All categories

Featured selections

Trade Assurance

Buyer Central

Help Center

Get the app

Become a supplier

Aluminum pcb

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น EGT108M1VI20RRS0P ขนาด D12.5xL20 มม. 1000uF 20% 35V 5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น EGT108M1VI20RRS0P ขนาด D12.5xL20 มม. 1000uF 20% 35V 5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น EGT108M1VI20RRS0P ขนาด D12.5xL20 มม. 1000uF 20% 35V 5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น EGT108M1VI20RRS0P ขนาด D12.5xL20 มม. 1000uF 20% 35V 5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น EGT108M1VI20RRS0P ขนาด D12.5xL20 มม. 1000uF 20% 35V 5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น EGT108M1VI20RRS0P ขนาด D12.5xL20 มม. 1000uF 20% 35V 5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น EGT108M1VI20RRS0P ขนาด D12.5xL20 มม. 1000uF 20% 35V 5 มม.

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

ตัวเก็บประจุชนิดอิเล็กโทรลีติคอลูมิเนียมแข็ง-ของเหลว EEHZK1V181P D8xL10.2mm 180uF 20% 35V 300mA-100Hz - Product Image 1

ตัวเก็บประจุชนิดอิเล็กโทรลีติคอลูมิเนียมแข็ง-ของเหลว EEHZK1V181P D8xL10.2mm 180uF 20% 35V 300mA-100Hz - Product Image 2

ตัวเก็บประจุชนิดอิเล็กโทรลีติคอลูมิเนียมแข็ง-ของเหลว EEHZK1V181P D8xL10.2mm 180uF 20% 35V 300mA-100Hz - Product Image 3

ตัวเก็บประจุชนิดอิเล็กโทรลีติคอลูมิเนียมแข็ง-ของเหลว EEHZK1V181P D8xL10.2mm 180uF 20% 35V 300mA-100Hz - Product Image 4

ตัวเก็บประจุชนิดอิเล็กโทรลีติคอลูมิเนียมแข็ง-ของเหลว EEHZK1V181P D8xL10.2mm 180uF 20% 35V 300mA-100Hz - Product Image 5

ตัวเก็บประจุชนิดอิเล็กโทรลีติคอลูมิเนียมแข็ง-ของเหลว EEHZK1V181P D8xL10.2mm 180uF 20% 35V 300mA-100Hz - Product Image 6

ตัวเก็บประจุชนิดอิเล็กโทรลีติคอลูมิเนียมแข็ง-ของเหลว EEHZK1V181P D8xL10.2mm 180uF 20% 35V 300mA-100Hz

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

โครงการส่งเสริมความรู้ระดับโลก การติดตั้งเครื่องจักรต้นแบบ PCB ที่ทนทานและใช้พลังงานแสงอาทิตย์ในศูนย์ STEM ทั่วโลก - Product Image 1

โครงการส่งเสริมความรู้ระดับโลก การติดตั้งเครื่องจักรต้นแบบ PCB ที่ทนทานและใช้พลังงานแสงอาทิตย์ในศูนย์ STEM ทั่วโลก - Product Image 2

โครงการส่งเสริมความรู้ระดับโลก การติดตั้งเครื่องจักรต้นแบบ PCB ที่ทนทานและใช้พลังงานแสงอาทิตย์ในศูนย์ STEM ทั่วโลก - Product Image 3

โครงการส่งเสริมความรู้ระดับโลก การติดตั้งเครื่องจักรต้นแบบ PCB ที่ทนทานและใช้พลังงานแสงอาทิตย์ในศูนย์ STEM ทั่วโลก - Product Image 4

โครงการส่งเสริมความรู้ระดับโลก การติดตั้งเครื่องจักรต้นแบบ PCB ที่ทนทานและใช้พลังงานแสงอาทิตย์ในศูนย์ STEM ทั่วโลก - Product Image 5

