All categories

Featured selections

Trade Assurance

Buyer Central

Help Center

Get the app

Become a supplier

Capacitor smd

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

Taiyo Yuden 0805 SMD X7R 10% 50V 2.2UF 225ตัวเก็บประจุเซรามิกไดอิเล็กทริกสูง100ชิ้นสำหรับอิเล็กทรอนิกส์ทั่วไป - Product Image 1

Taiyo Yuden 0805 SMD X7R 10% 50V 2.2UF 225ตัวเก็บประจุเซรามิกไดอิเล็กทริกสูง100ชิ้นสำหรับอิเล็กทรอนิกส์ทั่วไป - Product Image 2

Taiyo Yuden 0805 SMD X7R 10% 50V 2.2UF 225ตัวเก็บประจุเซรามิกไดอิเล็กทริกสูง100ชิ้นสำหรับอิเล็กทรอนิกส์ทั่วไป - Product Image 3

Taiyo Yuden 0805 SMD X7R 10% 50V 2.2UF 225ตัวเก็บประจุเซรามิกไดอิเล็กทริกสูง100ชิ้นสำหรับอิเล็กทรอนิกส์ทั่วไป - Product Image 4

Taiyo Yuden 0805 SMD X7R 10% 50V 2.2UF 225ตัวเก็บประจุเซรามิกไดอิเล็กทริกสูง100ชิ้นสำหรับอิเล็กทรอนิกส์ทั่วไป - Product Image 5

Taiyo Yuden 0805 SMD X7R 10% 50V 2.2UF 225ตัวเก็บประจุเซรามิกไดอิเล็กทริกสูง100ชิ้นสำหรับอิเล็กทรอนิกส์ทั่วไป - Product Image 6

Taiyo Yuden 0805 SMD X7R 10% 50V 2.2UF 225ตัวเก็บประจุเซรามิกไดอิเล็กทริกสูง100ชิ้นสำหรับอิเล็กทรอนิกส์ทั่วไป

฿0.3266

MOQ: 1

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) FCC1206B103K102FT ขนาด 1206 ( ค่าความจุ: 10nF ) ( ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้า: 1kV - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) FCC1206B103K102FT ขนาด 1206 ( ค่าความจุ: 10nF ) ( ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้า: 1kV - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) FCC1206B103K102FT ขนาด 1206 ( ค่าความจุ: 10nF ) ( ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้า: 1kV - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) FCC1206B103K102FT ขนาด 1206 ( ค่าความจุ: 10nF ) ( ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้า: 1kV - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) FCC1206B103K102FT ขนาด 1206 ( ค่าความจุ: 10nF ) ( ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้า: 1kV - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) FCC1206B103K102FT ขนาด 1206 ( ค่าความจุ: 10nF ) ( ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้า: 1kV - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) FCC1206B103K102FT ขนาด 1206 ( ค่าความจุ: 10nF ) ( ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้า: 1kV

฿0.3266-0.9798

MOQ: 50

CL21A226MAYNNW (Hello Chip SMD ตัวเก็บประจุเซรามิก0805 2012 22UF ± 25Vdc 20% X5R 85 ) CL21A226MAYNNW - Product Image 1

CL21A226MAYNNW (Hello Chip SMD ตัวเก็บประจุเซรามิก0805 2012 22UF ± 25Vdc 20% X5R 85 ) CL21A226MAYNNW - Product Image 2

CL21A226MAYNNW (Hello Chip SMD ตัวเก็บประจุเซรามิก0805 2012 22UF ± 25Vdc 20% X5R 85 ) CL21A226MAYNNW - Product Image 3

CL21A226MAYNNW (Hello Chip SMD ตัวเก็บประจุเซรามิก0805 2012 22UF ± 25Vdc 20% X5R 85 ) CL21A226MAYNNW - Product Image 4

CL21A226MAYNNW (Hello Chip SMD ตัวเก็บประจุเซรามิก0805 2012 22UF ± 25Vdc 20% X5R 85 ) CL21A226MAYNNW - Product Image 5

CL21A226MAYNNW (Hello Chip SMD ตัวเก็บประจุเซรามิก0805 2012 22UF ± 25Vdc 20% X5R 85 ) CL21A226MAYNNW - Product Image 6

CL21A226MAYNNW (Hello Chip SMD ตัวเก็บประจุเซรามิก0805 2012 22UF ± 25Vdc 20% X5R 85 ) CL21A226MAYNNW

