All categories
Featured selections
Trade Assurance
Buyer Central
Help Center
Get the app
Become a supplier

55

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

CKG57NX5R1E476M500JJ (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD) 2220 47 F 25V ±20% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส AEC-Q200 47uF CKG57NX5R1E476M500JJ - Product Image 1
CKG57NX5R1E476M500JJ (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD) 2220 47 F 25V ±20% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส AEC-Q200 47uF CKG57NX5R1E476M500JJ - Product Image 2
CKG57NX5R1E476M500JJ (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD) 2220 47 F 25V ±20% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส AEC-Q200 47uF CKG57NX5R1E476M500JJ - Product Image 3
CKG57NX5R1E476M500JJ (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD) 2220 47 F 25V ±20% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส AEC-Q200 47uF CKG57NX5R1E476M500JJ - Product Image 4
CKG57NX5R1E476M500JJ (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD) 2220 47 F 25V ±20% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส AEC-Q200 47uF CKG57NX5R1E476M500JJ - Product Image 5
CKG57NX5R1E476M500JJ (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD) 2220 47 F 25V ±20% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส AEC-Q200 47uF CKG57NX5R1E476M500JJ - Product Image 6

CKG57NX5R1E476M500JJ (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD) 2220 47 F 25V ±20% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส AEC-Q200 47uF CKG57NX5R1E476M500JJ

฿16.45-65.77
MOQ: 1
CKG57KX7S1H106K335JJ (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 10 ฟิวต์ 50 โวลต์ ±10% X7S -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CKG57KX7S1H106K335JJ - Product Image 1
CKG57KX7S1H106K335JJ (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 10 ฟิวต์ 50 โวลต์ ±10% X7S -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CKG57KX7S1H106K335JJ - Product Image 2
CKG57KX7S1H106K335JJ (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 10 ฟิวต์ 50 โวลต์ ±10% X7S -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CKG57KX7S1H106K335JJ - Product Image 3
CKG57KX7S1H106K335JJ (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 10 ฟิวต์ 50 โวลต์ ±10% X7S -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CKG57KX7S1H106K335JJ - Product Image 4
CKG57KX7S1H106K335JJ (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 10 ฟิวต์ 50 โวลต์ ±10% X7S -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CKG57KX7S1H106K335JJ - Product Image 5
CKG57KX7S1H106K335JJ (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 10 ฟิวต์ 50 โวลต์ ±10% X7S -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CKG57KX7S1H106K335JJ - Product Image 6

CKG57KX7S1H106K335JJ (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 10 ฟิวต์ 50 โวลต์ ±10% X7S -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CKG57KX7S1H106K335JJ

฿16.45-65.77
MOQ: 1
C3216X8L1C106K160AC (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น) 1206 10 F 16V ±10% X8L -55 ถึง 150 องศาเซลเซียส 10uF C3216X8L1C106K160AC - Product Image 1
C3216X8L1C106K160AC (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น) 1206 10 F 16V ±10% X8L -55 ถึง 150 องศาเซลเซียส 10uF C3216X8L1C106K160AC - Product Image 2
C3216X8L1C106K160AC (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น) 1206 10 F 16V ±10% X8L -55 ถึง 150 องศาเซลเซียส 10uF C3216X8L1C106K160AC - Product Image 3
C3216X8L1C106K160AC (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น) 1206 10 F 16V ±10% X8L -55 ถึง 150 องศาเซลเซียส 10uF C3216X8L1C106K160AC - Product Image 4
C3216X8L1C106K160AC (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น) 1206 10 F 16V ±10% X8L -55 ถึง 150 องศาเซลเซียส 10uF C3216X8L1C106K160AC - Product Image 5
C3216X8L1C106K160AC (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น) 1206 10 F 16V ±10% X8L -55 ถึง 150 องศาเซลเซียส 10uF C3216X8L1C106K160AC - Product Image 6

C3216X8L1C106K160AC (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น) 1206 10 F 16V ±10% X8L -55 ถึง 150 องศาเซลเซียส 10uF C3216X8L1C106K160AC

฿16.45-65.77
MOQ: 1
C2012X5R1E226M125AC (ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC) 0805 22 F 25V ±20% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส 22uF C2012X5R1E226M125AC - Product Image 1
C2012X5R1E226M125AC (ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC) 0805 22 F 25V ±20% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส 22uF C2012X5R1E226M125AC - Product Image 2
C2012X5R1E226M125AC (ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC) 0805 22 F 25V ±20% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส 22uF C2012X5R1E226M125AC - Product Image 3
C2012X5R1E226M125AC (ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC) 0805 22 F 25V ±20% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส 22uF C2012X5R1E226M125AC - Product Image 4
C2012X5R1E226M125AC (ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC) 0805 22 F 25V ±20% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส 22uF C2012X5R1E226M125AC - Product Image 5
C2012X5R1E226M125AC (ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC) 0805 22 F 25V ±20% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส 22uF C2012X5R1E226M125AC - Product Image 6

C2012X5R1E226M125AC (ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC) 0805 22 F 25V ±20% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส 22uF C2012X5R1E226M125AC

