All categories

Featured selections

Trade Assurance

Buyer Central

Help Center

Get the app

Become a supplier

55

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

C1608X5R1E106M080AC (ตัวเก็บประจุเซรามิก SMD) 0603 10 F 25V ± 20% X5R -55ถึง85 C 10uF C1608X5R1E106M080AC - Product Image 1

C1608X5R1E106M080AC (ตัวเก็บประจุเซรามิก SMD) 0603 10 F 25V ± 20% X5R -55ถึง85 C 10uF C1608X5R1E106M080AC - Product Image 2

C1608X5R1E106M080AC (ตัวเก็บประจุเซรามิก SMD) 0603 10 F 25V ± 20% X5R -55ถึง85 C 10uF C1608X5R1E106M080AC - Product Image 3

C1608X5R1E106M080AC (ตัวเก็บประจุเซรามิก SMD) 0603 10 F 25V ± 20% X5R -55ถึง85 C 10uF C1608X5R1E106M080AC - Product Image 4

C1608X5R1E106M080AC (ตัวเก็บประจุเซรามิก SMD) 0603 10 F 25V ± 20% X5R -55ถึง85 C 10uF C1608X5R1E106M080AC - Product Image 5

C1608X5R1E106M080AC (ตัวเก็บประจุเซรามิก SMD) 0603 10 F 25V ± 20% X5R -55ถึง85 C 10uF C1608X5R1E106M080AC - Product Image 6

C1608X5R1E106M080AC (ตัวเก็บประจุเซรามิก SMD) 0603 10 F 25V ± 20% X5R -55ถึง85 C 10uF C1608X5R1E106M080AC

฿16.45-65.77

MOQ: 1

C1608X5R0J226M080AC (ตัวเก็บประจุเซรามิก SMD) 0603 22 F 6.3V ± 20% X5R -55ถึง85 C 22uF C1608X5R0J226M080AC - Product Image 1

C1608X5R0J226M080AC (ตัวเก็บประจุเซรามิก SMD) 0603 22 F 6.3V ± 20% X5R -55ถึง85 C 22uF C1608X5R0J226M080AC - Product Image 2

C1608X5R0J226M080AC (ตัวเก็บประจุเซรามิก SMD) 0603 22 F 6.3V ± 20% X5R -55ถึง85 C 22uF C1608X5R0J226M080AC - Product Image 3

C1608X5R0J226M080AC (ตัวเก็บประจุเซรามิก SMD) 0603 22 F 6.3V ± 20% X5R -55ถึง85 C 22uF C1608X5R0J226M080AC - Product Image 4

C1608X5R0J226M080AC (ตัวเก็บประจุเซรามิก SMD) 0603 22 F 6.3V ± 20% X5R -55ถึง85 C 22uF C1608X5R0J226M080AC - Product Image 5

C1608X5R0J226M080AC (ตัวเก็บประจุเซรามิก SMD) 0603 22 F 6.3V ± 20% X5R -55ถึง85 C 22uF C1608X5R0J226M080AC - Product Image 6

C1608X5R0J226M080AC (ตัวเก็บประจุเซรามิก SMD) 0603 22 F 6.3V ± 20% X5R -55ถึง85 C 22uF C1608X5R0J226M080AC

฿16.45-65.77

MOQ: 1

C2012X6S1A156M125AC (ชิปตัวเก็บประจุเซรามิก) 0805 15 F 10V ± 20% X6S -55ถึง105 C 15uF C2012X6S1A156M125AC - Product Image 1

C2012X6S1A156M125AC (ชิปตัวเก็บประจุเซรามิก) 0805 15 F 10V ± 20% X6S -55ถึง105 C 15uF C2012X6S1A156M125AC - Product Image 2

C2012X6S1A156M125AC (ชิปตัวเก็บประจุเซรามิก) 0805 15 F 10V ± 20% X6S -55ถึง105 C 15uF C2012X6S1A156M125AC - Product Image 3

C2012X6S1A156M125AC (ชิปตัวเก็บประจุเซรามิก) 0805 15 F 10V ± 20% X6S -55ถึง105 C 15uF C2012X6S1A156M125AC - Product Image 4

