All categories

Featured selections

Trade Assurance

Buyer Central

Help Center

Get the app

Become a supplier

ะะ พ

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81-P12Y5V0E103MTE แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 10nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 3kV ระยะขา 10 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81-P12Y5V0E103MTE แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 10nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 3kV ระยะขา 10 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81-P12Y5V0E103MTE แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 10nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 3kV ระยะขา 10 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81-P12Y5V0E103MTE แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 10nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 3kV ระยะขา 10 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81-P12Y5V0E103MTE แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 10nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 3kV ระยะขา 10 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81-P12Y5V0E103MTE แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 10nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 3kV ระยะขา 10 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT81-P12Y5V0E103MTE แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=10 มม. ความจุ 10nF ค่าความคลาดเคลื่อน 20% แรงดัน 3kV ระยะขา 10 มม.

฿1.91-8.26

MOQ: 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC45SL3FD470JYVNA แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 47pF 5% 3kV 7.5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC45SL3FD470JYVNA แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 47pF 5% 3kV 7.5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC45SL3FD470JYVNA แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 47pF 5% 3kV 7.5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC45SL3FD470JYVNA แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 47pF 5% 3kV 7.5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC45SL3FD470JYVNA แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 47pF 5% 3kV 7.5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC45SL3FD470JYVNA แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 47pF 5% 3kV 7.5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CC45SL3FD470JYVNA แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 47pF 5% 3kV 7.5 มม.

฿0.952-3.50

MOQ: 10

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CK45-B3DD332KYNNA แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 3.3nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 2kV ขนาด 7.5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CK45-B3DD332KYNNA แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 3.3nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 2kV ขนาด 7.5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CK45-B3DD332KYNNA แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 3.3nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 2kV ขนาด 7.5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CK45-B3DD332KYNNA แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 3.3nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 2kV ขนาด 7.5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CK45-B3DD332KYNNA แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 3.3nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 2kV ขนาด 7.5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CK45-B3DD332KYNNA แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 3.3nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 2kV ขนาด 7.5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CK45-B3DD332KYNNA แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=7.5 มม. ความจุ 3.3nF ค่าความคลาดเคลื่อน 10% แรงดัน 2kV ขนาด 7.5 มม.

฿9.21-35.86

MOQ: 1

อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์คุณภาพสูง, PIC16C712-20I/P, ราคาดี - Product Image 1

อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์คุณภาพสูง, PIC16C712-20I/P, ราคาดี - Product Image 2

อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์คุณภาพสูง, PIC16C712-20I/P, ราคาดี - Product Image 3

อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์คุณภาพสูง, PIC16C712-20I/P, ราคาดี - Product Image 4

อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์คุณภาพสูง, PIC16C712-20I/P, ราคาดี - Product Image 5

อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์คุณภาพสูง, PIC16C712-20I/P, ราคาดี - Product Image 6

อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์คุณภาพสูง, PIC16C712-20I/P, ราคาดี

฿31.42-285.27

MOQ: 10

อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์คุณภาพสูง, PIC16LCE625-04/P, ราคาดี - Product Image 1

อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์คุณภาพสูง, PIC16LCE625-04/P, ราคาดี - Product Image 2

อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์คุณภาพสูง, PIC16LCE625-04/P, ราคาดี - Product Image 3

อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์คุณภาพสูง, PIC16LCE625-04/P, ราคาดี - Product Image 4

อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์คุณภาพสูง, PIC16LCE625-04/P, ราคาดี - Product Image 5

อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์คุณภาพสูง, PIC16LCE625-04/P, ราคาดี - Product Image 6

อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์คุณภาพสูง, PIC16LCE625-04/P, ราคาดี

฿31.42-285.27

MOQ: 10

อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์คุณภาพสูง, PIC16F1709-E/P, ราคาดี - Product Image 1

อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์คุณภาพสูง, PIC16F1709-E/P, ราคาดี - Product Image 2

อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์คุณภาพสูง, PIC16F1709-E/P, ราคาดี - Product Image 3

อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์คุณภาพสูง, PIC16F1709-E/P, ราคาดี - Product Image 4

อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์คุณภาพสูง, PIC16F1709-E/P, ราคาดี - Product Image 5

อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์คุณภาพสูง, PIC16F1709-E/P, ราคาดี - Product Image 6

อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์คุณภาพสูง, PIC16F1709-E/P, ราคาดี

฿31.42-285.27

MOQ: 10

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบเจาะรู J2102K3AY5PS55E ชิ้นส่วนแบบเจาะรู (THT), ระยะขา P=5 มม. 1nF 10% 1kV 5 มม. - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบเจาะรู J2102K3AY5PS55E ชิ้นส่วนแบบเจาะรู (THT), ระยะขา P=5 มม. 1nF 10% 1kV 5 มม. - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบเจาะรู J2102K3AY5PS55E ชิ้นส่วนแบบเจาะรู (THT), ระยะขา P=5 มม. 1nF 10% 1kV 5 มม. - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบเจาะรู J2102K3AY5PS55E ชิ้นส่วนแบบเจาะรู (THT), ระยะขา P=5 มม. 1nF 10% 1kV 5 มม. - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบเจาะรู J2102K3AY5PS55E ชิ้นส่วนแบบเจาะรู (THT), ระยะขา P=5 มม. 1nF 10% 1kV 5 มม. - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบเจาะรู J2102K3AY5PS55E ชิ้นส่วนแบบเจาะรู (THT), ระยะขา P=5 มม. 1nF 10% 1kV 5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบเจาะรู J2102K3AY5PS55E ชิ้นส่วนแบบเจาะรู (THT), ระยะขา P=5 มม. 1nF 10% 1kV 5 มม.

฿0.3174-1.27

MOQ: 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT7-X12Y5V1D103MSE ชนิด Through-hole Component (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 10nF 20% 7.5 มม. Y5V - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT7-X12Y5V1D103MSE ชนิด Through-hole Component (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 10nF 20% 7.5 มม. Y5V - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT7-X12Y5V1D103MSE ชนิด Through-hole Component (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 10nF 20% 7.5 มม. Y5V - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT7-X12Y5V1D103MSE ชนิด Through-hole Component (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 10nF 20% 7.5 มม. Y5V - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT7-X12Y5V1D103MSE ชนิด Through-hole Component (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 10nF 20% 7.5 มม. Y5V - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT7-X12Y5V1D103MSE ชนิด Through-hole Component (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 10nF 20% 7.5 มม. Y5V - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CT7-X12Y5V1D103MSE ชนิด Through-hole Component (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 10nF 20% 7.5 มม. Y5V

฿2.86-11.75

MOQ: 5