All categories

Featured selections

Trade Assurance

Buyer Central

Help Center

Get the app

Become a supplier

55

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

รถขุดโคมัตสึ PC50MR-2 ผลิตในญี่ปุ่นมือสองขายในประเทศจีน - Product Image 1

รถขุดโคมัตสึ PC50MR-2 ผลิตในญี่ปุ่นมือสองขายในประเทศจีน - Product Image 2

รถขุดโคมัตสึ PC50MR-2 ผลิตในญี่ปุ่นมือสองขายในประเทศจีน - Product Image 3

รถขุดโคมัตสึ PC50MR-2 ผลิตในญี่ปุ่นมือสองขายในประเทศจีน - Product Image 4

รถขุดโคมัตสึ PC50MR-2 ผลิตในญี่ปุ่นมือสองขายในประเทศจีน - Product Image 5

รถขุดโคมัตสึ PC50MR-2 ผลิตในญี่ปุ่นมือสองขายในประเทศจีน - Product Image 6

รถขุดโคมัตสึ PC50MR-2 ผลิตในญี่ปุ่นมือสองขายในประเทศจีน

฿163,134.50-489,403.50

MOQ: 1

CAA573X7R1V686M670LJ (ชิปตัวเก็บประจุเซรามิก) 2220 68 F 35V ± 20% X7R -55ถึง125 C AEC-Q200 CAA573X7R1V686M670LJ 68uF - Product Image 1

CAA573X7R1V686M670LJ (ชิปตัวเก็บประจุเซรามิก) 2220 68 F 35V ± 20% X7R -55ถึง125 C AEC-Q200 CAA573X7R1V686M670LJ 68uF - Product Image 2

CAA573X7R1V686M670LJ (ชิปตัวเก็บประจุเซรามิก) 2220 68 F 35V ± 20% X7R -55ถึง125 C AEC-Q200 CAA573X7R1V686M670LJ 68uF - Product Image 3

CAA573X7R1V686M670LJ (ชิปตัวเก็บประจุเซรามิก) 2220 68 F 35V ± 20% X7R -55ถึง125 C AEC-Q200 CAA573X7R1V686M670LJ 68uF - Product Image 4

CAA573X7R1V686M670LJ (ชิปตัวเก็บประจุเซรามิก) 2220 68 F 35V ± 20% X7R -55ถึง125 C AEC-Q200 CAA573X7R1V686M670LJ 68uF - Product Image 5

CAA573X7R1V686M670LJ (ชิปตัวเก็บประจุเซรามิก) 2220 68 F 35V ± 20% X7R -55ถึง125 C AEC-Q200 CAA573X7R1V686M670LJ 68uF - Product Image 6

CAA573X7R1V686M670LJ (ชิปตัวเก็บประจุเซรามิก) 2220 68 F 35V ± 20% X7R -55ถึง125 C AEC-Q200 CAA573X7R1V686M670LJ 68uF

฿16.32-65.26

MOQ: 1

CAA573X7R1E157M670LH (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 2220 150 F 25V ± X7R 20%-55ถึง125 C 150uF CAA573X7R1E157M670LH - Product Image 1

CAA573X7R1E157M670LH (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 2220 150 F 25V ± X7R 20%-55ถึง125 C 150uF CAA573X7R1E157M670LH - Product Image 2

CAA573X7R1E157M670LH (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 2220 150 F 25V ± X7R 20%-55ถึง125 C 150uF CAA573X7R1E157M670LH - Product Image 3

CAA573X7R1E157M670LH (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 2220 150 F 25V ± X7R 20%-55ถึง125 C 150uF CAA573X7R1E157M670LH - Product Image 4

CAA573X7R1E157M670LH (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 2220 150 F 25V ± X7R 20%-55ถึง125 C 150uF CAA573X7R1E157M670LH - Product Image 5

CAA573X7R1E157M670LH (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 2220 150 F 25V ± X7R 20%-55ถึง125 C 150uF CAA573X7R1E157M670LH - Product Image 6

