All categories

Featured selections

Trade Assurance

Buyer Central

Help Center

Get the app

Become a supplier

B 85

(มีสินค้า 999+ รายการ)

GRM31CB31E226KE15(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 1206 22 F ± 25Vdc 10% B 85 22uF GRM31CB31E226KE15 - Product Image 1

GRM31CB31E226KE15(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 1206 22 F ± 25Vdc 10% B 85 22uF GRM31CB31E226KE15 - Product Image 2

GRM31CB31E226KE15(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 1206 22 F ± 25Vdc 10% B 85 22uF GRM31CB31E226KE15 - Product Image 3

GRM31CB31E226KE15(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 1206 22 F ± 25Vdc 10% B 85 22uF GRM31CB31E226KE15 - Product Image 4

GRM31CB31E226KE15(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 1206 22 F ± 25Vdc 10% B 85 22uF GRM31CB31E226KE15 - Product Image 5

GRM31CB31E226KE15(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 1206 22 F ± 25Vdc 10% B 85 22uF GRM31CB31E226KE15 - Product Image 6

GRM31CB31E226KE15(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 1206 22 F ± 25Vdc 10% B 85 22uF GRM31CB31E226KE15

฿16.70-66.79

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

HELLOCHIP LIMITED

1 yrs

GRM31CB31C106MC43 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 1206 10 F 16Vdc ±20% B 85 10uF GRM31CB31C106MC43 - Product Image 1

GRM31CB31C106MC43 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 1206 10 F 16Vdc ±20% B 85 10uF GRM31CB31C106MC43 - Product Image 2

GRM31CB31C106MC43 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 1206 10 F 16Vdc ±20% B 85 10uF GRM31CB31C106MC43 - Product Image 3

GRM31CB31C106MC43 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 1206 10 F 16Vdc ±20% B 85 10uF GRM31CB31C106MC43 - Product Image 4

GRM31CB31C106MC43 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 1206 10 F 16Vdc ±20% B 85 10uF GRM31CB31C106MC43 - Product Image 5

GRM31CB31C106MC43 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 1206 10 F 16Vdc ±20% B 85 10uF GRM31CB31C106MC43 - Product Image 6

GRM31CB31C106MC43 (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 1206 10 F 16Vdc ±20% B 85 10uF GRM31CB31C106MC43

฿16.70-66.79

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

HELLOCHIP LIMITED

1 yrs

GRM31CB11A106MA01(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ MLCC) 1206 10 F 10Vdc ± 20% B 85 10uF GRM31CB11A106MA01 - Product Image 1

GRM31CB11A106MA01(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ MLCC) 1206 10 F 10Vdc ± 20% B 85 10uF GRM31CB11A106MA01 - Product Image 2

GRM31CB11A106MA01(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ MLCC) 1206 10 F 10Vdc ± 20% B 85 10uF GRM31CB11A106MA01 - Product Image 3

GRM31CB11A106MA01(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ MLCC) 1206 10 F 10Vdc ± 20% B 85 10uF GRM31CB11A106MA01 - Product Image 4

GRM31CB11A106MA01(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ MLCC) 1206 10 F 10Vdc ± 20% B 85 10uF GRM31CB11A106MA01 - Product Image 5

GRM31CB11A106MA01(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ MLCC) 1206 10 F 10Vdc ± 20% B 85 10uF GRM31CB11A106MA01 - Product Image 6

GRM31CB11A106MA01(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ MLCC) 1206 10 F 10Vdc ± 20% B 85 10uF GRM31CB11A106MA01

฿16.70-66.79

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

HELLOCHIP LIMITED

1 yrs

GRM21BB10G106KE29(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 0805 10 F 4Vdc ± 10% B 85 10uF GRM21BB10G106KE29 - Product Image 1

GRM21BB10G106KE29(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 0805 10 F 4Vdc ± 10% B 85 10uF GRM21BB10G106KE29 - Product Image 2

GRM21BB10G106KE29(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 0805 10 F 4Vdc ± 10% B 85 10uF GRM21BB10G106KE29 - Product Image 3

GRM21BB10G106KE29(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 0805 10 F 4Vdc ± 10% B 85 10uF GRM21BB10G106KE29 - Product Image 4

GRM21BB10G106KE29(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 0805 10 F 4Vdc ± 10% B 85 10uF GRM21BB10G106KE29 - Product Image 5

GRM21BB10G106KE29(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 0805 10 F 4Vdc ± 10% B 85 10uF GRM21BB10G106KE29 - Product Image 6

GRM21BB10G106KE29(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 0805 10 F 4Vdc ± 10% B 85 10uF GRM21BB10G106KE29

฿16.70-66.79

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

HELLOCHIP LIMITED

1 yrs

S-1315D11-A6T2U3 IC REG LIN 200MA 1.1V ชิป IC แบบใหม่ดั้งเดิม HSNT-6-B มีในสต็อก - Product Image 1

