All categories

Featured selections

Trade Assurance

Buyer Central

Help Center

Get the app

Become a supplier

B 85

(มีสินค้า 999+ รายการ)

GRM31CB3YA106MA12(CHY ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นอิเล็กทรอนิกส์) 1206 10 F 35Vdc ± 20% B 85 10uF GRM31CB3YA106MA12 - Product Image 1

GRM31CB3YA106MA12(CHY ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นอิเล็กทรอนิกส์) 1206 10 F 35Vdc ± 20% B 85 10uF GRM31CB3YA106MA12 - Product Image 2

GRM31CB3YA106MA12(CHY ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นอิเล็กทรอนิกส์) 1206 10 F 35Vdc ± 20% B 85 10uF GRM31CB3YA106MA12 - Product Image 3

GRM31CB3YA106MA12(CHY ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นอิเล็กทรอนิกส์) 1206 10 F 35Vdc ± 20% B 85 10uF GRM31CB3YA106MA12 - Product Image 4

GRM31CB3YA106MA12(CHY ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นอิเล็กทรอนิกส์) 1206 10 F 35Vdc ± 20% B 85 10uF GRM31CB3YA106MA12 - Product Image 5

GRM31CB3YA106MA12(CHY ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นอิเล็กทรอนิกส์) 1206 10 F 35Vdc ± 20% B 85 10uF GRM31CB3YA106MA12 - Product Image 6

GRM31CB3YA106MA12(CHY ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นอิเล็กทรอนิกส์) 1206 10 F 35Vdc ± 20% B 85 10uF GRM31CB3YA106MA12

฿16.75-67

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

HELLOCHIP LIMITED

1 yrs

GRM32EB3YA106MA12(CHY ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นอิเล็กทรอนิกส์) 1210 10 F 35Vdc ± 20% B 85 10uF GRM32EB3YA106MA12 - Product Image 1

GRM32EB3YA106MA12(CHY ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นอิเล็กทรอนิกส์) 1210 10 F 35Vdc ± 20% B 85 10uF GRM32EB3YA106MA12 - Product Image 2

GRM32EB3YA106MA12(CHY ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นอิเล็กทรอนิกส์) 1210 10 F 35Vdc ± 20% B 85 10uF GRM32EB3YA106MA12 - Product Image 3

GRM32EB3YA106MA12(CHY ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นอิเล็กทรอนิกส์) 1210 10 F 35Vdc ± 20% B 85 10uF GRM32EB3YA106MA12 - Product Image 4

GRM32EB3YA106MA12(CHY ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นอิเล็กทรอนิกส์) 1210 10 F 35Vdc ± 20% B 85 10uF GRM32EB3YA106MA12 - Product Image 5

GRM32EB3YA106MA12(CHY ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นอิเล็กทรอนิกส์) 1210 10 F 35Vdc ± 20% B 85 10uF GRM32EB3YA106MA12 - Product Image 6

GRM32EB3YA106MA12(CHY ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นอิเล็กทรอนิกส์) 1210 10 F 35Vdc ± 20% B 85 10uF GRM32EB3YA106MA12

฿16.75-67

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

HELLOCHIP LIMITED

1 yrs

GRM31CB31E106MA75(CHY ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นอิเล็กทรอนิกส์) 1206 10 F 25Vdc ± 20% B 85 10uF GRM31CB31E106MA75 - Product Image 1

GRM31CB31E106MA75(CHY ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นอิเล็กทรอนิกส์) 1206 10 F 25Vdc ± 20% B 85 10uF GRM31CB31E106MA75 - Product Image 2

GRM31CB31E106MA75(CHY ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นอิเล็กทรอนิกส์) 1206 10 F 25Vdc ± 20% B 85 10uF GRM31CB31E106MA75 - Product Image 3

GRM31CB31E106MA75(CHY ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นอิเล็กทรอนิกส์) 1206 10 F 25Vdc ± 20% B 85 10uF GRM31CB31E106MA75 - Product Image 4

GRM31CB31E106MA75(CHY ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นอิเล็กทรอนิกส์) 1206 10 F 25Vdc ± 20% B 85 10uF GRM31CB31E106MA75 - Product Image 5

GRM31CB31E106MA75(CHY ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นอิเล็กทรอนิกส์) 1206 10 F 25Vdc ± 20% B 85 10uF GRM31CB31E106MA75 - Product Image 6

GRM31CB31E106MA75(CHY ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นอิเล็กทรอนิกส์) 1206 10 F 25Vdc ± 20% B 85 10uF GRM31CB31E106MA75

฿16.75-67

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

HELLOCHIP LIMITED

1 yrs

GRM21BB10J106KE01 (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD ของ CHY Electronics) 0805 10 F 6.3Vdc ±10% B 85 10uF GRM21BB10J106KE01 - Product Image 1

GRM21BB10J106KE01 (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD ของ CHY Electronics) 0805 10 F 6.3Vdc ±10% B 85 10uF GRM21BB10J106KE01 - Product Image 2

GRM21BB10J106KE01 (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD ของ CHY Electronics) 0805 10 F 6.3Vdc ±10% B 85 10uF GRM21BB10J106KE01 - Product Image 3

