบโลหะ - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม ER4067 แบบ Through-hole (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 220nF 10% แรงดัน 400V โพลีเอสเตอร์เคลือบโลหะ - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม ER4067 แบบ Through-hole (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 220nF 10% แรงดัน 400V โพลีเอสเตอร์เคลือบโลหะ

฿1.93-7.69

MOQ: 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบเจาะรู (THT) รุ่น S07S1E270KN0B0S0N0 ระยะขา P=7.5 มม. 27pF 10% 3kV 7.5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบเจาะรู (THT) รุ่น S07S1E270KN0B0S0N0 ระยะขา P=7.5 มม. 27pF 10% 3kV 7.5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบเจาะรู (THT) รุ่น S07S1E270KN0B0S0N0 ระยะขา P=7.5 มม. 27pF 10% 3kV 7.5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบเจาะรู (THT) รุ่น S07S1E270KN0B0S0N0 ระยะขา P=7.5 มม. 27pF 10% 3kV 7.5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบเจาะรู (THT) รุ่น S07S1E270KN0B0S0N0 ระยะขา P=7.5 มม. 27pF 10% 3kV 7.5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบเจาะรู (THT) รุ่น S07S1E270KN0B0S0N0 ระยะขา P=7.5 มม. 27pF 10% 3kV 7.5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบเจาะรู (THT) รุ่น S07S1E270KN0B0S0N0 ระยะขา P=7.5 มม. 27pF 10% 3kV 7.5 มม.

฿0.9608-3.53

MOQ: 10

ตัวเก็บประจุฟิล์ม C212G104K4AY350ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) P = 10มม. 100nF 10% 400V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 1

ตัวเก็บประจุฟิล์ม C212G104K4AY350ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) P = 10มม. 100nF 10% 400V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 2

ตัวเก็บประจุฟิล์ม C212G104K4AY350ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) P = 10มม. 100nF 10% 400V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 3

ตัวเก็บประจุฟิล์ม C212G104K4AY350ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) P = 10มม. 100nF 10% 400V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 4

ตัวเก็บประจุฟิล์ม C212G104K4AY350ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) P = 10มม. 100nF 10% 400V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 5

ตัวเก็บประจุฟิล์ม C212G104K4AY350ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) P = 10มม. 100nF 10% 400V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ - Product Image 6

ตัวเก็บประจุฟิล์ม C212G104K4AY350ผ่านชิ้นส่วนรู (THT) P = 10มม. 100nF 10% 400V โพลีเอสเตอร์ที่เป็นโลหะ

฿2.25-8.65

MOQ: 5

TAJD686M020RNJ ตัวเก็บประจุแทนทาลัม 2917 ( ความจุ: 68uF )( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 20V ) - Product Image 1

TAJD686M020RNJ ตัวเก็บประจุแทนทาลัม 2917 ( ความจุ: 68uF )( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 20V ) - Product Image 2

TAJD686M020RNJ ตัวเก็บประจุแทนทาลัม 2917 ( ความจุ: 68uF )( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 20V ) - Product Image 3

TAJD686M020RNJ ตัวเก็บประจุแทนทาลัม 2917 ( ความจุ: 68uF )( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 20V ) - Product Image 4

TAJD686M020RNJ ตัวเก็บประจุแทนทาลัม 2917 ( ความจุ: 68uF )( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 20V ) - Product Image 5

TAJD686M020RNJ ตัวเก็บประจุแทนทาลัม 2917 ( ความจุ: 68uF )( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 20V ) - Product Image 6

TAJD686M020RNJ ตัวเก็บประจุแทนทาลัม 2917 ( ความจุ: 68uF )( ความแม่นยำ: 20% แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 20V )

฿18.90-71.42

MOQ: 10

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม L22S683JJ135095085050EOY แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 68nF 5% 450V โพลีเอสเตอร์เคลือบโลหะ - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม L22S683JJ135095085050EOY แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 68nF 5% 450V โพลีเอสเตอร์เคลือบโลหะ - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม L22S683JJ135095085050EOY แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 68nF 5% 450V โพลีเอสเตอร์เคลือบโลหะ - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม L22S683JJ135095085050EOY แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 68nF 5% 450V โพลีเอสเตอร์เคลือบโลหะ - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม L22S683JJ135095085050EOY แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 68nF 5% 450V โพลีเอสเตอร์เคลือบโลหะ - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม L22S683JJ135095085050EOY แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 68nF 5% 450V โพลีเอสเตอร์เคลือบโลหะ - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบฟิล์ม L22S683JJ135095085050EOY แบบ Through hole (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 68nF 5% 450V โพลีเอสเตอร์เคลือบโลหะ

฿0.9608-4.17

MOQ: 10

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม 293D477X96R3E2TE3 รุ่น 2917 ( ความจุ: 470uF )( ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 6.3V - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม 293D477X96R3E2TE3 รุ่น 2917 ( ความจุ: 470uF )( ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 6.3V - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม 293D477X96R3E2TE3 รุ่น 2917 ( ความจุ: 470uF )( ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 6.3V - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม 293D477X96R3E2TE3 รุ่น 2917 ( ความจุ: 470uF )( ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 6.3V - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม 293D477X96R3E2TE3 รุ่น 2917 ( ความจุ: 470uF )( ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 6.3V - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม 293D477X96R3E2TE3 รุ่น 2917 ( ความจุ: 470uF )( ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 6.3V - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแทนทาลัม 293D477X96R3E2TE3 รุ่น 2917 ( ความจุ: 470uF )( ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด: 6.3V

฿36.51-133.23

MOQ: 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น 615R150GAD25 ชนิด Through-Hole Component (THT) ความจุ 2.5nF ค่าความคลาดเคลื่อน ±20%~+80% แรงดัน 15kV ขนาด 19.1 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น 615R150GAD25 ชนิด Through-Hole Component (THT) ความจุ 2.5nF ค่าความคลาดเคลื่อน ±20%~+80% แรงดัน 15kV ขนาด 19.1 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น 615R150GAD25 ชนิด Through-Hole Component (THT) ความจุ 2.5nF ค่าความคลาดเคลื่อน ±20%~+80% แรงดัน 15kV ขนาด 19.1 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น 615R150GAD25 ชนิด Through-Hole Component (THT) ความจุ 2.5nF ค่าความคลาดเคลื่อน ±20%~+80% แรงดัน 15kV ขนาด 19.1 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น 615R150GAD25 ชนิด Through-Hole Component (THT) ความจุ 2.5nF ค่าความคลาดเคลื่อน ±20%~+80% แรงดัน 15kV ขนาด 19.1 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น 615R150GAD25 ชนิด Through-Hole Component (THT) ความจุ 2.5nF ค่าความคลาดเคลื่อน ±20%~+80% แรงดัน 15kV ขนาด 19.1 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น 615R150GAD25 ชนิด Through-Hole Component (THT) ความจุ 2.5nF ค่าความคลาดเคลื่อน ±20%~+80% แรงดัน 15kV ขนาด 19.1 มม.

฿308.10-952.15

MOQ: 1