S-1315D11-A6T2U3 IC REG LIN 200MA 1.1V ชิป IC แบบใหม่ดั้งเดิม HSNT-6-B มีในสต็อก - Product Image 2

S-1315D11-A6T2U3 IC REG LIN 200MA 1.1V ชิป IC แบบใหม่ดั้งเดิม HSNT-6-B มีในสต็อก - Product Image 3

S-1315D11-A6T2U3 IC REG LIN 200MA 1.1V ชิป IC แบบใหม่ดั้งเดิม HSNT-6-B มีในสต็อก - Product Image 4

S-1315D11-A6T2U3 IC REG LIN 200MA 1.1V ชิป IC แบบใหม่ดั้งเดิม HSNT-6-B มีในสต็อก - Product Image 5

S-1315D11-A6T2U3 IC REG LIN 200MA 1.1V ชิป IC แบบใหม่ดั้งเดิม HSNT-6-B มีในสต็อก - Product Image 6

S-1315D11-A6T2U3 IC REG LIN 200MA 1.1V ชิป IC แบบใหม่ดั้งเดิม HSNT-6-B มีในสต็อก

฿3.34-33.40

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 100 ชิ้น

ApexCore HK Technology Limited

1 yrs

ZRA21MB31A226ME11(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ MLCC) 22 F 10Vdc ± 20% B 85 22uF ZRA21MB31A226ME11 - Product Image 1

ZRA21MB31A226ME11(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ MLCC) 22 F 10Vdc ± 20% B 85 22uF ZRA21MB31A226ME11 - Product Image 2

ZRA21MB31A226ME11(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ MLCC) 22 F 10Vdc ± 20% B 85 22uF ZRA21MB31A226ME11 - Product Image 3

ZRA21MB31A226ME11(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ MLCC) 22 F 10Vdc ± 20% B 85 22uF ZRA21MB31A226ME11 - Product Image 4

ZRA21MB31A226ME11(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ MLCC) 22 F 10Vdc ± 20% B 85 22uF ZRA21MB31A226ME11 - Product Image 5

ZRA21MB31A226ME11(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ MLCC) 22 F 10Vdc ± 20% B 85 22uF ZRA21MB31A226ME11 - Product Image 6

ZRA21MB31A226ME11(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ MLCC) 22 F 10Vdc ± 20% B 85 22uF ZRA21MB31A226ME11

฿16.70-66.79

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

HELLOCHIP LIMITED

1 yrs

GRM31CB30J156ME18(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 1206 15 F 6.3Vdc ± 20% B 85 15uF GRM31CB30J156ME18 - Product Image 1

GRM31CB30J156ME18(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 1206 15 F 6.3Vdc ± 20% B 85 15uF GRM31CB30J156ME18 - Product Image 2

GRM31CB30J156ME18(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 1206 15 F 6.3Vdc ± 20% B 85 15uF GRM31CB30J156ME18 - Product Image 3

GRM31CB30J156ME18(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 1206 15 F 6.3Vdc ± 20% B 85 15uF GRM31CB30J156ME18 - Product Image 4

GRM31CB30J156ME18(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 1206 15 F 6.3Vdc ± 20% B 85 15uF GRM31CB30J156ME18 - Product Image 5

GRM31CB30J156ME18(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 1206 15 F 6.3Vdc ± 20% B 85 15uF GRM31CB30J156ME18 - Product Image 6

GRM31CB30J156ME18(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 1206 15 F 6.3Vdc ± 20% B 85 15uF GRM31CB30J156ME18

฿16.70-66.79

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

HELLOCHIP LIMITED

1 yrs

GRM319B31E106KA12ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ CHY SMD MLCC 1206 10 F 25Vdc ± 10% B 85 10uF GRM319B31E106KA12 - Product Image 1

GRM319B31E106KA12ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ CHY SMD MLCC 1206 10 F 25Vdc ± 10% B 85 10uF GRM319B31E106KA12 - Product Image 2

GRM319B31E106KA12ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ CHY SMD MLCC 1206 10 F 25Vdc ± 10% B 85 10uF GRM319B31E106KA12 - Product Image 3

GRM319B31E106KA12ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ CHY SMD MLCC 1206 10 F 25Vdc ± 10% B 85 10uF GRM319B31E106KA12 - Product Image 4

GRM319B31E106KA12ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ CHY SMD MLCC 1206 10 F 25Vdc ± 10% B 85 10uF GRM319B31E106KA12 - Product Image 5

GRM319B31E106KA12ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ CHY SMD MLCC 1206 10 F 25Vdc ± 10% B 85 10uF GRM319B31E106KA12 - Product Image 6

GRM319B31E106KA12ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ CHY SMD MLCC 1206 10 F 25Vdc ± 10% B 85 10uF GRM319B31E106KA12

฿16.70-66.79

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

HELLOCHIP LIMITED

1 yrs