All categories

Featured selections

Trade Assurance

Buyer Central

Help Center

Get the app

Become a supplier

55

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

C3216X7R1E106K160AB (ความจุสูง MLCC) 1206 10 F 25V ± 10% X7R -55ถึง125 C 10uF C3216X7R1E106K160AB - Product Image 1

C3216X7R1E106K160AB (ความจุสูง MLCC) 1206 10 F 25V ± 10% X7R -55ถึง125 C 10uF C3216X7R1E106K160AB - Product Image 2

C3216X7R1E106K160AB (ความจุสูง MLCC) 1206 10 F 25V ± 10% X7R -55ถึง125 C 10uF C3216X7R1E106K160AB - Product Image 3

C3216X7R1E106K160AB (ความจุสูง MLCC) 1206 10 F 25V ± 10% X7R -55ถึง125 C 10uF C3216X7R1E106K160AB - Product Image 4

C3216X7R1E106K160AB (ความจุสูง MLCC) 1206 10 F 25V ± 10% X7R -55ถึง125 C 10uF C3216X7R1E106K160AB - Product Image 5

C3216X7R1E106K160AB (ความจุสูง MLCC) 1206 10 F 25V ± 10% X7R -55ถึง125 C 10uF C3216X7R1E106K160AB - Product Image 6

C3216X7R1E106K160AB (ความจุสูง MLCC) 1206 10 F 25V ± 10% X7R -55ถึง125 C 10uF C3216X7R1E106K160AB

฿16.45-65.77

MOQ: 1

BOM IC SST39SF040-55-4I-NHE-T หน่วยความจำ32 LCC ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ - Product Image 1

BOM IC SST39SF040-55-4I-NHE-T หน่วยความจำ32 LCC ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ - Product Image 2

BOM IC SST39SF040-55-4I-NHE-T หน่วยความจำ32 LCC ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ - Product Image 3

BOM IC SST39SF040-55-4I-NHE-T หน่วยความจำ32 LCC ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ - Product Image 4

BOM IC SST39SF040-55-4I-NHE-T หน่วยความจำ32 LCC ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ - Product Image 5

BOM IC SST39SF040-55-4I-NHE-T หน่วยความจำ32 LCC ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ - Product Image 6

BOM IC SST39SF040-55-4I-NHE-T หน่วยความจำ32 LCC ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์

฿44.56-48.18

MOQ: 1

C2012X7S1C106M สำหรับรถยนต์ (SMD ตัวเก็บประจุเซรามิก) 0805 10 F 16V ± 20% X7S -55ถึง125 C AEC-Q200 CGA4J1X7S1C106M125AE 10uF - Product Image 1

C2012X7S1C106M สำหรับรถยนต์ (SMD ตัวเก็บประจุเซรามิก) 0805 10 F 16V ± 20% X7S -55ถึง125 C AEC-Q200 CGA4J1X7S1C106M125AE 10uF - Product Image 2

C2012X7S1C106M สำหรับรถยนต์ (SMD ตัวเก็บประจุเซรามิก) 0805 10 F 16V ± 20% X7S -55ถึง125 C AEC-Q200 CGA4J1X7S1C106M125AE 10uF - Product Image 3

C2012X7S1C106M สำหรับรถยนต์ (SMD ตัวเก็บประจุเซรามิก) 0805 10 F 16V ± 20% X7S -55ถึง125 C AEC-Q200 CGA4J1X7S1C106M125AE 10uF - Product Image 4

C2012X7S1C106M สำหรับรถยนต์ (SMD ตัวเก็บประจุเซรามิก) 0805 10 F 16V ± 20% X7S -55ถึง125 C AEC-Q200 CGA4J1X7S1C106M125AE 10uF - Product Image 5

C2012X7S1C106M สำหรับรถยนต์ (SMD ตัวเก็บประจุเซรามิก) 0805 10 F 16V ± 20% X7S -55ถึง125 C AEC-Q200 CGA4J1X7S1C106M125AE 10uF - Product Image 6