฿6.54-65.32

MOQ: 1

ตัวเก็บประจุแบบอลูมิเนียมอิเล็กโตรไลต์ SMD 47uF 100uF 220uF 330uF 470uF 6.3V 10V VT Series โพลาไรซ์ - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแบบอลูมิเนียมอิเล็กโตรไลต์ SMD 47uF 100uF 220uF 330uF 470uF 6.3V 10V VT Series โพลาไรซ์ - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแบบอลูมิเนียมอิเล็กโตรไลต์ SMD 47uF 100uF 220uF 330uF 470uF 6.3V 10V VT Series โพลาไรซ์ - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแบบอลูมิเนียมอิเล็กโตรไลต์ SMD 47uF 100uF 220uF 330uF 470uF 6.3V 10V VT Series โพลาไรซ์ - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแบบอลูมิเนียมอิเล็กโตรไลต์ SMD 47uF 100uF 220uF 330uF 470uF 6.3V 10V VT Series โพลาไรซ์ - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแบบอลูมิเนียมอิเล็กโตรไลต์ SMD 47uF 100uF 220uF 330uF 470uF 6.3V 10V VT Series โพลาไรซ์

฿0.9798-5.88

MOQ: 2

EEE-FK1C471P ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรไลติก-SMD 470UF 16V - Product Image 1

EEE-FK1C471P ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรไลติก-SMD 470UF 16V

฿11.76-27.76

MOQ: 1

ตัวอย่างขายดี 100 ชิ้น TAIYO MSASE21GSB7475KTNA01 EMK212B7475KG-T SMD ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น X7R ค่าดีอิเล็กทริกสูง - Product Image 1

ตัวอย่างขายดี 100 ชิ้น TAIYO MSASE21GSB7475KTNA01 EMK212B7475KG-T SMD ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น X7R ค่าดีอิเล็กทริกสูง - Product Image 2

ตัวอย่างขายดี 100 ชิ้น TAIYO MSASE21GSB7475KTNA01 EMK212B7475KG-T SMD ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น X7R ค่าดีอิเล็กทริกสูง - Product Image 3

ตัวอย่างขายดี 100 ชิ้น TAIYO MSASE21GSB7475KTNA01 EMK212B7475KG-T SMD ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น X7R ค่าดีอิเล็กทริกสูง - Product Image 4

ตัวอย่างขายดี 100 ชิ้น TAIYO MSASE21GSB7475KTNA01 EMK212B7475KG-T SMD ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น X7R ค่าดีอิเล็กทริกสูง - Product Image 5

ตัวอย่างขายดี 100 ชิ้น TAIYO MSASE21GSB7475KTNA01 EMK212B7475KG-T SMD ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น X7R ค่าดีอิเล็กทริกสูง

฿0.3266

MOQ: 1

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น CGA1206X7R473K500KT ขนาด 1206 (ค่าความจุ: 47nF) (ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้า: 50V - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น CGA1206X7R473K500KT ขนาด 1206 (ค่าความจุ: 47nF) (ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้า: 50V - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น CGA1206X7R473K500KT ขนาด 1206 (ค่าความจุ: 47nF) (ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้า: 50V - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น CGA1206X7R473K500KT ขนาด 1206 (ค่าความจุ: 47nF) (ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้า: 50V - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น CGA1206X7R473K500KT ขนาด 1206 (ค่าความจุ: 47nF) (ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้า: 50V - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น CGA1206X7R473K500KT ขนาด 1206 (ค่าความจุ: 47nF) (ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้า: 50V - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น CGA1206X7R473K500KT ขนาด 1206 (ค่าความจุ: 47nF) (ความแม่นยำ: 10%) แรงดันไฟฟ้า: 50V

฿0.3266-1.31

MOQ: 50

GCM188D70E226ME36(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 0603 22 F ± 2.5Vdc 20% X7T 125 AEC-Q200 22uF GCM188D70E226ME36 - Product Image 1

GCM188D70E226ME36(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 0603 22 F ± 2.5Vdc 20% X7T 125 AEC-Q200 22uF GCM188D70E226ME36 - Product Image 2

GCM188D70E226ME36(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 0603 22 F ± 2.5Vdc 20% X7T 125 AEC-Q200 22uF GCM188D70E226ME36 - Product Image 3

GCM188D70E226ME36(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 0603 22 F ± 2.5Vdc 20% X7T 125 AEC-Q200 22uF GCM188D70E226ME36 - Product Image 4

GCM188D70E226ME36(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 0603 22 F ± 2.5Vdc 20% X7T 125 AEC-Q200 22uF GCM188D70E226ME36 - Product Image 5

GCM188D70E226ME36(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 0603 22 F ± 2.5Vdc 20% X7T 125 AEC-Q200 22uF GCM188D70E226ME36 - Product Image 6

GCM188D70E226ME36(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 0603 22 F ± 2.5Vdc 20% X7T 125 AEC-Q200 22uF GCM188D70E226ME36

฿16.33-65.32

MOQ: 1