All categories
Featured selections
Trade Assurance
Buyer Central
Help Center
Get the app
Become a supplier

Capacitors

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

ตัวเก็บประจุโพลีโพรพิลีนของแท้ใหม่เอี่ยม รุ่น 416334464 สำหรับมอเตอร์ 20uF 400VAC ขนาด Ø40x98 มม. ±5% - Product Image 1
ตัวเก็บประจุโพลีโพรพิลีนของแท้ใหม่เอี่ยม รุ่น 416334464 สำหรับมอเตอร์ 20uF 400VAC ขนาด Ø40x98 มม. ±5% - Product Image 2
ตัวเก็บประจุโพลีโพรพิลีนของแท้ใหม่เอี่ยม รุ่น 416334464 สำหรับมอเตอร์ 20uF 400VAC ขนาด Ø40x98 มม. ±5% - Product Image 3
ตัวเก็บประจุโพลีโพรพิลีนของแท้ใหม่เอี่ยม รุ่น 416334464 สำหรับมอเตอร์ 20uF 400VAC ขนาด Ø40x98 มม. ±5% - Product Image 4
ตัวเก็บประจุโพลีโพรพิลีนของแท้ใหม่เอี่ยม รุ่น 416334464 สำหรับมอเตอร์ 20uF 400VAC ขนาด Ø40x98 มม. ±5% - Product Image 5

ตัวเก็บประจุโพลีโพรพิลีนของแท้ใหม่เอี่ยม รุ่น 416334464 สำหรับมอเตอร์ 20uF 400VAC ขนาด Ø40x98 มม. ±5%

฿1,573.88
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 หน่วย
HK STORY ENTERPRISE LIMITED
1 yrsHK flagHK4.7/5.0(22)
GRM31CB30J476ME18(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 1206 47 F ± 6.3Vdc 20% B 85 47uF GRM31CB30J476ME18 - Product Image 1
GRM31CB30J476ME18(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 1206 47 F ± 6.3Vdc 20% B 85 47uF GRM31CB30J476ME18 - Product Image 2
GRM31CB30J476ME18(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 1206 47 F ± 6.3Vdc 20% B 85 47uF GRM31CB30J476ME18 - Product Image 3
GRM31CB30J476ME18(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 1206 47 F ± 6.3Vdc 20% B 85 47uF GRM31CB30J476ME18 - Product Image 4
GRM31CB30J476ME18(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 1206 47 F ± 6.3Vdc 20% B 85 47uF GRM31CB30J476ME18 - Product Image 5
GRM31CB30J476ME18(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 1206 47 F ± 6.3Vdc 20% B 85 47uF GRM31CB30J476ME18 - Product Image 6

GRM31CB30J476ME18(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 1206 47 F ± 6.3Vdc 20% B 85 47uF GRM31CB30J476ME18

฿6.70-66.98
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.6/5.0(269)
ตัวเก็บประจุแบบอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Snap-in รุ่น CD294390UF500V173 ชนิด Through hole (THT) ขนาด D30xL50 มม. 390uF 20% 500V 10 มม. - Product Image 1
ตัวเก็บประจุแบบอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Snap-in รุ่น CD294390UF500V173 ชนิด Through hole (THT) ขนาด D30xL50 มม. 390uF 20% 500V 10 มม. - Product Image 2
ตัวเก็บประจุแบบอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Snap-in รุ่น CD294390UF500V173 ชนิด Through hole (THT) ขนาด D30xL50 มม. 390uF 20% 500V 10 มม. - Product Image 3
ตัวเก็บประจุแบบอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Snap-in รุ่น CD294390UF500V173 ชนิด Through hole (THT) ขนาด D30xL50 มม. 390uF 20% 500V 10 มม. - Product Image 4
ตัวเก็บประจุแบบอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Snap-in รุ่น CD294390UF500V173 ชนิด Through hole (THT) ขนาด D30xL50 มม. 390uF 20% 500V 10 มม. - Product Image 5
ตัวเก็บประจุแบบอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Snap-in รุ่น CD294390UF500V173 ชนิด Through hole (THT) ขนาด D30xL50 มม. 390uF 20% 500V 10 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Snap-in รุ่น CD294390UF500V173 ชนิด Through hole (THT) ขนาด D30xL50 มม. 390uF 20% 500V 10 มม.

