All categories
Featured selections
Trade Assurance
Buyer Central
Help Center
Get the app
Become a supplier

ะะ พ

(มีสินค้า 999+ รายการ)

ตัวเก็บประจุ4.7PF เซรามิก25V C0G /npo ตัวเก็บประจุ4.7 pF CC0201CRNPO8BN4R7ฝาครอบช่องผู้ผลิต - Product Image 1
ตัวเก็บประจุ4.7PF เซรามิก25V C0G /npo ตัวเก็บประจุ4.7 pF CC0201CRNPO8BN4R7ฝาครอบช่องผู้ผลิต - Product Image 2
ตัวเก็บประจุ4.7PF เซรามิก25V C0G /npo ตัวเก็บประจุ4.7 pF CC0201CRNPO8BN4R7ฝาครอบช่องผู้ผลิต - Product Image 3
ตัวเก็บประจุ4.7PF เซรามิก25V C0G /npo ตัวเก็บประจุ4.7 pF CC0201CRNPO8BN4R7ฝาครอบช่องผู้ผลิต - Product Image 4
ตัวเก็บประจุ4.7PF เซรามิก25V C0G /npo ตัวเก็บประจุ4.7 pF CC0201CRNPO8BN4R7ฝาครอบช่องผู้ผลิต - Product Image 5
ตัวเก็บประจุ4.7PF เซรามิก25V C0G /npo ตัวเก็บประจุ4.7 pF CC0201CRNPO8BN4R7ฝาครอบช่องผู้ผลิต - Product Image 6

ตัวเก็บประจุ4.7PF เซรามิก25V C0G /npo ตัวเก็บประจุ4.7 pF CC0201CRNPO8BN4R7ฝาครอบช่องผู้ผลิต

฿0.3383-1.70
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
KAILIYUAN TECHNOLOGY INTERNATIONAL CO., LIMITED
1 yrsHK flagHK
ตัวเก็บประจุเซรามิกติดพื้นผิว MLcc UMK105B7682KVHF 6800 pF CAP 6800PF 50V X7R 0402 0402 (1005เมตริก) - Product Image 1
ตัวเก็บประจุเซรามิกติดพื้นผิว MLcc UMK105B7682KVHF 6800 pF CAP 6800PF 50V X7R 0402 0402 (1005เมตริก) - Product Image 2
ตัวเก็บประจุเซรามิกติดพื้นผิว MLcc UMK105B7682KVHF 6800 pF CAP 6800PF 50V X7R 0402 0402 (1005เมตริก) - Product Image 3
ตัวเก็บประจุเซรามิกติดพื้นผิว MLcc UMK105B7682KVHF 6800 pF CAP 6800PF 50V X7R 0402 0402 (1005เมตริก) - Product Image 4
ตัวเก็บประจุเซรามิกติดพื้นผิว MLcc UMK105B7682KVHF 6800 pF CAP 6800PF 50V X7R 0402 0402 (1005เมตริก) - Product Image 5
ตัวเก็บประจุเซรามิกติดพื้นผิว MLcc UMK105B7682KVHF 6800 pF CAP 6800PF 50V X7R 0402 0402 (1005เมตริก) - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกติดพื้นผิว MLcc UMK105B7682KVHF 6800 pF CAP 6800PF 50V X7R 0402 0402 (1005เมตริก)

฿0.3383-1.70
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
KAILIYUAN TECHNOLOGY INTERNATIONAL CO., LIMITED
1 yrsHK flagHK
ตัวเก็บประจุเซรามิก CER 15PF 25V C0G/NP0 0201 15 pF ยึดพื้นผิว TMK063CG150JP-F MLCC 0201 (0603เมตริก) - Product Image 1
ตัวเก็บประจุเซรามิก CER 15PF 25V C0G/NP0 0201 15 pF ยึดพื้นผิว TMK063CG150JP-F MLCC 0201 (0603เมตริก) - Product Image 2
ตัวเก็บประจุเซรามิก CER 15PF 25V C0G/NP0 0201 15 pF ยึดพื้นผิว TMK063CG150JP-F MLCC 0201 (0603เมตริก) - Product Image 3
ตัวเก็บประจุเซรามิก CER 15PF 25V C0G/NP0 0201 15 pF ยึดพื้นผิว TMK063CG150JP-F MLCC 0201 (0603เมตริก) - Product Image 4
ตัวเก็บประจุเซรามิก CER 15PF 25V C0G/NP0 0201 15 pF ยึดพื้นผิว TMK063CG150JP-F MLCC 0201 (0603เมตริก) - Product Image 5
ตัวเก็บประจุเซรามิก CER 15PF 25V C0G/NP0 0201 15 pF ยึดพื้นผิว TMK063CG150JP-F MLCC 0201 (0603เมตริก) - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิก CER 15PF 25V C0G/NP0 0201 15 pF ยึดพื้นผิว TMK063CG150JP-F MLCC 0201 (0603เมตริก)