GRM21BB10J106KE01 (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD ของ CHY Electronics) 0805 10 F 6.3Vdc ±10% B 85 10uF GRM21BB10J106KE01 - Product Image 4

GRM21BB10J106KE01 (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD ของ CHY Electronics) 0805 10 F 6.3Vdc ±10% B 85 10uF GRM21BB10J106KE01 - Product Image 5

GRM21BB10J106KE01 (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD ของ CHY Electronics) 0805 10 F 6.3Vdc ±10% B 85 10uF GRM21BB10J106KE01 - Product Image 6

GRM21BB10J106KE01 (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD ของ CHY Electronics) 0805 10 F 6.3Vdc ±10% B 85 10uF GRM21BB10J106KE01

฿16.75-67

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

HELLOCHIP LIMITED

1 yrs

GRM219B30J106KE18(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 0805 10 F 6.3Vdc ± 10% B 85 10uF GRM219B30J106KE18 - Product Image 1

GRM219B30J106KE18(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 0805 10 F 6.3Vdc ± 10% B 85 10uF GRM219B30J106KE18 - Product Image 2

GRM219B30J106KE18(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 0805 10 F 6.3Vdc ± 10% B 85 10uF GRM219B30J106KE18 - Product Image 3

GRM219B30J106KE18(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 0805 10 F 6.3Vdc ± 10% B 85 10uF GRM219B30J106KE18 - Product Image 4

GRM219B30J106KE18(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 0805 10 F 6.3Vdc ± 10% B 85 10uF GRM219B30J106KE18 - Product Image 5

GRM219B30J106KE18(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 0805 10 F 6.3Vdc ± 10% B 85 10uF GRM219B30J106KE18 - Product Image 6

GRM219B30J106KE18(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 0805 10 F 6.3Vdc ± 10% B 85 10uF GRM219B30J106KE18

฿16.75-67

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

HELLOCHIP LIMITED

1 yrs

GRM319B31A106ME18 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 1206 10 F 10Vdc ±20% B 85 10uF GRM319B31A106ME18 - Product Image 1

GRM319B31A106ME18 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 1206 10 F 10Vdc ±20% B 85 10uF GRM319B31A106ME18 - Product Image 2

GRM319B31A106ME18 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 1206 10 F 10Vdc ±20% B 85 10uF GRM319B31A106ME18 - Product Image 3

GRM319B31A106ME18 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 1206 10 F 10Vdc ±20% B 85 10uF GRM319B31A106ME18 - Product Image 4

GRM319B31A106ME18 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 1206 10 F 10Vdc ±20% B 85 10uF GRM319B31A106ME18 - Product Image 5

GRM319B31A106ME18 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 1206 10 F 10Vdc ±20% B 85 10uF GRM319B31A106ME18 - Product Image 6

GRM319B31A106ME18 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 1206 10 F 10Vdc ±20% B 85 10uF GRM319B31A106ME18

฿16.75-67

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

HELLOCHIP LIMITED

1 yrs

GRM32EB11A106KC01(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 1210 10 F 10Vdc ± 10% B 85 10uF GRM32EB11A106KC01 - Product Image 1

GRM32EB11A106KC01(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 1210 10 F 10Vdc ± 10% B 85 10uF GRM32EB11A106KC01 - Product Image 2

GRM32EB11A106KC01(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 1210 10 F 10Vdc ± 10% B 85 10uF GRM32EB11A106KC01 - Product Image 3

GRM32EB11A106KC01(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 1210 10 F 10Vdc ± 10% B 85 10uF GRM32EB11A106KC01 - Product Image 4

GRM32EB11A106KC01(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 1210 10 F 10Vdc ± 10% B 85 10uF GRM32EB11A106KC01 - Product Image 5

GRM32EB11A106KC01(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 1210 10 F 10Vdc ± 10% B 85 10uF GRM32EB11A106KC01 - Product Image 6

GRM32EB11A106KC01(CHY ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์) 1210 10 F 10Vdc ± 10% B 85 10uF GRM32EB11A106KC01

฿16.75-67

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

HELLOCHIP LIMITED

1 yrs

GRM32EB11A106KA01(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 1210 10 F 10Vdc ± 10% B 85 10uF GRM32EB11A106KA01 - Product Image 1

GRM32EB11A106KA01(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 1210 10 F 10Vdc ± 10% B 85 10uF GRM32EB11A106KA01 - Product Image 2

GRM32EB11A106KA01(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 1210 10 F 10Vdc ± 10% B 85 10uF GRM32EB11A106KA01 - Product Image 3

GRM32EB11A106KA01(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 1210 10 F 10Vdc ± 10% B 85 10uF GRM32EB11A106KA01 - Product Image 4

GRM32EB11A106KA01(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 1210 10 F 10Vdc ± 10% B 85 10uF GRM32EB11A106KA01 - Product Image 5

GRM32EB11A106KA01(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 1210 10 F 10Vdc ± 10% B 85 10uF GRM32EB11A106KA01 - Product Image 6

GRM32EB11A106KA01(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 1210 10 F 10Vdc ± 10% B 85 10uF GRM32EB11A106KA01

฿16.75-67

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

HELLOCHIP LIMITED

1 yrs