All categories
Featured selections
Trade Assurance
Buyer Central
Help Center
Get the app
Become a supplier

80

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

Delong ที่แขวนเพลาขับ4รู P26013314030-80เพลาขับสำหรับ Audi A6และ VW A5 - Product Image 1
Delong ที่แขวนเพลาขับ4รู P26013314030-80เพลาขับสำหรับ Audi A6และ VW A5 - Product Image 2
Delong ที่แขวนเพลาขับ4รู P26013314030-80เพลาขับสำหรับ Audi A6และ VW A5 - Product Image 3
Delong ที่แขวนเพลาขับ4รู P26013314030-80เพลาขับสำหรับ Audi A6และ VW A5 - Product Image 4
Delong ที่แขวนเพลาขับ4รู P26013314030-80เพลาขับสำหรับ Audi A6และ VW A5 - Product Image 5

Delong ที่แขวนเพลาขับ4รู P26013314030-80เพลาขับสำหรับ Audi A6และ VW A5

฿413.34
MOQ: 2
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CK45-E3DD103ZYANA แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 10nF -20%~+80% 2kV 7.5 มม. - Product Image 1
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CK45-E3DD103ZYANA แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 10nF -20%~+80% 2kV 7.5 มม. - Product Image 2
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CK45-E3DD103ZYANA แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 10nF -20%~+80% 2kV 7.5 มม. - Product Image 3
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CK45-E3DD103ZYANA แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 10nF -20%~+80% 2kV 7.5 มม. - Product Image 4
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CK45-E3DD103ZYANA แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 10nF -20%~+80% 2kV 7.5 มม. - Product Image 5
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CK45-E3DD103ZYANA แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 10nF -20%~+80% 2kV 7.5 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole รุ่น CK45-E3DD103ZYANA แบบมีรูทะลุ (THT), ระยะขา P=7.5 มม. 10nF -20%~+80% 2kV 7.5 มม.

฿3.25-13.33
MOQ: 5
SST25VF064C-80-4I-Q2AE หน่วยความจำวงจรรวมใหม่ต้นฉบับหุ้น SST25VF064C-80-4I-Q2AE - Product Image 1
SST25VF064C-80-4I-Q2AE หน่วยความจำวงจรรวมใหม่ต้นฉบับหุ้น SST25VF064C-80-4I-Q2AE - Product Image 2
SST25VF064C-80-4I-Q2AE หน่วยความจำวงจรรวมใหม่ต้นฉบับหุ้น SST25VF064C-80-4I-Q2AE - Product Image 3
SST25VF064C-80-4I-Q2AE หน่วยความจำวงจรรวมใหม่ต้นฉบับหุ้น SST25VF064C-80-4I-Q2AE - Product Image 4
SST25VF064C-80-4I-Q2AE หน่วยความจำวงจรรวมใหม่ต้นฉบับหุ้น SST25VF064C-80-4I-Q2AE - Product Image 5
SST25VF064C-80-4I-Q2AE หน่วยความจำวงจรรวมใหม่ต้นฉบับหุ้น SST25VF064C-80-4I-Q2AE - Product Image 6

SST25VF064C-80-4I-Q2AE หน่วยความจำวงจรรวมใหม่ต้นฉบับหุ้น SST25VF064C-80-4I-Q2AE

฿16.25
MOQ: 10
1206F475Z500CT ตัวเก็บประจุ SMD (MLCC) 1206 (ความจุ: 4.7UF) (ความแม่นยำ: -20% ~ + แรงดันไฟฟ้า80%: 50V) - Product Image 1
1206F475Z500CT ตัวเก็บประจุ SMD (MLCC) 1206 (ความจุ: 4.7UF) (ความแม่นยำ: -20% ~ + แรงดันไฟฟ้า80%: 50V) - Product Image 2
1206F475Z500CT ตัวเก็บประจุ SMD (MLCC) 1206 (ความจุ: 4.7UF) (ความแม่นยำ: -20% ~ + แรงดันไฟฟ้า80%: 50V) - Product Image 3
1206F475Z500CT ตัวเก็บประจุ SMD (MLCC) 1206 (ความจุ: 4.7UF) (ความแม่นยำ: -20% ~ + แรงดันไฟฟ้า80%: 50V) - Product Image 4
1206F475Z500CT ตัวเก็บประจุ SMD (MLCC) 1206 (ความจุ: 4.7UF) (ความแม่นยำ: -20% ~ + แรงดันไฟฟ้า80%: 50V) - Product Image 5
1206F475Z500CT ตัวเก็บประจุ SMD (MLCC) 1206 (ความจุ: 4.7UF) (ความแม่นยำ: -20% ~ + แรงดันไฟฟ้า80%: 50V) - Product Image 6

1206F475Z500CT ตัวเก็บประจุ SMD (MLCC) 1206 (ความจุ: 4.7UF) (ความแม่นยำ: -20% ~ + แรงดันไฟฟ้า80%: 50V)