฿94.77-333.53
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
CCP INTERNATIONAL TRADE CO., LIMITED
2 yrsHK flagHK4.8/5.0(15)
Ducati Energy 500uF 330V 600V ppmh 4.16.84.3991ตัวเก็บประจุแบบใหม่ดั้งเดิม - Product Image 1
Ducati Energy 500uF 330V 600V ppmh 4.16.84.3991ตัวเก็บประจุแบบใหม่ดั้งเดิม - Product Image 2
Ducati Energy 500uF 330V 600V ppmh 4.16.84.3991ตัวเก็บประจุแบบใหม่ดั้งเดิม - Product Image 3

Ducati Energy 500uF 330V 600V ppmh 4.16.84.3991ตัวเก็บประจุแบบใหม่ดั้งเดิม

฿5,190.43
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 หน่วย
HK STORY ENTERPRISE LIMITED
1 yrsHK flagHK4.7/5.0(22)
C3216X6S0J226M160AB (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 1206 22 F 6.3V ± 20% X6S -55ถึง105 C 22uF C3216X6S0J226M160AB - Product Image 1
C3216X6S0J226M160AB (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 1206 22 F 6.3V ± 20% X6S -55ถึง105 C 22uF C3216X6S0J226M160AB - Product Image 2
C3216X6S0J226M160AB (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 1206 22 F 6.3V ± 20% X6S -55ถึง105 C 22uF C3216X6S0J226M160AB - Product Image 3
C3216X6S0J226M160AB (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 1206 22 F 6.3V ± 20% X6S -55ถึง105 C 22uF C3216X6S0J226M160AB - Product Image 4
C3216X6S0J226M160AB (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 1206 22 F 6.3V ± 20% X6S -55ถึง105 C 22uF C3216X6S0J226M160AB - Product Image 5
C3216X6S0J226M160AB (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 1206 22 F 6.3V ± 20% X6S -55ถึง105 C 22uF C3216X6S0J226M160AB - Product Image 6

C3216X6S0J226M160AB (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 1206 22 F 6.3V ± 20% X6S -55ถึง105 C 22uF C3216X6S0J226M160AB

฿16.75-66.98
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.6/5.0(269)
GCM32EL8EH106KA07ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์ (CHY) 10 F 50Vdc ± 10% X8L 150 AEC-Q200 10uF GCM32EL8EH106KA07 - Product Image 1
GCM32EL8EH106KA07ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์ (CHY) 10 F 50Vdc ± 10% X8L 150 AEC-Q200 10uF GCM32EL8EH106KA07 - Product Image 2
GCM32EL8EH106KA07ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์ (CHY) 10 F 50Vdc ± 10% X8L 150 AEC-Q200 10uF GCM32EL8EH106KA07 - Product Image 3
GCM32EL8EH106KA07ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์ (CHY) 10 F 50Vdc ± 10% X8L 150 AEC-Q200 10uF GCM32EL8EH106KA07 - Product Image 4
GCM32EL8EH106KA07ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์ (CHY) 10 F 50Vdc ± 10% X8L 150 AEC-Q200 10uF GCM32EL8EH106KA07 - Product Image 5
GCM32EL8EH106KA07ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์ (CHY) 10 F 50Vdc ± 10% X8L 150 AEC-Q200 10uF GCM32EL8EH106KA07 - Product Image 6

GCM32EL8EH106KA07ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์ (CHY) 10 F 50Vdc ± 10% X8L 150 AEC-Q200 10uF GCM32EL8EH106KA07