โครงการส่งเสริมความรู้ระดับโลก การติดตั้งเครื่องจักรต้นแบบ PCB ที่ทนทานและใช้พลังงานแสงอาทิตย์ในศูนย์ STEM ทั่วโลก - Product Image 6

โครงการส่งเสริมความรู้ระดับโลก การติดตั้งเครื่องจักรต้นแบบ PCB ที่ทนทานและใช้พลังงานแสงอาทิตย์ในศูนย์ STEM ทั่วโลก

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 10

NFR400V33M12.5 * 25 5.0TP ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรไลติกผ่านรู, D12.5xL25mm 33uF 20% 400V 780mA - Product Image 1

NFR400V33M12.5 * 25 5.0TP ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรไลติกผ่านรู, D12.5xL25mm 33uF 20% 400V 780mA - Product Image 2

NFR400V33M12.5 * 25 5.0TP ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรไลติกผ่านรู, D12.5xL25mm 33uF 20% 400V 780mA - Product Image 3

NFR400V33M12.5 * 25 5.0TP ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรไลติกผ่านรู, D12.5xL25mm 33uF 20% 400V 780mA - Product Image 4

NFR400V33M12.5 * 25 5.0TP ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรไลติกผ่านรู, D12.5xL25mm 33uF 20% 400V 780mA - Product Image 5

NFR400V33M12.5 * 25 5.0TP ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรไลติกผ่านรู, D12.5xL25mm 33uF 20% 400V 780mA - Product Image 6

NFR400V33M12.5 * 25 5.0TP ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรไลติกผ่านรู, D12.5xL25mm 33uF 20% 400V 780mA

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

ESP32ระบบ Ai รุ่นต่อไปสำหรับระบบส่งข้อมูลขั้นสูงเครื่องสร้างต้นแบบ PCB ความเร็วสูงสำหรับการใช้งาน Ai - Product Image 1

ESP32ระบบ Ai รุ่นต่อไปสำหรับระบบส่งข้อมูลขั้นสูงเครื่องสร้างต้นแบบ PCB ความเร็วสูงสำหรับการใช้งาน Ai - Product Image 2

ESP32ระบบ Ai รุ่นต่อไปสำหรับระบบส่งข้อมูลขั้นสูงเครื่องสร้างต้นแบบ PCB ความเร็วสูงสำหรับการใช้งาน Ai - Product Image 3

ESP32ระบบ Ai รุ่นต่อไปสำหรับระบบส่งข้อมูลขั้นสูงเครื่องสร้างต้นแบบ PCB ความเร็วสูงสำหรับการใช้งาน Ai - Product Image 4

ESP32ระบบ Ai รุ่นต่อไปสำหรับระบบส่งข้อมูลขั้นสูงเครื่องสร้างต้นแบบ PCB ความเร็วสูงสำหรับการใช้งาน Ai - Product Image 5

ESP32ระบบ Ai รุ่นต่อไปสำหรับระบบส่งข้อมูลขั้นสูงเครื่องสร้างต้นแบบ PCB ความเร็วสูงสำหรับการใช้งาน Ai - Product Image 6

ESP32ระบบ Ai รุ่นต่อไปสำหรับระบบส่งข้อมูลขั้นสูงเครื่องสร้างต้นแบบ PCB ความเร็วสูงสำหรับการใช้งาน Ai