CAA573X7R1E157M670LH (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 2220 150 F 25V ± X7R 20%-55ถึง125 C 150uF CAA573X7R1E157M670LH

฿16.32-65.26

MOQ: 1

C3216X7R1C106K160AE (ตัวเก็บประจุเซรามิก SMD) 1206 10 F 16V ± 10% X7R -55ถึง125 C 10uF C3216X7R1C106K160AE - Product Image 1

C3216X7R1C106K160AE (ตัวเก็บประจุเซรามิก SMD) 1206 10 F 16V ± 10% X7R -55ถึง125 C 10uF C3216X7R1C106K160AE - Product Image 2

C3216X7R1C106K160AE (ตัวเก็บประจุเซรามิก SMD) 1206 10 F 16V ± 10% X7R -55ถึง125 C 10uF C3216X7R1C106K160AE - Product Image 3

C3216X7R1C106K160AE (ตัวเก็บประจุเซรามิก SMD) 1206 10 F 16V ± 10% X7R -55ถึง125 C 10uF C3216X7R1C106K160AE - Product Image 4

C3216X7R1C106K160AE (ตัวเก็บประจุเซรามิก SMD) 1206 10 F 16V ± 10% X7R -55ถึง125 C 10uF C3216X7R1C106K160AE - Product Image 5

C3216X7R1C106K160AE (ตัวเก็บประจุเซรามิก SMD) 1206 10 F 16V ± 10% X7R -55ถึง125 C 10uF C3216X7R1C106K160AE - Product Image 6

C3216X7R1C106K160AE (ตัวเก็บประจุเซรามิก SMD) 1206 10 F 16V ± 10% X7R -55ถึง125 C 10uF C3216X7R1C106K160AE

฿16.32-65.26

MOQ: 1

CAA573X7R1H686M670LJ (ชิปตัวเก็บประจุเซรามิก) 2220 68 F 50V ± 20% X7R -55ถึง125 C AEC-Q200 CAA573X7R1H686M670LJ 68uF - Product Image 1

CAA573X7R1H686M670LJ (ชิปตัวเก็บประจุเซรามิก) 2220 68 F 50V ± 20% X7R -55ถึง125 C AEC-Q200 CAA573X7R1H686M670LJ 68uF - Product Image 2

CAA573X7R1H686M670LJ (ชิปตัวเก็บประจุเซรามิก) 2220 68 F 50V ± 20% X7R -55ถึง125 C AEC-Q200 CAA573X7R1H686M670LJ 68uF - Product Image 3

CAA573X7R1H686M670LJ (ชิปตัวเก็บประจุเซรามิก) 2220 68 F 50V ± 20% X7R -55ถึง125 C AEC-Q200 CAA573X7R1H686M670LJ 68uF - Product Image 4

CAA573X7R1H686M670LJ (ชิปตัวเก็บประจุเซรามิก) 2220 68 F 50V ± 20% X7R -55ถึง125 C AEC-Q200 CAA573X7R1H686M670LJ 68uF - Product Image 5

CAA573X7R1H686M670LJ (ชิปตัวเก็บประจุเซรามิก) 2220 68 F 50V ± 20% X7R -55ถึง125 C AEC-Q200 CAA573X7R1H686M670LJ 68uF - Product Image 6

CAA573X7R1H686M670LJ (ชิปตัวเก็บประจุเซรามิก) 2220 68 F 50V ± 20% X7R -55ถึง125 C AEC-Q200 CAA573X7R1H686M670LJ 68uF

฿16.32-65.26

MOQ: 1

C1608X5R0J226M080AC (ตัวเก็บประจุเซรามิก SMD) 0603 22 F 6.3V ± 20% X5R -55ถึง85 C 22uF C1608X5R0J226M080AC - Product Image 1

C1608X5R0J226M080AC (ตัวเก็บประจุเซรามิก SMD) 0603 22 F 6.3V ± 20% X5R -55ถึง85 C 22uF C1608X5R0J226M080AC - Product Image 2