฿16.45-65.77
MOQ: 1
C2012X8L1A106K125AE (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD) 0805 10 F 10V ±10% X8L -55 ถึง 150 องศาเซลเซียส 10uF C2012X8L1A106K125AE - Product Image 1
C2012X8L1A106K125AE (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD) 0805 10 F 10V ±10% X8L -55 ถึง 150 องศาเซลเซียส 10uF C2012X8L1A106K125AE - Product Image 2
C2012X8L1A106K125AE (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD) 0805 10 F 10V ±10% X8L -55 ถึง 150 องศาเซลเซียส 10uF C2012X8L1A106K125AE - Product Image 3
C2012X8L1A106K125AE (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD) 0805 10 F 10V ±10% X8L -55 ถึง 150 องศาเซลเซียส 10uF C2012X8L1A106K125AE - Product Image 4
C2012X8L1A106K125AE (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD) 0805 10 F 10V ±10% X8L -55 ถึง 150 องศาเซลเซียส 10uF C2012X8L1A106K125AE - Product Image 5
C2012X8L1A106K125AE (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD) 0805 10 F 10V ±10% X8L -55 ถึง 150 องศาเซลเซียส 10uF C2012X8L1A106K125AE - Product Image 6

C2012X8L1A106K125AE (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD) 0805 10 F 10V ±10% X8L -55 ถึง 150 องศาเซลเซียส 10uF C2012X8L1A106K125AE

฿16.45-65.77
MOQ: 1
C3216X5R1V106K160AB (ความจุสูง MLCC) 1206 10 F 35V ± 10% X5R -55ถึง85 C 10uF C3216X5R1V106K160AB - Product Image 1
C3216X5R1V106K160AB (ความจุสูง MLCC) 1206 10 F 35V ± 10% X5R -55ถึง85 C 10uF C3216X5R1V106K160AB - Product Image 2
C3216X5R1V106K160AB (ความจุสูง MLCC) 1206 10 F 35V ± 10% X5R -55ถึง85 C 10uF C3216X5R1V106K160AB - Product Image 3
C3216X5R1V106K160AB (ความจุสูง MLCC) 1206 10 F 35V ± 10% X5R -55ถึง85 C 10uF C3216X5R1V106K160AB - Product Image 4
C3216X5R1V106K160AB (ความจุสูง MLCC) 1206 10 F 35V ± 10% X5R -55ถึง85 C 10uF C3216X5R1V106K160AB - Product Image 5
C3216X5R1V106K160AB (ความจุสูง MLCC) 1206 10 F 35V ± 10% X5R -55ถึง85 C 10uF C3216X5R1V106K160AB - Product Image 6

C3216X5R1V106K160AB (ความจุสูง MLCC) 1206 10 F 35V ± 10% X5R -55ถึง85 C 10uF C3216X5R1V106K160AB

฿16.45-65.77
MOQ: 1
C4532X5R1C226M230KA (ความจุสูง MLCC) 1812 22 F 16V ± 20% X5R -55ถึง85 C 22uF C4532X5R1C226M230KA - Product Image 1
C4532X5R1C226M230KA (ความจุสูง MLCC) 1812 22 F 16V ± 20% X5R -55ถึง85 C 22uF C4532X5R1C226M230KA - Product Image 2
C4532X5R1C226M230KA (ความจุสูง MLCC) 1812 22 F 16V ± 20% X5R -55ถึง85 C 22uF C4532X5R1C226M230KA - Product Image 3
C4532X5R1C226M230KA (ความจุสูง MLCC) 1812 22 F 16V ± 20% X5R -55ถึง85 C 22uF C4532X5R1C226M230KA - Product Image 4
C4532X5R1C226M230KA (ความจุสูง MLCC) 1812 22 F 16V ± 20% X5R -55ถึง85 C 22uF C4532X5R1C226M230KA - Product Image 5
C4532X5R1C226M230KA (ความจุสูง MLCC) 1812 22 F 16V ± 20% X5R -55ถึง85 C 22uF C4532X5R1C226M230KA - Product Image 6

C4532X5R1C226M230KA (ความจุสูง MLCC) 1812 22 F 16V ± 20% X5R -55ถึง85 C 22uF C4532X5R1C226M230KA

฿16.45-65.77
MOQ: 1
C3216X8L1E106K160AE (ตัวเก็บประจุ MLCC) 1206 10 F 25V ± 10% X8L -55ถึง150 C 10uF C3216X8L1E106K160AE - Product Image 1
C3216X8L1E106K160AE (ตัวเก็บประจุ MLCC) 1206 10 F 25V ± 10% X8L -55ถึง150 C 10uF C3216X8L1E106K160AE - Product Image 2
C3216X8L1E106K160AE (ตัวเก็บประจุ MLCC) 1206 10 F 25V ± 10% X8L -55ถึง150 C 10uF C3216X8L1E106K160AE - Product Image 3
C3216X8L1E106K160AE (ตัวเก็บประจุ MLCC) 1206 10 F 25V ± 10% X8L -55ถึง150 C 10uF C3216X8L1E106K160AE - Product Image 4
C3216X8L1E106K160AE (ตัวเก็บประจุ MLCC) 1206 10 F 25V ± 10% X8L -55ถึง150 C 10uF C3216X8L1E106K160AE - Product Image 5
C3216X8L1E106K160AE (ตัวเก็บประจุ MLCC) 1206 10 F 25V ± 10% X8L -55ถึง150 C 10uF C3216X8L1E106K160AE - Product Image 6

C3216X8L1E106K160AE (ตัวเก็บประจุ MLCC) 1206 10 F 25V ± 10% X8L -55ถึง150 C 10uF C3216X8L1E106K160AE

฿16.45-65.77
MOQ: 1

การค้นหาที่เกี่ยวข้อง:

8013545 565 583www 554294fifty five899635 hd70 560 555575 555 365 658640 5