฿3,173.11-15,865.53

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 2

ตัวเก็บประจุแบบไฮบริดของเหลว-ของแข็ง VHUE1051V221MVCG ทำจากอะลูมิเนียมอิเล็กโทรไลต์ แบบ SMD, ขนาด D10xL10.5 มม. 220uF 20% 35V 10 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแบบไฮบริดของเหลว-ของแข็ง VHUE1051V221MVCG ทำจากอะลูมิเนียมอิเล็กโทรไลต์ แบบ SMD, ขนาด D10xL10.5 มม. 220uF 20% 35V 10 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแบบไฮบริดของเหลว-ของแข็ง VHUE1051V221MVCG ทำจากอะลูมิเนียมอิเล็กโทรไลต์ แบบ SMD, ขนาด D10xL10.5 มม. 220uF 20% 35V 10 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแบบไฮบริดของเหลว-ของแข็ง VHUE1051V221MVCG ทำจากอะลูมิเนียมอิเล็กโทรไลต์ แบบ SMD, ขนาด D10xL10.5 มม. 220uF 20% 35V 10 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแบบไฮบริดของเหลว-ของแข็ง VHUE1051V221MVCG ทำจากอะลูมิเนียมอิเล็กโทรไลต์ แบบ SMD, ขนาด D10xL10.5 มม. 220uF 20% 35V 10 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแบบไฮบริดของเหลว-ของแข็ง VHUE1051V221MVCG ทำจากอะลูมิเนียมอิเล็กโทรไลต์ แบบ SMD, ขนาด D10xL10.5 มม. 220uF 20% 35V 10 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบไฮบริดของเหลว-ของแข็ง VHUE1051V221MVCG ทำจากอะลูมิเนียมอิเล็กโทรไลต์ แบบ SMD, ขนาด D10xL10.5 มม. 220uF 20% 35V 10 มม.

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

ตัวเก็บประจุแบบไฮบริดของเหลว-ของแข็ง HBR101M1EBK-0608 อลูมิเนียมอิเล็กโทรไลต์ แบบ Through hole, ขนาด D6.3xL8 มม. 100uF 6.3 มม. 8 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแบบไฮบริดของเหลว-ของแข็ง HBR101M1EBK-0608 อลูมิเนียมอิเล็กโทรไลต์ แบบ Through hole, ขนาด D6.3xL8 มม. 100uF 6.3 มม. 8 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแบบไฮบริดของเหลว-ของแข็ง HBR101M1EBK-0608 อลูมิเนียมอิเล็กโทรไลต์ แบบ Through hole, ขนาด D6.3xL8 มม. 100uF 6.3 มม. 8 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแบบไฮบริดของเหลว-ของแข็ง HBR101M1EBK-0608 อลูมิเนียมอิเล็กโทรไลต์ แบบ Through hole, ขนาด D6.3xL8 มม. 100uF 6.3 มม. 8 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแบบไฮบริดของเหลว-ของแข็ง HBR101M1EBK-0608 อลูมิเนียมอิเล็กโทรไลต์ แบบ Through hole, ขนาด D6.3xL8 มม. 100uF 6.3 มม. 8 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแบบไฮบริดของเหลว-ของแข็ง HBR101M1EBK-0608 อลูมิเนียมอิเล็กโทรไลต์ แบบ Through hole, ขนาด D6.3xL8 มม. 100uF 6.3 มม. 8 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบไฮบริดของเหลว-ของแข็ง HBR101M1EBK-0608 อลูมิเนียมอิเล็กโทรไลต์ แบบ Through hole, ขนาด D6.3xL8 มม. 100uF 6.3 มม. 8 มม.

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น KM337V050G20RR0VH2FP1 ขนาด D10xL20 มม. 330uF -10%~+20% 50V 5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น KM337V050G20RR0VH2FP1 ขนาด D10xL20 มม. 330uF -10%~+20% 50V 5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น KM337V050G20RR0VH2FP1 ขนาด D10xL20 มม. 330uF -10%~+20% 50V 5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น KM337V050G20RR0VH2FP1 ขนาด D10xL20 มม. 330uF -10%~+20% 50V 5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น KM337V050G20RR0VH2FP1 ขนาด D10xL20 มม. 330uF -10%~+20% 50V 5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น KM337V050G20RR0VH2FP1 ขนาด D10xL20 มม. 330uF -10%~+20% 50V 5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อะลูมิเนียมแบบ Through-Hole รุ่น KM337V050G20RR0VH2FP1 ขนาด D10xL20 มม. 330uF -10%~+20% 50V 5 มม.

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1