C2012X6S1A156M125AC (ชิปตัวเก็บประจุเซรามิก) 0805 15 F 10V ± 20% X6S -55ถึง105 C 15uF C2012X6S1A156M125AC - Product Image 5

C2012X6S1A156M125AC (ชิปตัวเก็บประจุเซรามิก) 0805 15 F 10V ± 20% X6S -55ถึง105 C 15uF C2012X6S1A156M125AC - Product Image 6

C2012X6S1A156M125AC (ชิปตัวเก็บประจุเซรามิก) 0805 15 F 10V ± 20% X6S -55ถึง105 C 15uF C2012X6S1A156M125AC

฿16.45-65.77

MOQ: 1

CAA572X7R1H476M670LJ (ตัวเก็บประจุ SMD MLCC) 2220 47 F 50V ± 20% X7R -55ถึง125 C AEC-Q200 CAA572X7R1H476M670LJ 47uF - Product Image 1

CAA572X7R1H476M670LJ (ตัวเก็บประจุ SMD MLCC) 2220 47 F 50V ± 20% X7R -55ถึง125 C AEC-Q200 CAA572X7R1H476M670LJ 47uF - Product Image 2

CAA572X7R1H476M670LJ (ตัวเก็บประจุ SMD MLCC) 2220 47 F 50V ± 20% X7R -55ถึง125 C AEC-Q200 CAA572X7R1H476M670LJ 47uF - Product Image 3

CAA572X7R1H476M670LJ (ตัวเก็บประจุ SMD MLCC) 2220 47 F 50V ± 20% X7R -55ถึง125 C AEC-Q200 CAA572X7R1H476M670LJ 47uF - Product Image 4

CAA572X7R1H476M670LJ (ตัวเก็บประจุ SMD MLCC) 2220 47 F 50V ± 20% X7R -55ถึง125 C AEC-Q200 CAA572X7R1H476M670LJ 47uF - Product Image 5

CAA572X7R1H476M670LJ (ตัวเก็บประจุ SMD MLCC) 2220 47 F 50V ± 20% X7R -55ถึง125 C AEC-Q200 CAA572X7R1H476M670LJ 47uF - Product Image 6

CAA572X7R1H476M670LJ (ตัวเก็บประจุ SMD MLCC) 2220 47 F 50V ± 20% X7R -55ถึง125 C AEC-Q200 CAA572X7R1H476M670LJ 47uF

฿16.45-65.77

MOQ: 1

C3225X8R1C106K250AB (ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 1210 10 F 16V ±10% X8R -55 ถึง 150 องศาเซลเซียส 10uF C3225X8R1C106K250AB - Product Image 1

C3225X8R1C106K250AB (ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 1210 10 F 16V ±10% X8R -55 ถึง 150 องศาเซลเซียส 10uF C3225X8R1C106K250AB - Product Image 2

C3225X8R1C106K250AB (ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 1210 10 F 16V ±10% X8R -55 ถึง 150 องศาเซลเซียส 10uF C3225X8R1C106K250AB - Product Image 3

C3225X8R1C106K250AB (ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 1210 10 F 16V ±10% X8R -55 ถึง 150 องศาเซลเซียส 10uF C3225X8R1C106K250AB - Product Image 4

C3225X8R1C106K250AB (ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 1210 10 F 16V ±10% X8R -55 ถึง 150 องศาเซลเซียส 10uF C3225X8R1C106K250AB - Product Image 5

C3225X8R1C106K250AB (ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 1210 10 F 16V ±10% X8R -55 ถึง 150 องศาเซลเซียส 10uF C3225X8R1C106K250AB - Product Image 6

C3225X8R1C106K250AB (ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 1210 10 F 16V ±10% X8R -55 ถึง 150 องศาเซลเซียส 10uF C3225X8R1C106K250AB

฿16.45-65.77

MOQ: 1

C3225X5R1E106K250AA (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 1210 10 ฟิวส์ 25 โวลต์ ±10% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส 10uF C3225X5R1E106K250AA - Product Image 1

C3225X5R1E106K250AA (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 1210 10 ฟิวส์ 25 โวลต์ ±10% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส 10uF C3225X5R1E106K250AA - Product Image 2