C2012X7S1C106M สำหรับรถยนต์ (SMD ตัวเก็บประจุเซรามิก) 0805 10 F 16V ± 20% X7S -55ถึง125 C AEC-Q200 CGA4J1X7S1C106M125AE 10uF

฿16.45-65.77

MOQ: 1

C3225X7R1N106K สำหรับรถยนต์ (SMD ตัวเก็บประจุเซรามิก) 1210 10 F 75V ± 10% X7R -55ถึง125 C AEC-Q200 CGA6P1X7R1N106K250AC 10uF - Product Image 1

C3225X7R1N106K สำหรับรถยนต์ (SMD ตัวเก็บประจุเซรามิก) 1210 10 F 75V ± 10% X7R -55ถึง125 C AEC-Q200 CGA6P1X7R1N106K250AC 10uF - Product Image 2

C3225X7R1N106K สำหรับรถยนต์ (SMD ตัวเก็บประจุเซรามิก) 1210 10 F 75V ± 10% X7R -55ถึง125 C AEC-Q200 CGA6P1X7R1N106K250AC 10uF - Product Image 3

C3225X7R1N106K สำหรับรถยนต์ (SMD ตัวเก็บประจุเซรามิก) 1210 10 F 75V ± 10% X7R -55ถึง125 C AEC-Q200 CGA6P1X7R1N106K250AC 10uF - Product Image 4

C3225X7R1N106K สำหรับรถยนต์ (SMD ตัวเก็บประจุเซรามิก) 1210 10 F 75V ± 10% X7R -55ถึง125 C AEC-Q200 CGA6P1X7R1N106K250AC 10uF - Product Image 5

C3225X7R1N106K สำหรับรถยนต์ (SMD ตัวเก็บประจุเซรามิก) 1210 10 F 75V ± 10% X7R -55ถึง125 C AEC-Q200 CGA6P1X7R1N106K250AC 10uF - Product Image 6

C3225X7R1N106K สำหรับรถยนต์ (SMD ตัวเก็บประจุเซรามิก) 1210 10 F 75V ± 10% X7R -55ถึง125 C AEC-Q200 CGA6P1X7R1N106K250AC 10uF

฿16.45-65.77

MOQ: 1

C3216X5R0J107M160AB (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD) 1206 100 F 6.3V ±20% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส 100uF C3216X5R0J107M160AB - Product Image 1

C3216X5R0J107M160AB (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD) 1206 100 F 6.3V ±20% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส 100uF C3216X5R0J107M160AB - Product Image 2

C3216X5R0J107M160AB (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD) 1206 100 F 6.3V ±20% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส 100uF C3216X5R0J107M160AB - Product Image 3

C3216X5R0J107M160AB (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD) 1206 100 F 6.3V ±20% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส 100uF C3216X5R0J107M160AB - Product Image 4

C3216X5R0J107M160AB (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD) 1206 100 F 6.3V ±20% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส 100uF C3216X5R0J107M160AB - Product Image 5

C3216X5R0J107M160AB (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD) 1206 100 F 6.3V ±20% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส 100uF C3216X5R0J107M160AB - Product Image 6

C3216X5R0J107M160AB (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD) 1206 100 F 6.3V ±20% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส 100uF C3216X5R0J107M160AB

฿16.45-65.77

MOQ: 1

C4532X7R1E226M สำหรับอุปกรณ์อัตโนมัติ (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น) 1812 22 F 25V ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 22uF CGA8P1X7R1E226M250KC - Product Image 1

C4532X7R1E226M สำหรับอุปกรณ์อัตโนมัติ (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น) 1812 22 F 25V ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 22uF CGA8P1X7R1E226M250KC - Product Image 2

