All categories

Featured selections

Trade Assurance

Buyer Central

Help Center

Get the app

Become a supplier

B 85

(มีสินค้า 999+ รายการ)

GRM31CB31C106KA88 (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์ของ CHY Electronics) 1206 10 F 16Vdc ±10% B 85 10uF GRM31CB31C106KA88 - Product Image 1

GRM31CB31C106KA88 (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์ของ CHY Electronics) 1206 10 F 16Vdc ±10% B 85 10uF GRM31CB31C106KA88 - Product Image 2

GRM31CB31C106KA88 (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์ของ CHY Electronics) 1206 10 F 16Vdc ±10% B 85 10uF GRM31CB31C106KA88 - Product Image 3

GRM31CB31C106KA88 (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์ของ CHY Electronics) 1206 10 F 16Vdc ±10% B 85 10uF GRM31CB31C106KA88 - Product Image 4

GRM31CB31C106KA88 (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์ของ CHY Electronics) 1206 10 F 16Vdc ±10% B 85 10uF GRM31CB31C106KA88 - Product Image 5

GRM31CB31C106KA88 (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์ของ CHY Electronics) 1206 10 F 16Vdc ±10% B 85 10uF GRM31CB31C106KA88 - Product Image 6

GRM31CB31C106KA88 (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์ของ CHY Electronics) 1206 10 F 16Vdc ±10% B 85 10uF GRM31CB31C106KA88

฿16.65-66.57

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

HELLOCHIP LIMITED

1 yrs

GRM21BB31A106KE14(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 0805 10 F 10Vdc ± 10% B 85 10uF GRM21BB31A106KE14 - Product Image 1

GRM21BB31A106KE14(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 0805 10 F 10Vdc ± 10% B 85 10uF GRM21BB31A106KE14 - Product Image 2

GRM21BB31A106KE14(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 0805 10 F 10Vdc ± 10% B 85 10uF GRM21BB31A106KE14 - Product Image 3

GRM21BB31A106KE14(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 0805 10 F 10Vdc ± 10% B 85 10uF GRM21BB31A106KE14 - Product Image 4

GRM21BB31A106KE14(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 0805 10 F 10Vdc ± 10% B 85 10uF GRM21BB31A106KE14 - Product Image 5

GRM21BB31A106KE14(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 0805 10 F 10Vdc ± 10% B 85 10uF GRM21BB31A106KE14 - Product Image 6

GRM21BB31A106KE14(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 0805 10 F 10Vdc ± 10% B 85 10uF GRM21BB31A106KE14

฿16.65-66.57

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

HELLOCHIP LIMITED

1 yrs

GRM32DB31C226KE18(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 1210 22 F ± 16Vdc 10% B 85 22uF GRM32DB31C226KE18 - Product Image 1

GRM32DB31C226KE18(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 1210 22 F ± 16Vdc 10% B 85 22uF GRM32DB31C226KE18 - Product Image 2

GRM32DB31C226KE18(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 1210 22 F ± 16Vdc 10% B 85 22uF GRM32DB31C226KE18 - Product Image 3

GRM32DB31C226KE18(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 1210 22 F ± 16Vdc 10% B 85 22uF GRM32DB31C226KE18 - Product Image 4

GRM32DB31C226KE18(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 1210 22 F ± 16Vdc 10% B 85 22uF GRM32DB31C226KE18 - Product Image 5

GRM32DB31C226KE18(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 1210 22 F ± 16Vdc 10% B 85 22uF GRM32DB31C226KE18 - Product Image 6

GRM32DB31C226KE18(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 1210 22 F ± 16Vdc 10% B 85 22uF GRM32DB31C226KE18

฿16.65-66.57

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

HELLOCHIP LIMITED

1 yrs

GRM31CB30J226KE18(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD เซรามิก) 1206 22 F ± 6.3Vdc 10% B 85 22uF GRM31CB30J226KE18 - Product Image 1

GRM31CB30J226KE18(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD เซรามิก) 1206 22 F ± 6.3Vdc 10% B 85 22uF GRM31CB30J226KE18 - Product Image 2

GRM31CB30J226KE18(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD เซรามิก) 1206 22 F ± 6.3Vdc 10% B 85 22uF GRM31CB30J226KE18 - Product Image 3

GRM31CB30J226KE18(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD เซรามิก) 1206 22 F ± 6.3Vdc 10% B 85 22uF GRM31CB30J226KE18 - Product Image 4

GRM31CB30J226KE18(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD เซรามิก) 1206 22 F ± 6.3Vdc 10% B 85 22uF GRM31CB30J226KE18 - Product Image 5

GRM31CB30J226KE18(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD เซรามิก) 1206 22 F ± 6.3Vdc 10% B 85 22uF GRM31CB30J226KE18 - Product Image 6

GRM31CB30J226KE18(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD เซรามิก) 1206 22 F ± 6.3Vdc 10% B 85 22uF GRM31CB30J226KE18