฿0.3383-1.70
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
KAILIYUAN TECHNOLOGY INTERNATIONAL CO., LIMITED
1 yrsHK flagHK
K4UBE3D4AA-MGCL LPDDR4X 4GB 200FBGA SDRAM ชิปหน่วยความจำ IC วงจรรวม ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ ของใหม่ - Product Image 1
K4UBE3D4AA-MGCL LPDDR4X 4GB 200FBGA SDRAM ชิปหน่วยความจำ IC วงจรรวม ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ ของใหม่ - Product Image 2
K4UBE3D4AA-MGCL LPDDR4X 4GB 200FBGA SDRAM ชิปหน่วยความจำ IC วงจรรวม ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ ของใหม่ - Product Image 3
K4UBE3D4AA-MGCL LPDDR4X 4GB 200FBGA SDRAM ชิปหน่วยความจำ IC วงจรรวม ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ ของใหม่ - Product Image 4
K4UBE3D4AA-MGCL LPDDR4X 4GB 200FBGA SDRAM ชิปหน่วยความจำ IC วงจรรวม ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ ของใหม่ - Product Image 5
K4UBE3D4AA-MGCL LPDDR4X 4GB 200FBGA SDRAM ชิปหน่วยความจำ IC วงจรรวม ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ ของใหม่ - Product Image 6

K4UBE3D4AA-MGCL LPDDR4X 4GB 200FBGA SDRAM ชิปหน่วยความจำ IC วงจรรวม ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ ของใหม่

฿3.39
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HONG KONG TWIN CITY ELECTRONICS CO., LIMITED
1 yrsHK flagHK
ตัวเก็บประจุเซรามิก22 pF ตัวครอบ22PF 25V C0G/NPO 0201 CC0201JRNPO8BN220 0201 (0603เมตริก) - Product Image 1
ตัวเก็บประจุเซรามิก22 pF ตัวครอบ22PF 25V C0G/NPO 0201 CC0201JRNPO8BN220 0201 (0603เมตริก) - Product Image 2
ตัวเก็บประจุเซรามิก22 pF ตัวครอบ22PF 25V C0G/NPO 0201 CC0201JRNPO8BN220 0201 (0603เมตริก) - Product Image 3
ตัวเก็บประจุเซรามิก22 pF ตัวครอบ22PF 25V C0G/NPO 0201 CC0201JRNPO8BN220 0201 (0603เมตริก) - Product Image 4
ตัวเก็บประจุเซรามิก22 pF ตัวครอบ22PF 25V C0G/NPO 0201 CC0201JRNPO8BN220 0201 (0603เมตริก) - Product Image 5
ตัวเก็บประจุเซรามิก22 pF ตัวครอบ22PF 25V C0G/NPO 0201 CC0201JRNPO8BN220 0201 (0603เมตริก) - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิก22 pF ตัวครอบ22PF 25V C0G/NPO 0201 CC0201JRNPO8BN220 0201 (0603เมตริก)

฿0.3383-1.70
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
KAILIYUAN TECHNOLOGY INTERNATIONAL CO., LIMITED
1 yrsHK flagHK
ตัวเก็บประจุเซรามิกเซอร์ SMD 22 PF แบบยึดผิวตัวเก็บประจุ04025A220JAT2A-62 MLCC 0402 (1005เมตริก) จากตัวแทนจำหน่ายที่ได้รับอนุญาต - Product Image 1
ตัวเก็บประจุเซรามิกเซอร์ SMD 22 PF แบบยึดผิวตัวเก็บประจุ04025A220JAT2A-62 MLCC 0402 (1005เมตริก) จากตัวแทนจำหน่ายที่ได้รับอนุญาต - Product Image 2
ตัวเก็บประจุเซรามิกเซอร์ SMD 22 PF แบบยึดผิวตัวเก็บประจุ04025A220JAT2A-62 MLCC 0402 (1005เมตริก) จากตัวแทนจำหน่ายที่ได้รับอนุญาต - Product Image 3
ตัวเก็บประจุเซรามิกเซอร์ SMD 22 PF แบบยึดผิวตัวเก็บประจุ04025A220JAT2A-62 MLCC 0402 (1005เมตริก) จากตัวแทนจำหน่ายที่ได้รับอนุญาต - Product Image 4
ตัวเก็บประจุเซรามิกเซอร์ SMD 22 PF แบบยึดผิวตัวเก็บประจุ04025A220JAT2A-62 MLCC 0402 (1005เมตริก) จากตัวแทนจำหน่ายที่ได้รับอนุญาต - Product Image 5
ตัวเก็บประจุเซรามิกเซอร์ SMD 22 PF แบบยึดผิวตัวเก็บประจุ04025A220JAT2A-62 MLCC 0402 (1005เมตริก) จากตัวแทนจำหน่ายที่ได้รับอนุญาต - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกเซอร์ SMD 22 PF แบบยึดผิวตัวเก็บประจุ04025A220JAT2A-62 MLCC 0402 (1005เมตริก) จากตัวแทนจำหน่ายที่ได้รับอนุญาต

