All categories
Featured selections
Trade Assurance
Buyer Central
Help Center
Get the app
Become a supplier

55

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

R5F10367DSP ฝังตัวอิเล็กทรอนิกส์ #55 IC MCU 16BIT แฟลช4KB 20 LSSOP ผู้ผลิตช่อง20 LSSOP (0.173 "ความกว้าง4.40มม.) - Product Image 1
R5F10367DSP ฝังตัวอิเล็กทรอนิกส์ #55 IC MCU 16BIT แฟลช4KB 20 LSSOP ผู้ผลิตช่อง20 LSSOP (0.173 "ความกว้าง4.40มม.) - Product Image 2
R5F10367DSP ฝังตัวอิเล็กทรอนิกส์ #55 IC MCU 16BIT แฟลช4KB 20 LSSOP ผู้ผลิตช่อง20 LSSOP (0.173 "ความกว้าง4.40มม.) - Product Image 3
R5F10367DSP ฝังตัวอิเล็กทรอนิกส์ #55 IC MCU 16BIT แฟลช4KB 20 LSSOP ผู้ผลิตช่อง20 LSSOP (0.173 "ความกว้าง4.40มม.) - Product Image 4
R5F10367DSP ฝังตัวอิเล็กทรอนิกส์ #55 IC MCU 16BIT แฟลช4KB 20 LSSOP ผู้ผลิตช่อง20 LSSOP (0.173 "ความกว้าง4.40มม.) - Product Image 5
R5F10367DSP ฝังตัวอิเล็กทรอนิกส์ #55 IC MCU 16BIT แฟลช4KB 20 LSSOP ผู้ผลิตช่อง20 LSSOP (0.173 "ความกว้าง4.40มม.) - Product Image 6

R5F10367DSP ฝังตัวอิเล็กทรอนิกส์ #55 IC MCU 16BIT แฟลช4KB 20 LSSOP ผู้ผลิตช่อง20 LSSOP (0.173 "ความกว้าง4.40มม.)

฿10.86-21.71
MOQ: 1
CKG57KX7S2A106K335JH (ตัวเก็บประจุ MLCC) 2220 10 F 100V ± 10% X7S -55ถึง125 C 10uF CKG57KX7S2A106K335JH - Product Image 1
CKG57KX7S2A106K335JH (ตัวเก็บประจุ MLCC) 2220 10 F 100V ± 10% X7S -55ถึง125 C 10uF CKG57KX7S2A106K335JH - Product Image 2
CKG57KX7S2A106K335JH (ตัวเก็บประจุ MLCC) 2220 10 F 100V ± 10% X7S -55ถึง125 C 10uF CKG57KX7S2A106K335JH - Product Image 3
CKG57KX7S2A106K335JH (ตัวเก็บประจุ MLCC) 2220 10 F 100V ± 10% X7S -55ถึง125 C 10uF CKG57KX7S2A106K335JH - Product Image 4
CKG57KX7S2A106K335JH (ตัวเก็บประจุ MLCC) 2220 10 F 100V ± 10% X7S -55ถึง125 C 10uF CKG57KX7S2A106K335JH - Product Image 5
CKG57KX7S2A106K335JH (ตัวเก็บประจุ MLCC) 2220 10 F 100V ± 10% X7S -55ถึง125 C 10uF CKG57KX7S2A106K335JH - Product Image 6

CKG57KX7S2A106K335JH (ตัวเก็บประจุ MLCC) 2220 10 F 100V ± 10% X7S -55ถึง125 C 10uF CKG57KX7S2A106K335JH

฿16.45-65.77
MOQ: 1
บริการครบวงจรแบบดั้งเดิม ฝังตัว 100 LQFP R5F113PGCLFB # 55 ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ - Product Image 1
บริการครบวงจรแบบดั้งเดิม ฝังตัว 100 LQFP R5F113PGCLFB # 55 ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ - Product Image 2
บริการครบวงจรแบบดั้งเดิม ฝังตัว 100 LQFP R5F113PGCLFB # 55 ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ - Product Image 3
บริการครบวงจรแบบดั้งเดิม ฝังตัว 100 LQFP R5F113PGCLFB # 55 ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ - Product Image 4
บริการครบวงจรแบบดั้งเดิม ฝังตัว 100 LQFP R5F113PGCLFB # 55 ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ - Product Image 5
บริการครบวงจรแบบดั้งเดิม ฝังตัว 100 LQFP R5F113PGCLFB # 55 ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ - Product Image 6

บริการครบวงจรแบบดั้งเดิม ฝังตัว 100 LQFP R5F113PGCLFB # 55 ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์

฿9.05-18.09
MOQ: 1
C3216X6S0G686M160AC (ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 1206 68 F 4V ± 20% X6S -55ถึง105 C 68uF C3216X6S0G686M160AC - Product Image 1
C3216X6S0G686M160AC (ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 1206 68 F 4V ± 20% X6S -55ถึง105 C 68uF C3216X6S0G686M160AC - Product Image 2
C3216X6S0G686M160AC (ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 1206 68 F 4V ± 20% X6S -55ถึง105 C 68uF C3216X6S0G686M160AC - Product Image 3
C3216X6S0G686M160AC (ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 1206 68 F 4V ± 20% X6S -55ถึง105 C 68uF C3216X6S0G686M160AC - Product Image 4
C3216X6S0G686M160AC (ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 1206 68 F 4V ± 20% X6S -55ถึง105 C 68uF C3216X6S0G686M160AC - Product Image 5
C3216X6S0G686M160AC (ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 1206 68 F 4V ± 20% X6S -55ถึง105 C 68uF C3216X6S0G686M160AC - Product Image 6