฿16.75-66.98
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.6/5.0(269)
CKG57NX7S1C107M500JJ (ตัวเก็บประจุเซรามิก SMD) 2220 100 F 16V ± 20% X7S -55ถึง125 C AEC-Q200 CKG57NX7S1C107M500JJ 100uF - Product Image 1
CKG57NX7S1C107M500JJ (ตัวเก็บประจุเซรามิก SMD) 2220 100 F 16V ± 20% X7S -55ถึง125 C AEC-Q200 CKG57NX7S1C107M500JJ 100uF - Product Image 2
CKG57NX7S1C107M500JJ (ตัวเก็บประจุเซรามิก SMD) 2220 100 F 16V ± 20% X7S -55ถึง125 C AEC-Q200 CKG57NX7S1C107M500JJ 100uF - Product Image 3
CKG57NX7S1C107M500JJ (ตัวเก็บประจุเซรามิก SMD) 2220 100 F 16V ± 20% X7S -55ถึง125 C AEC-Q200 CKG57NX7S1C107M500JJ 100uF - Product Image 4
CKG57NX7S1C107M500JJ (ตัวเก็บประจุเซรามิก SMD) 2220 100 F 16V ± 20% X7S -55ถึง125 C AEC-Q200 CKG57NX7S1C107M500JJ 100uF - Product Image 5
CKG57NX7S1C107M500JJ (ตัวเก็บประจุเซรามิก SMD) 2220 100 F 16V ± 20% X7S -55ถึง125 C AEC-Q200 CKG57NX7S1C107M500JJ 100uF - Product Image 6

CKG57NX7S1C107M500JJ (ตัวเก็บประจุเซรามิก SMD) 2220 100 F 16V ± 20% X7S -55ถึง125 C AEC-Q200 CKG57NX7S1C107M500JJ 100uF

฿16.75-66.98
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.6/5.0(269)
NFM18TC106D0J3 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 0603 10 F 6.3Vdc ±20% 125 AEC-Q200 10uF NFM18TC106D0J3 - Product Image 1
NFM18TC106D0J3 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 0603 10 F 6.3Vdc ±20% 125 AEC-Q200 10uF NFM18TC106D0J3 - Product Image 2
NFM18TC106D0J3 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 0603 10 F 6.3Vdc ±20% 125 AEC-Q200 10uF NFM18TC106D0J3 - Product Image 3
NFM18TC106D0J3 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 0603 10 F 6.3Vdc ±20% 125 AEC-Q200 10uF NFM18TC106D0J3 - Product Image 4
NFM18TC106D0J3 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 0603 10 F 6.3Vdc ±20% 125 AEC-Q200 10uF NFM18TC106D0J3 - Product Image 5
NFM18TC106D0J3 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 0603 10 F 6.3Vdc ±20% 125 AEC-Q200 10uF NFM18TC106D0J3 - Product Image 6

NFM18TC106D0J3 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 0603 10 F 6.3Vdc ±20% 125 AEC-Q200 10uF NFM18TC106D0J3

฿16.75-66.98
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.6/5.0(269)

การค้นหาที่เกี่ยวข้อง:

cbb60 50ufcbb61 15ufcbb61capacitor cbb61 3uf 250vac 50 60hzปลา คา ร์ ฟ จักร พร ร ดิ์cbb60cbb60 12uf 450vacปลา คา ร์ ฟ ราคา เท่า ไหร่cbb60 450vac 50 60hz 40 85 21คา ปา ปั๊ม น้ำkondensator cbb60epcosคา ร์ บั้ มcbb61 1ufcbb60 15uf 450vaccbb60 45ufอี แว ป ปอ เร เตอร์cbb60 450vac 50 60hz 40 70 21ปลา คา ร์ ฟ แพ ล ต ติ นั่ มcapacitor cbb 60