฿1.30-5.20
MOQ: 1
SST25PF080B-80-4C-QAE-T ชิป IC หน่วยความจำดั้งเดิม SST25PF080B-80-4C-QAE-T 8-SOIC - Product Image 1
SST25PF080B-80-4C-QAE-T ชิป IC หน่วยความจำดั้งเดิม SST25PF080B-80-4C-QAE-T 8-SOIC - Product Image 2
SST25PF080B-80-4C-QAE-T ชิป IC หน่วยความจำดั้งเดิม SST25PF080B-80-4C-QAE-T 8-SOIC - Product Image 3
SST25PF080B-80-4C-QAE-T ชิป IC หน่วยความจำดั้งเดิม SST25PF080B-80-4C-QAE-T 8-SOIC - Product Image 4
SST25PF080B-80-4C-QAE-T ชิป IC หน่วยความจำดั้งเดิม SST25PF080B-80-4C-QAE-T 8-SOIC - Product Image 5
SST25PF080B-80-4C-QAE-T ชิป IC หน่วยความจำดั้งเดิม SST25PF080B-80-4C-QAE-T 8-SOIC - Product Image 6

SST25PF080B-80-4C-QAE-T ชิป IC หน่วยความจำดั้งเดิม SST25PF080B-80-4C-QAE-T 8-SOIC

฿16.25
MOQ: 10
วงจรรวมใหม่แท้ 80-560606-1S - Product Image 1
วงจรรวมใหม่แท้ 80-560606-1S - Product Image 2
วงจรรวมใหม่แท้ 80-560606-1S - Product Image 3
วงจรรวมใหม่แท้ 80-560606-1S - Product Image 4
วงจรรวมใหม่แท้ 80-560606-1S - Product Image 5
วงจรรวมใหม่แท้ 80-560606-1S - Product Image 6

วงจรรวมใหม่แท้ 80-560606-1S

฿1.63
MOQ: 100
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น A09F1D222ZN0B0S0N0 ระยะขา P=10 มม. ความจุ 2.2nF ±20%~+80% แรงดัน 6kV ระยะขา 10 มม. - Product Image 1
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น A09F1D222ZN0B0S0N0 ระยะขา P=10 มม. ความจุ 2.2nF ±20%~+80% แรงดัน 6kV ระยะขา 10 มม. - Product Image 2
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น A09F1D222ZN0B0S0N0 ระยะขา P=10 มม. ความจุ 2.2nF ±20%~+80% แรงดัน 6kV ระยะขา 10 มม. - Product Image 3
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น A09F1D222ZN0B0S0N0 ระยะขา P=10 มม. ความจุ 2.2nF ±20%~+80% แรงดัน 6kV ระยะขา 10 มม. - Product Image 4
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น A09F1D222ZN0B0S0N0 ระยะขา P=10 มม. ความจุ 2.2nF ±20%~+80% แรงดัน 6kV ระยะขา 10 มม. - Product Image 5
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น A09F1D222ZN0B0S0N0 ระยะขา P=10 มม. ความจุ 2.2nF ±20%~+80% แรงดัน 6kV ระยะขา 10 มม. - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ Through-Hole (THT) รุ่น A09F1D222ZN0B0S0N0 ระยะขา P=10 มม. ความจุ 2.2nF ±20%~+80% แรงดัน 6kV ระยะขา 10 มม.

฿1.95-7.48
MOQ: 5
ขั้วต่อความหนาแน่นสูง ER8-80S-0.8SV-5H ระยะพิทช์ 0.8 มม. 80 พิน สำหรับแผงวงจรพิมพ์ขนาดกะทัดรัด - Product Image 1
ขั้วต่อความหนาแน่นสูง ER8-80S-0.8SV-5H ระยะพิทช์ 0.8 มม. 80 พิน สำหรับแผงวงจรพิมพ์ขนาดกะทัดรัด - Product Image 2
ขั้วต่อความหนาแน่นสูง ER8-80S-0.8SV-5H ระยะพิทช์ 0.8 มม. 80 พิน สำหรับแผงวงจรพิมพ์ขนาดกะทัดรัด - Product Image 3
ขั้วต่อความหนาแน่นสูง ER8-80S-0.8SV-5H ระยะพิทช์ 0.8 มม. 80 พิน สำหรับแผงวงจรพิมพ์ขนาดกะทัดรัด - Product Image 4
ขั้วต่อความหนาแน่นสูง ER8-80S-0.8SV-5H ระยะพิทช์ 0.8 มม. 80 พิน สำหรับแผงวงจรพิมพ์ขนาดกะทัดรัด - Product Image 5
ขั้วต่อความหนาแน่นสูง ER8-80S-0.8SV-5H ระยะพิทช์ 0.8 มม. 80 พิน สำหรับแผงวงจรพิมพ์ขนาดกะทัดรัด - Product Image 6

ขั้วต่อความหนาแน่นสูง ER8-80S-0.8SV-5H ระยะพิทช์ 0.8 มม. 80 พิน สำหรับแผงวงจรพิมพ์ขนาดกะทัดรัด

฿1.63
MOQ: 100

การค้นหาที่เกี่ยวข้อง:

100 805710580015093524280 6020013556511902060 70160 8044me 8069