C3216X6S0G686M160AC (ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 1206 68 F 4V ± 20% X6S -55ถึง105 C 68uF C3216X6S0G686M160AC

฿16.45-65.77
MOQ: 1
C3216X7S1A226M160AC (ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC) 1206 22 F 10V ±20% X7S -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 22uF C3216X7S1A226M160AC - Product Image 1
C3216X7S1A226M160AC (ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC) 1206 22 F 10V ±20% X7S -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 22uF C3216X7S1A226M160AC - Product Image 2
C3216X7S1A226M160AC (ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC) 1206 22 F 10V ±20% X7S -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 22uF C3216X7S1A226M160AC - Product Image 3
C3216X7S1A226M160AC (ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC) 1206 22 F 10V ±20% X7S -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 22uF C3216X7S1A226M160AC - Product Image 4
C3216X7S1A226M160AC (ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC) 1206 22 F 10V ±20% X7S -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 22uF C3216X7S1A226M160AC - Product Image 5
C3216X7S1A226M160AC (ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC) 1206 22 F 10V ±20% X7S -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 22uF C3216X7S1A226M160AC - Product Image 6

C3216X7S1A226M160AC (ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC) 1206 22 F 10V ±20% X7S -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 22uF C3216X7S1A226M160AC

฿16.45-65.77
MOQ: 1
C3216X8L0G226M160AC (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 1206 22 F 4V ± 20% X8L -55ถึง150 C 22uF C3216X8L0G226M160AC - Product Image 1
C3216X8L0G226M160AC (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 1206 22 F 4V ± 20% X8L -55ถึง150 C 22uF C3216X8L0G226M160AC - Product Image 2
C3216X8L0G226M160AC (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 1206 22 F 4V ± 20% X8L -55ถึง150 C 22uF C3216X8L0G226M160AC - Product Image 3
C3216X8L0G226M160AC (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 1206 22 F 4V ± 20% X8L -55ถึง150 C 22uF C3216X8L0G226M160AC - Product Image 4
C3216X8L0G226M160AC (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 1206 22 F 4V ± 20% X8L -55ถึง150 C 22uF C3216X8L0G226M160AC - Product Image 5
C3216X8L0G226M160AC (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 1206 22 F 4V ± 20% X8L -55ถึง150 C 22uF C3216X8L0G226M160AC - Product Image 6

C3216X8L0G226M160AC (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 1206 22 F 4V ± 20% X8L -55ถึง150 C 22uF C3216X8L0G226M160AC

฿16.45-65.77
MOQ: 1
CAA573X7S2A476M640LH (ชิปตัวเก็บประจุเซรามิก) 2220 47 F 100V ± 20% X7S -55ถึง125 C 47uF CAA573X7S2A476M640LH - Product Image 1
CAA573X7S2A476M640LH (ชิปตัวเก็บประจุเซรามิก) 2220 47 F 100V ± 20% X7S -55ถึง125 C 47uF CAA573X7S2A476M640LH - Product Image 2
CAA573X7S2A476M640LH (ชิปตัวเก็บประจุเซรามิก) 2220 47 F 100V ± 20% X7S -55ถึง125 C 47uF CAA573X7S2A476M640LH - Product Image 3
CAA573X7S2A476M640LH (ชิปตัวเก็บประจุเซรามิก) 2220 47 F 100V ± 20% X7S -55ถึง125 C 47uF CAA573X7S2A476M640LH - Product Image 4
CAA573X7S2A476M640LH (ชิปตัวเก็บประจุเซรามิก) 2220 47 F 100V ± 20% X7S -55ถึง125 C 47uF CAA573X7S2A476M640LH - Product Image 5
CAA573X7S2A476M640LH (ชิปตัวเก็บประจุเซรามิก) 2220 47 F 100V ± 20% X7S -55ถึง125 C 47uF CAA573X7S2A476M640LH - Product Image 6

CAA573X7S2A476M640LH (ชิปตัวเก็บประจุเซรามิก) 2220 47 F 100V ± 20% X7S -55ถึง125 C 47uF CAA573X7S2A476M640LH

฿16.45-65.77
MOQ: 1
C2012X7S1A226M125AC (ตัวเก็บประจุ MLCC) 0805 22 F 10V ± 20% X7S -55ถึง125 C 22uF C2012X7S1A226M125AC - Product Image 1
C2012X7S1A226M125AC (ตัวเก็บประจุ MLCC) 0805 22 F 10V ± 20% X7S -55ถึง125 C 22uF C2012X7S1A226M125AC - Product Image 2
C2012X7S1A226M125AC (ตัวเก็บประจุ MLCC) 0805 22 F 10V ± 20% X7S -55ถึง125 C 22uF C2012X7S1A226M125AC - Product Image 3
C2012X7S1A226M125AC (ตัวเก็บประจุ MLCC) 0805 22 F 10V ± 20% X7S -55ถึง125 C 22uF C2012X7S1A226M125AC - Product Image 4
C2012X7S1A226M125AC (ตัวเก็บประจุ MLCC) 0805 22 F 10V ± 20% X7S -55ถึง125 C 22uF C2012X7S1A226M125AC - Product Image 5
C2012X7S1A226M125AC (ตัวเก็บประจุ MLCC) 0805 22 F 10V ± 20% X7S -55ถึง125 C 22uF C2012X7S1A226M125AC - Product Image 6

C2012X7S1A226M125AC (ตัวเก็บประจุ MLCC) 0805 22 F 10V ± 20% X7S -55ถึง125 C 22uF C2012X7S1A226M125AC

฿16.45-65.77
MOQ: 1

การค้นหาที่เกี่ยวข้อง:

8013545 565 583www 554294fifty five899635 hd70 560 555575 555 365 658640 5