C1608X5R0J226M080AC (ตัวเก็บประจุเซรามิก SMD) 0603 22 F 6.3V ± 20% X5R -55ถึง85 C 22uF C1608X5R0J226M080AC - Product Image 3

C1608X5R0J226M080AC (ตัวเก็บประจุเซรามิก SMD) 0603 22 F 6.3V ± 20% X5R -55ถึง85 C 22uF C1608X5R0J226M080AC - Product Image 4

C1608X5R0J226M080AC (ตัวเก็บประจุเซรามิก SMD) 0603 22 F 6.3V ± 20% X5R -55ถึง85 C 22uF C1608X5R0J226M080AC - Product Image 5

C1608X5R0J226M080AC (ตัวเก็บประจุเซรามิก SMD) 0603 22 F 6.3V ± 20% X5R -55ถึง85 C 22uF C1608X5R0J226M080AC - Product Image 6

C1608X5R0J226M080AC (ตัวเก็บประจุเซรามิก SMD) 0603 22 F 6.3V ± 20% X5R -55ถึง85 C 22uF C1608X5R0J226M080AC

฿16.32-65.26

MOQ: 1

C3225X8R1E106M สำหรับรถยนต์ (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 1210 10 F 25V ± 20% X8R -55ถึง150 C AEC-Q200 CGA6P1X8R1E106M250AC 10uF - Product Image 1

C3225X8R1E106M สำหรับรถยนต์ (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 1210 10 F 25V ± 20% X8R -55ถึง150 C AEC-Q200 CGA6P1X8R1E106M250AC 10uF - Product Image 2

C3225X8R1E106M สำหรับรถยนต์ (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 1210 10 F 25V ± 20% X8R -55ถึง150 C AEC-Q200 CGA6P1X8R1E106M250AC 10uF - Product Image 3

C3225X8R1E106M สำหรับรถยนต์ (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 1210 10 F 25V ± 20% X8R -55ถึง150 C AEC-Q200 CGA6P1X8R1E106M250AC 10uF - Product Image 4

C3225X8R1E106M สำหรับรถยนต์ (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 1210 10 F 25V ± 20% X8R -55ถึง150 C AEC-Q200 CGA6P1X8R1E106M250AC 10uF - Product Image 5

C3225X8R1E106M สำหรับรถยนต์ (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 1210 10 F 25V ± 20% X8R -55ถึง150 C AEC-Q200 CGA6P1X8R1E106M250AC 10uF - Product Image 6

C3225X8R1E106M สำหรับรถยนต์ (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 1210 10 F 25V ± 20% X8R -55ถึง150 C AEC-Q200 CGA6P1X8R1E106M250AC 10uF

฿16.32-65.26

MOQ: 1

C3225X7R1C226M250AC (ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 1210 22 F 16V ± 20% X7R -55ถึง125 C 22uF C3225X7R1C226M250AC - Product Image 1

C3225X7R1C226M250AC (ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 1210 22 F 16V ± 20% X7R -55ถึง125 C 22uF C3225X7R1C226M250AC - Product Image 2

C3225X7R1C226M250AC (ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 1210 22 F 16V ± 20% X7R -55ถึง125 C 22uF C3225X7R1C226M250AC - Product Image 3

C3225X7R1C226M250AC (ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 1210 22 F 16V ± 20% X7R -55ถึง125 C 22uF C3225X7R1C226M250AC - Product Image 4

C3225X7R1C226M250AC (ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 1210 22 F 16V ± 20% X7R -55ถึง125 C 22uF C3225X7R1C226M250AC - Product Image 5

C3225X7R1C226M250AC (ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 1210 22 F 16V ± 20% X7R -55ถึง125 C 22uF C3225X7R1C226M250AC - Product Image 6

C3225X7R1C226M250AC (ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 1210 22 F 16V ± 20% X7R -55ถึง125 C 22uF C3225X7R1C226M250AC

฿16.32-65.26

MOQ: 1

การค้นหาที่เกี่ยวข้อง:

80 135 45 5 65 5 83 www 55 42 94 fifty five 89 96 35 hd 70 5 60 5 555 75 5 55 3 65 65 86 40 5