All categories

Featured selections

Trade Assurance

Buyer Central

Help Center

Get the app

Become a supplier

B 85

(มีสินค้า 999+ รายการ)

GRM31CB10J106KC01(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ MLCC) 1206 10 F 6.3Vdc ± 10% B 85 10uF GRM31CB10J106KC01 - Product Image 1

GRM31CB10J106KC01(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ MLCC) 1206 10 F 6.3Vdc ± 10% B 85 10uF GRM31CB10J106KC01 - Product Image 2

GRM31CB10J106KC01(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ MLCC) 1206 10 F 6.3Vdc ± 10% B 85 10uF GRM31CB10J106KC01 - Product Image 3

GRM31CB10J106KC01(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ MLCC) 1206 10 F 6.3Vdc ± 10% B 85 10uF GRM31CB10J106KC01 - Product Image 4

GRM31CB10J106KC01(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ MLCC) 1206 10 F 6.3Vdc ± 10% B 85 10uF GRM31CB10J106KC01 - Product Image 5

GRM31CB10J106KC01(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ MLCC) 1206 10 F 6.3Vdc ± 10% B 85 10uF GRM31CB10J106KC01 - Product Image 6

GRM31CB10J106KC01(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ MLCC) 1206 10 F 6.3Vdc ± 10% B 85 10uF GRM31CB10J106KC01

฿16.75-67

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

HELLOCHIP LIMITED

1 yrs

GRM55EB11E156KA01(CHY ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นอิเล็กทรอนิกส์) 2220 15 F 25Vdc ± 10% B 85 15uF GRM55EB11E156KA01 - Product Image 1

GRM55EB11E156KA01(CHY ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นอิเล็กทรอนิกส์) 2220 15 F 25Vdc ± 10% B 85 15uF GRM55EB11E156KA01 - Product Image 2

GRM55EB11E156KA01(CHY ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นอิเล็กทรอนิกส์) 2220 15 F 25Vdc ± 10% B 85 15uF GRM55EB11E156KA01 - Product Image 3

GRM55EB11E156KA01(CHY ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นอิเล็กทรอนิกส์) 2220 15 F 25Vdc ± 10% B 85 15uF GRM55EB11E156KA01 - Product Image 4

GRM55EB11E156KA01(CHY ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นอิเล็กทรอนิกส์) 2220 15 F 25Vdc ± 10% B 85 15uF GRM55EB11E156KA01 - Product Image 5

GRM55EB11E156KA01(CHY ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นอิเล็กทรอนิกส์) 2220 15 F 25Vdc ± 10% B 85 15uF GRM55EB11E156KA01 - Product Image 6

GRM55EB11E156KA01(CHY ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นอิเล็กทรอนิกส์) 2220 15 F 25Vdc ± 10% B 85 15uF GRM55EB11E156KA01

฿16.75-67

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

HELLOCHIP LIMITED

1 yrs

GRM31CB31E106KA75(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD เซรามิก) 1206 10 F 25Vdc ± 10% B 85 10uF GRM31CB31E106KA75 - Product Image 1

GRM31CB31E106KA75(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD เซรามิก) 1206 10 F 25Vdc ± 10% B 85 10uF GRM31CB31E106KA75 - Product Image 2

GRM31CB31E106KA75(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD เซรามิก) 1206 10 F 25Vdc ± 10% B 85 10uF GRM31CB31E106KA75 - Product Image 3

GRM31CB31E106KA75(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD เซรามิก) 1206 10 F 25Vdc ± 10% B 85 10uF GRM31CB31E106KA75 - Product Image 4

GRM31CB31E106KA75(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD เซรามิก) 1206 10 F 25Vdc ± 10% B 85 10uF GRM31CB31E106KA75 - Product Image 5

GRM31CB31E106KA75(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD เซรามิก) 1206 10 F 25Vdc ± 10% B 85 10uF GRM31CB31E106KA75 - Product Image 6

GRM31CB31E106KA75(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD เซรามิก) 1206 10 F 25Vdc ± 10% B 85 10uF GRM31CB31E106KA75

฿16.75-67

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

HELLOCHIP LIMITED

1 yrs

GRM319B31C226ME15(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD เซรามิก) 1206 22 F ± 16Vdc 20% B 85 22uF GRM319B31C226ME15 - Product Image 1

GRM319B31C226ME15(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD เซรามิก) 1206 22 F ± 16Vdc 20% B 85 22uF GRM319B31C226ME15 - Product Image 2

GRM319B31C226ME15(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD เซรามิก) 1206 22 F ± 16Vdc 20% B 85 22uF GRM319B31C226ME15 - Product Image 3

GRM319B31C226ME15(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD เซรามิก) 1206 22 F ± 16Vdc 20% B 85 22uF GRM319B31C226ME15 - Product Image 4

GRM319B31C226ME15(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD เซรามิก) 1206 22 F ± 16Vdc 20% B 85 22uF GRM319B31C226ME15 - Product Image 5

GRM319B31C226ME15(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD เซรามิก) 1206 22 F ± 16Vdc 20% B 85 22uF GRM319B31C226ME15 - Product Image 6