C3225X5R1E106K250AA (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 1210 10 ฟิวส์ 25 โวลต์ ±10% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส 10uF C3225X5R1E106K250AA - Product Image 3

C3225X5R1E106K250AA (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 1210 10 ฟิวส์ 25 โวลต์ ±10% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส 10uF C3225X5R1E106K250AA - Product Image 4

C3225X5R1E106K250AA (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 1210 10 ฟิวส์ 25 โวลต์ ±10% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส 10uF C3225X5R1E106K250AA - Product Image 5

C3225X5R1E106K250AA (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 1210 10 ฟิวส์ 25 โวลต์ ±10% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส 10uF C3225X5R1E106K250AA - Product Image 6

C3225X5R1E106K250AA (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 1210 10 ฟิวส์ 25 โวลต์ ±10% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส 10uF C3225X5R1E106K250AA

฿16.45-65.77

MOQ: 1

CNC6P1X7R1E226M250AE (ชิปตัวเก็บประจุเซรามิก) 1210 22 F 25V ± 20% X7R -55ถึง125 C 22uF CNC6P1X7R1E226M250AE - Product Image 1

CNC6P1X7R1E226M250AE (ชิปตัวเก็บประจุเซรามิก) 1210 22 F 25V ± 20% X7R -55ถึง125 C 22uF CNC6P1X7R1E226M250AE - Product Image 2

CNC6P1X7R1E226M250AE (ชิปตัวเก็บประจุเซรามิก) 1210 22 F 25V ± 20% X7R -55ถึง125 C 22uF CNC6P1X7R1E226M250AE - Product Image 3

CNC6P1X7R1E226M250AE (ชิปตัวเก็บประจุเซรามิก) 1210 22 F 25V ± 20% X7R -55ถึง125 C 22uF CNC6P1X7R1E226M250AE - Product Image 4

CNC6P1X7R1E226M250AE (ชิปตัวเก็บประจุเซรามิก) 1210 22 F 25V ± 20% X7R -55ถึง125 C 22uF CNC6P1X7R1E226M250AE - Product Image 5

CNC6P1X7R1E226M250AE (ชิปตัวเก็บประจุเซรามิก) 1210 22 F 25V ± 20% X7R -55ถึง125 C 22uF CNC6P1X7R1E226M250AE - Product Image 6

CNC6P1X7R1E226M250AE (ชิปตัวเก็บประจุเซรามิก) 1210 22 F 25V ± 20% X7R -55ถึง125 C 22uF CNC6P1X7R1E226M250AE

฿16.45-65.77

MOQ: 1

CKG57NX5R1C107M500JH (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 2220 100 ฟิวส์ 16 โวลต์ ±20% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส 100uF CKG57NX5R1C107M500JH - Product Image 1

CKG57NX5R1C107M500JH (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 2220 100 ฟิวส์ 16 โวลต์ ±20% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส 100uF CKG57NX5R1C107M500JH - Product Image 2

CKG57NX5R1C107M500JH (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 2220 100 ฟิวส์ 16 โวลต์ ±20% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส 100uF CKG57NX5R1C107M500JH - Product Image 3

CKG57NX5R1C107M500JH (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 2220 100 ฟิวส์ 16 โวลต์ ±20% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส 100uF CKG57NX5R1C107M500JH - Product Image 4

CKG57NX5R1C107M500JH (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 2220 100 ฟิวส์ 16 โวลต์ ±20% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส 100uF CKG57NX5R1C107M500JH - Product Image 5

CKG57NX5R1C107M500JH (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 2220 100 ฟิวส์ 16 โวลต์ ±20% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส 100uF CKG57NX5R1C107M500JH - Product Image 6

CKG57NX5R1C107M500JH (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 2220 100 ฟิวส์ 16 โวลต์ ±20% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส 100uF CKG57NX5R1C107M500JH

฿16.45-65.77

MOQ: 1

การค้นหาที่เกี่ยวข้อง:

80 135 45 5 65 5 83 www 55 42 94 fifty five 89 96 35 hd 70 5 60 5 555 75 5 55 3 65 65 86 40 5