฿0.3383-1.70
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
KAILIYUAN TECHNOLOGY INTERNATIONAL CO., LIMITED
1 yrsHK flagHK
H9JCNNNCP3MLYR-N6E LPDDR5 4GB 315FBGA SDRAM ชิปหน่วยความจำ IC วงจรรวมชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ยี่ห้อใหม่ - Product Image 1
H9JCNNNCP3MLYR-N6E LPDDR5 4GB 315FBGA SDRAM ชิปหน่วยความจำ IC วงจรรวมชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ยี่ห้อใหม่ - Product Image 2
H9JCNNNCP3MLYR-N6E LPDDR5 4GB 315FBGA SDRAM ชิปหน่วยความจำ IC วงจรรวมชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ยี่ห้อใหม่ - Product Image 3
H9JCNNNCP3MLYR-N6E LPDDR5 4GB 315FBGA SDRAM ชิปหน่วยความจำ IC วงจรรวมชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ยี่ห้อใหม่ - Product Image 4
H9JCNNNCP3MLYR-N6E LPDDR5 4GB 315FBGA SDRAM ชิปหน่วยความจำ IC วงจรรวมชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ยี่ห้อใหม่ - Product Image 5
H9JCNNNCP3MLYR-N6E LPDDR5 4GB 315FBGA SDRAM ชิปหน่วยความจำ IC วงจรรวมชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ยี่ห้อใหม่ - Product Image 6

H9JCNNNCP3MLYR-N6E LPDDR5 4GB 315FBGA SDRAM ชิปหน่วยความจำ IC วงจรรวมชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ยี่ห้อใหม่

฿3.39
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HONG KONG TWIN CITY ELECTRONICS CO., LIMITED
1 yrsHK flagHK
K4U6E3S4AA-MGCL LPDDR4X 2GB 200FBGA SDRAM ชิปหน่วยความจำ IC วงจรรวม ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ ของใหม่ - Product Image 1
K4U6E3S4AA-MGCL LPDDR4X 2GB 200FBGA SDRAM ชิปหน่วยความจำ IC วงจรรวม ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ ของใหม่ - Product Image 2
K4U6E3S4AA-MGCL LPDDR4X 2GB 200FBGA SDRAM ชิปหน่วยความจำ IC วงจรรวม ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ ของใหม่ - Product Image 3
K4U6E3S4AA-MGCL LPDDR4X 2GB 200FBGA SDRAM ชิปหน่วยความจำ IC วงจรรวม ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ ของใหม่ - Product Image 4
K4U6E3S4AA-MGCL LPDDR4X 2GB 200FBGA SDRAM ชิปหน่วยความจำ IC วงจรรวม ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ ของใหม่ - Product Image 5
K4U6E3S4AA-MGCL LPDDR4X 2GB 200FBGA SDRAM ชิปหน่วยความจำ IC วงจรรวม ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ ของใหม่ - Product Image 6

K4U6E3S4AA-MGCL LPDDR4X 2GB 200FBGA SDRAM ชิปหน่วยความจำ IC วงจรรวม ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ ของใหม่

฿3.39
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HONG KONG TWIN CITY ELECTRONICS CO., LIMITED
1 yrsHK flagHK

การค้นหาที่เกี่ยวข้อง:

นาง สาย ทอง บอน สีviola violonceloใบ้เลขยี่กีirig 2ford pickup 1980guitar nutnoventa stratocasterford pickup 59กระบะ np300นิ ส สัน กระบะ ตอน เดียวbaton rouge guitarกระบะ 4 ประตู นิ ส สันมา ส ด้า กระบะ ตอน เดียวprotone telecasterford pickup 1970กระบะ มา ส ด้า ตอน เดียวกระบะ 4 ประตู ใส่ คอกpickup f150telecaster joe strummerเฟ็ด เฟ่