All categories

Featured selections

Trade Assurance

Buyer Central

Help Center

Get the app

Become a supplier

ะะ พ

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น L06F1B472MQ0T0S0N0 ระยะขา P=5 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 500V ระยะขา 5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น L06F1B472MQ0T0S0N0 ระยะขา P=5 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 500V ระยะขา 5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น L06F1B472MQ0T0S0N0 ระยะขา P=5 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 500V ระยะขา 5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น L06F1B472MQ0T0S0N0 ระยะขา P=5 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 500V ระยะขา 5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น L06F1B472MQ0T0S0N0 ระยะขา P=5 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 500V ระยะขา 5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น L06F1B472MQ0T0S0N0 ระยะขา P=5 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 500V ระยะขา 5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น L06F1B472MQ0T0S0N0 ระยะขา P=5 มม. ความจุ 4.7nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 500V ระยะขา 5 มม.

฿0.3166-1.90

MOQ: 20

ชิปอิเล็กทรอนิกส์ Original One Stop Service Power Management (PMIC) SOT 23 5 Thin, TSOT 23 5 รุ่น MP8802DJ-2.5-LF-P - Product Image 1

ชิปอิเล็กทรอนิกส์ Original One Stop Service Power Management (PMIC) SOT 23 5 Thin, TSOT 23 5 รุ่น MP8802DJ-2.5-LF-P - Product Image 2

ชิปอิเล็กทรอนิกส์ Original One Stop Service Power Management (PMIC) SOT 23 5 Thin, TSOT 23 5 รุ่น MP8802DJ-2.5-LF-P - Product Image 3

ชิปอิเล็กทรอนิกส์ Original One Stop Service Power Management (PMIC) SOT 23 5 Thin, TSOT 23 5 รุ่น MP8802DJ-2.5-LF-P - Product Image 4

ชิปอิเล็กทรอนิกส์ Original One Stop Service Power Management (PMIC) SOT 23 5 Thin, TSOT 23 5 รุ่น MP8802DJ-2.5-LF-P - Product Image 5

ชิปอิเล็กทรอนิกส์ Original One Stop Service Power Management (PMIC) SOT 23 5 Thin, TSOT 23 5 รุ่น MP8802DJ-2.5-LF-P - Product Image 6

ชิปอิเล็กทรอนิกส์ Original One Stop Service Power Management (PMIC) SOT 23 5 Thin, TSOT 23 5 รุ่น MP8802DJ-2.5-LF-P

฿11.40-34.51

MOQ: 1

MX25R-7.62-07P-BK01-Cu-S-A Barrier Terminal Block Bent Lead Through Hole,P=7.62mm Connector Two Sides 7.62mm 1x7P Right Angle - Product Image 1

MX25R-7.62-07P-BK01-Cu-S-A Barrier Terminal Block Bent Lead Through Hole,P=7.62mm Connector Two Sides 7.62mm 1x7P Right Angle - Product Image 2

MX25R-7.62-07P-BK01-Cu-S-A Barrier Terminal Block Bent Lead Through Hole,P=7.62mm Connector Two Sides 7.62mm 1x7P Right Angle - Product Image 3

MX25R-7.62-07P-BK01-Cu-S-A Barrier Terminal Block Bent Lead Through Hole,P=7.62mm Connector Two Sides 7.62mm 1x7P Right Angle - Product Image 4

MX25R-7.62-07P-BK01-Cu-S-A Barrier Terminal Block Bent Lead Through Hole,P=7.62mm Connector Two Sides 7.62mm 1x7P Right Angle - Product Image 5

MX25R-7.62-07P-BK01-Cu-S-A Barrier Terminal Block Bent Lead Through Hole,P=7.62mm Connector Two Sides 7.62mm 1x7P Right Angle - Product Image 6

MX25R-7.62-07P-BK01-Cu-S-A Barrier Terminal Block Bent Lead Through Hole,P=7.62mm Connector Two Sides 7.62mm 1x7P Right Angle

฿10.77-42.11

MOQ: 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH102M22Y5UN6JL5A0 ชนิด Through Hole Component (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 1nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH102M22Y5UN6JL5A0 ชนิด Through Hole Component (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 1nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH102M22Y5UN6JL5A0 ชนิด Through Hole Component (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 1nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH102M22Y5UN6JL5A0 ชนิด Through Hole Component (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 1nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH102M22Y5UN6JL5A0 ชนิด Through Hole Component (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 1nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH102M22Y5UN6JL5A0 ชนิด Through Hole Component (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 1nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น DCH102M22Y5UN6JL5A0 ชนิด Through Hole Component (THT), ระยะขา P=5 มม. ความจุ 1nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 1kV ระยะขา 5 มม.