฿16.65-66.57

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

HELLOCHIP LIMITED

1 yrs

GRM32DB10J226MA01(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 1210 22 F ± 6.3Vdc 20% B 85 22uF GRM32DB10J226MA01 - Product Image 1

GRM32DB10J226MA01(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 1210 22 F ± 6.3Vdc 20% B 85 22uF GRM32DB10J226MA01 - Product Image 2

GRM32DB10J226MA01(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 1210 22 F ± 6.3Vdc 20% B 85 22uF GRM32DB10J226MA01 - Product Image 3

GRM32DB10J226MA01(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 1210 22 F ± 6.3Vdc 20% B 85 22uF GRM32DB10J226MA01 - Product Image 4

GRM32DB10J226MA01(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 1210 22 F ± 6.3Vdc 20% B 85 22uF GRM32DB10J226MA01 - Product Image 5

GRM32DB10J226MA01(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 1210 22 F ± 6.3Vdc 20% B 85 22uF GRM32DB10J226MA01 - Product Image 6

GRM32DB10J226MA01(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 1210 22 F ± 6.3Vdc 20% B 85 22uF GRM32DB10J226MA01

฿16.65-66.57

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

HELLOCHIP LIMITED

1 yrs

GRM31CB31C226ME15(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD เซรามิก) 1206 22 F ± 16Vdc 20% B 85 22uF GRM31CB31C226ME15 - Product Image 1

GRM31CB31C226ME15(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD เซรามิก) 1206 22 F ± 16Vdc 20% B 85 22uF GRM31CB31C226ME15 - Product Image 2

GRM31CB31C226ME15(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD เซรามิก) 1206 22 F ± 16Vdc 20% B 85 22uF GRM31CB31C226ME15 - Product Image 3

GRM31CB31C226ME15(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD เซรามิก) 1206 22 F ± 16Vdc 20% B 85 22uF GRM31CB31C226ME15 - Product Image 4

GRM31CB31C226ME15(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD เซรามิก) 1206 22 F ± 16Vdc 20% B 85 22uF GRM31CB31C226ME15 - Product Image 5

GRM31CB31C226ME15(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD เซรามิก) 1206 22 F ± 16Vdc 20% B 85 22uF GRM31CB31C226ME15 - Product Image 6

GRM31CB31C226ME15(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD เซรามิก) 1206 22 F ± 16Vdc 20% B 85 22uF GRM31CB31C226ME15

฿16.65-66.57

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

HELLOCHIP LIMITED

1 yrs

GRM219B31A106ME44(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 0805 10 F 10Vdc ± 20% B 85 10uF GRM219B31A106ME44 - Product Image 1

GRM219B31A106ME44(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 0805 10 F 10Vdc ± 20% B 85 10uF GRM219B31A106ME44 - Product Image 2

GRM219B31A106ME44(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 0805 10 F 10Vdc ± 20% B 85 10uF GRM219B31A106ME44 - Product Image 3

GRM219B31A106ME44(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 0805 10 F 10Vdc ± 20% B 85 10uF GRM219B31A106ME44 - Product Image 4

GRM219B31A106ME44(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 0805 10 F 10Vdc ± 20% B 85 10uF GRM219B31A106ME44 - Product Image 5

GRM219B31A106ME44(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 0805 10 F 10Vdc ± 20% B 85 10uF GRM219B31A106ME44 - Product Image 6

GRM219B31A106ME44(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 0805 10 F 10Vdc ± 20% B 85 10uF GRM219B31A106ME44

฿16.65-66.57

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

HELLOCHIP LIMITED

1 yrs

GRM21BB31C106ME15(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ MLCC) 0805 10 F 16Vdc ± 20% B 85 10uF GRM21BB31C106ME15 - Product Image 1

GRM21BB31C106ME15(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ MLCC) 0805 10 F 16Vdc ± 20% B 85 10uF GRM21BB31C106ME15 - Product Image 2

GRM21BB31C106ME15(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ MLCC) 0805 10 F 16Vdc ± 20% B 85 10uF GRM21BB31C106ME15 - Product Image 3

GRM21BB31C106ME15(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ MLCC) 0805 10 F 16Vdc ± 20% B 85 10uF GRM21BB31C106ME15 - Product Image 4

GRM21BB31C106ME15(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ MLCC) 0805 10 F 16Vdc ± 20% B 85 10uF GRM21BB31C106ME15 - Product Image 5

GRM21BB31C106ME15(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ MLCC) 0805 10 F 16Vdc ± 20% B 85 10uF GRM21BB31C106ME15 - Product Image 6

GRM21BB31C106ME15(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ MLCC) 0805 10 F 16Vdc ± 20% B 85 10uF GRM21BB31C106ME15

฿16.65-66.57

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

HELLOCHIP LIMITED

1 yrs