C4532X7R1E226M สำหรับอุปกรณ์อัตโนมัติ (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น) 1812 22 F 25V ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 22uF CGA8P1X7R1E226M250KC - Product Image 3

C4532X7R1E226M สำหรับอุปกรณ์อัตโนมัติ (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น) 1812 22 F 25V ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 22uF CGA8P1X7R1E226M250KC - Product Image 4

C4532X7R1E226M สำหรับอุปกรณ์อัตโนมัติ (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น) 1812 22 F 25V ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 22uF CGA8P1X7R1E226M250KC - Product Image 5

C4532X7R1E226M สำหรับอุปกรณ์อัตโนมัติ (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น) 1812 22 F 25V ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 22uF CGA8P1X7R1E226M250KC - Product Image 6

C4532X7R1E226M สำหรับอุปกรณ์อัตโนมัติ (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น) 1812 22 F 25V ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 22uF CGA8P1X7R1E226M250KC

฿16.45-65.77

MOQ: 1

ส่วนประกอบวงจรอิเล็กทรอนิกส์ SST39SF010A-55-4I-NHE-T 32 LCC หน่วยความจำ มีสินค้าในสต็อก - Product Image 1

ส่วนประกอบวงจรอิเล็กทรอนิกส์ SST39SF010A-55-4I-NHE-T 32 LCC หน่วยความจำ มีสินค้าในสต็อก - Product Image 2

ส่วนประกอบวงจรอิเล็กทรอนิกส์ SST39SF010A-55-4I-NHE-T 32 LCC หน่วยความจำ มีสินค้าในสต็อก - Product Image 3

ส่วนประกอบวงจรอิเล็กทรอนิกส์ SST39SF010A-55-4I-NHE-T 32 LCC หน่วยความจำ มีสินค้าในสต็อก - Product Image 4

ส่วนประกอบวงจรอิเล็กทรอนิกส์ SST39SF010A-55-4I-NHE-T 32 LCC หน่วยความจำ มีสินค้าในสต็อก - Product Image 5

ส่วนประกอบวงจรอิเล็กทรอนิกส์ SST39SF010A-55-4I-NHE-T 32 LCC หน่วยความจำ มีสินค้าในสต็อก - Product Image 6

ส่วนประกอบวงจรอิเล็กทรอนิกส์ SST39SF010A-55-4I-NHE-T 32 LCC หน่วยความจำ มีสินค้าในสต็อก

฿32.56-36.17

MOQ: 1

C3216X7R1H106K สำหรับยานยนต์ (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 10 ฟิวต์ 50 โวลต์ ±10% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA5L1X7R1H106K160AE - Product Image 1

C3216X7R1H106K สำหรับยานยนต์ (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 10 ฟิวต์ 50 โวลต์ ±10% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA5L1X7R1H106K160AE - Product Image 2

C3216X7R1H106K สำหรับยานยนต์ (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 10 ฟิวต์ 50 โวลต์ ±10% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA5L1X7R1H106K160AE - Product Image 3

C3216X7R1H106K สำหรับยานยนต์ (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 10 ฟิวต์ 50 โวลต์ ±10% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA5L1X7R1H106K160AE - Product Image 4

C3216X7R1H106K สำหรับยานยนต์ (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 10 ฟิวต์ 50 โวลต์ ±10% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA5L1X7R1H106K160AE - Product Image 5

C3216X7R1H106K สำหรับยานยนต์ (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 10 ฟิวต์ 50 โวลต์ ±10% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA5L1X7R1H106K160AE - Product Image 6

C3216X7R1H106K สำหรับยานยนต์ (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 10 ฟิวต์ 50 โวลต์ ±10% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA5L1X7R1H106K160AE

฿16.45-65.77

MOQ: 1

การค้นหาที่เกี่ยวข้อง:

80 135 45 5 65 5 83 www 55 42 94 fifty five 89 96 35 hd 70 5 60 5 555 75 5 55 3 65 65 86 40 5