฿0.3166-1.90

MOQ: 20

อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์คุณภาพสูง,PIC16F877-04E/P,ราคาดี - Product Image 1

อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์คุณภาพสูง,PIC16F877-04E/P,ราคาดี - Product Image 2

อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์คุณภาพสูง,PIC16F877-04E/P,ราคาดี - Product Image 3

อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์คุณภาพสูง,PIC16F877-04E/P,ราคาดี - Product Image 4

อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์คุณภาพสูง,PIC16F877-04E/P,ราคาดี - Product Image 5

อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์คุณภาพสูง,PIC16F877-04E/P,ราคาดี - Product Image 6

อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์คุณภาพสูง,PIC16F877-04E/P,ราคาดี

฿31.35-284.63

MOQ: 10

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC3A102KC1GEB45F31MF ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5.08 มม. 1nF 10% 1kV 5.08 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC3A102KC1GEB45F31MF ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5.08 มม. 1nF 10% 1kV 5.08 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC3A102KC1GEB45F31MF ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5.08 มม. 1nF 10% 1kV 5.08 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC3A102KC1GEB45F31MF ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5.08 มม. 1nF 10% 1kV 5.08 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC3A102KC1GEB45F31MF ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5.08 มม. 1nF 10% 1kV 5.08 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC3A102KC1GEB45F31MF ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5.08 มม. 1nF 10% 1kV 5.08 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC3A102KC1GEB45F31MF ชิ้นส่วนแบบ Through-Hole (THT), ระยะขา P=5.08 มม. 1nF 10% 1kV 5.08 มม.

฿0.3166-1.27

MOQ: 50

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบเจาะรู (THT) รุ่น N06B1B101KN0B0S0B0 ระยะขา P=5 มม. 100pF 10% 1kV 5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบเจาะรู (THT) รุ่น N06B1B101KN0B0S0B0 ระยะขา P=5 มม. 100pF 10% 1kV 5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบเจาะรู (THT) รุ่น N06B1B101KN0B0S0B0 ระยะขา P=5 มม. 100pF 10% 1kV 5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบเจาะรู (THT) รุ่น N06B1B101KN0B0S0B0 ระยะขา P=5 มม. 100pF 10% 1kV 5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบเจาะรู (THT) รุ่น N06B1B101KN0B0S0B0 ระยะขา P=5 มม. 100pF 10% 1kV 5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบเจาะรู (THT) รุ่น N06B1B101KN0B0S0B0 ระยะขา P=5 มม. 100pF 10% 1kV 5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบเจาะรู (THT) รุ่น N06B1B101KN0B0S0B0 ระยะขา P=5 มม. 100pF 10% 1kV 5 มม.

฿0.3166-1.27

MOQ: 50

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น L06B1B102KN0B0S0N0 ระยะขา P=5 มม. 1nF 10% 500V 5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น L06B1B102KN0B0S0N0 ระยะขา P=5 มม. 1nF 10% 500V 5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น L06B1B102KN0B0S0N0 ระยะขา P=5 มม. 1nF 10% 500V 5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น L06B1B102KN0B0S0N0 ระยะขา P=5 มม. 1nF 10% 500V 5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น L06B1B102KN0B0S0N0 ระยะขา P=5 มม. 1nF 10% 500V 5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น L06B1B102KN0B0S0N0 ระยะขา P=5 มม. 1nF 10% 500V 5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น L06B1B102KN0B0S0N0 ระยะขา P=5 มม. 1nF 10% 500V 5 มม.

฿0.3166-0.9498

MOQ: 50