GRM319B31C226ME15(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD เซรามิก) 1206 22 F ± 16Vdc 20% B 85 22uF GRM319B31C226ME15

฿16.75-67

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

HELLOCHIP LIMITED

1 yrs

GRM31CB31E226KE15(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 1206 22 F ± 25Vdc 10% B 85 22uF GRM31CB31E226KE15 - Product Image 1

GRM31CB31E226KE15(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 1206 22 F ± 25Vdc 10% B 85 22uF GRM31CB31E226KE15 - Product Image 2

GRM31CB31E226KE15(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 1206 22 F ± 25Vdc 10% B 85 22uF GRM31CB31E226KE15 - Product Image 3

GRM31CB31E226KE15(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 1206 22 F ± 25Vdc 10% B 85 22uF GRM31CB31E226KE15 - Product Image 4

GRM31CB31E226KE15(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 1206 22 F ± 25Vdc 10% B 85 22uF GRM31CB31E226KE15 - Product Image 5

GRM31CB31E226KE15(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 1206 22 F ± 25Vdc 10% B 85 22uF GRM31CB31E226KE15 - Product Image 6

GRM31CB31E226KE15(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 1206 22 F ± 25Vdc 10% B 85 22uF GRM31CB31E226KE15

฿16.75-67

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

HELLOCHIP LIMITED

1 yrs

GRM55DB31H106KA87 (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์ของ CHY Electronics) 2220 10 F 50Vdc ±10% B 85 10uF GRM55DB31H106KA87 - Product Image 1

GRM55DB31H106KA87 (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์ของ CHY Electronics) 2220 10 F 50Vdc ±10% B 85 10uF GRM55DB31H106KA87 - Product Image 2

GRM55DB31H106KA87 (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์ของ CHY Electronics) 2220 10 F 50Vdc ±10% B 85 10uF GRM55DB31H106KA87 - Product Image 3

GRM55DB31H106KA87 (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์ของ CHY Electronics) 2220 10 F 50Vdc ±10% B 85 10uF GRM55DB31H106KA87 - Product Image 4

GRM55DB31H106KA87 (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์ของ CHY Electronics) 2220 10 F 50Vdc ±10% B 85 10uF GRM55DB31H106KA87 - Product Image 5

GRM55DB31H106KA87 (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์ของ CHY Electronics) 2220 10 F 50Vdc ±10% B 85 10uF GRM55DB31H106KA87 - Product Image 6

GRM55DB31H106KA87 (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์ของ CHY Electronics) 2220 10 F 50Vdc ±10% B 85 10uF GRM55DB31H106KA87

฿16.75-67

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

HELLOCHIP LIMITED

1 yrs

GRM32EB3YA106KA12(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ MLCC) 1210 10 F 35Vdc ± 10% B 85 10uF GRM32EB3YA106KA12 - Product Image 1

GRM32EB3YA106KA12(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ MLCC) 1210 10 F 35Vdc ± 10% B 85 10uF GRM32EB3YA106KA12 - Product Image 2

GRM32EB3YA106KA12(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ MLCC) 1210 10 F 35Vdc ± 10% B 85 10uF GRM32EB3YA106KA12 - Product Image 3

GRM32EB3YA106KA12(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ MLCC) 1210 10 F 35Vdc ± 10% B 85 10uF GRM32EB3YA106KA12 - Product Image 4

GRM32EB3YA106KA12(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ MLCC) 1210 10 F 35Vdc ± 10% B 85 10uF GRM32EB3YA106KA12 - Product Image 5

GRM32EB3YA106KA12(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ MLCC) 1210 10 F 35Vdc ± 10% B 85 10uF GRM32EB3YA106KA12 - Product Image 6

GRM32EB3YA106KA12(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ MLCC) 1210 10 F 35Vdc ± 10% B 85 10uF GRM32EB3YA106KA12

฿16.75-67

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

HELLOCHIP LIMITED

1 yrs

GRM21BB31C106KE15(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 0805 10 F 16Vdc ± 10% B 85 10uF GRM21BB31C106KE15 - Product Image 1

GRM21BB31C106KE15(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 0805 10 F 16Vdc ± 10% B 85 10uF GRM21BB31C106KE15 - Product Image 2

GRM21BB31C106KE15(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 0805 10 F 16Vdc ± 10% B 85 10uF GRM21BB31C106KE15 - Product Image 3

GRM21BB31C106KE15(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 0805 10 F 16Vdc ± 10% B 85 10uF GRM21BB31C106KE15 - Product Image 4

GRM21BB31C106KE15(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 0805 10 F 16Vdc ± 10% B 85 10uF GRM21BB31C106KE15 - Product Image 5

GRM21BB31C106KE15(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 0805 10 F 16Vdc ± 10% B 85 10uF GRM21BB31C106KE15 - Product Image 6

GRM21BB31C106KE15(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 0805 10 F 16Vdc ± 10% B 85 10uF GRM21BB31C106KE15

฿16.75-67

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

HELLOCHIP LIMITED

1 yrs