All categories

Featured selections

Trade Assurance

Buyer Central

Help Center

Get the app

Become a supplier

55

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

C3216X8L1C106K สำหรับยานยนต์ (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 10 ฟิวต์ 16 โวลต์ ±10% X8L -55 ถึง 150 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA5L1X8L1C106K160AC - Product Image 1

C3216X8L1C106K สำหรับยานยนต์ (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 10 ฟิวต์ 16 โวลต์ ±10% X8L -55 ถึง 150 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA5L1X8L1C106K160AC - Product Image 2

C3216X8L1C106K สำหรับยานยนต์ (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 10 ฟิวต์ 16 โวลต์ ±10% X8L -55 ถึง 150 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA5L1X8L1C106K160AC - Product Image 3

C3216X8L1C106K สำหรับยานยนต์ (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 10 ฟิวต์ 16 โวลต์ ±10% X8L -55 ถึง 150 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA5L1X8L1C106K160AC - Product Image 4

C3216X8L1C106K สำหรับยานยนต์ (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 10 ฟิวต์ 16 โวลต์ ±10% X8L -55 ถึง 150 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA5L1X8L1C106K160AC - Product Image 5

C3216X8L1C106K สำหรับยานยนต์ (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 10 ฟิวต์ 16 โวลต์ ±10% X8L -55 ถึง 150 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA5L1X8L1C106K160AC - Product Image 6

C3216X8L1C106K สำหรับยานยนต์ (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 10 ฟิวต์ 16 โวลต์ ±10% X8L -55 ถึง 150 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA5L1X8L1C106K160AC

฿16.32-65.26

MOQ: 1

รถขุดโคมัตสึ PC50MR-2 ผลิตในญี่ปุ่นมือสองขายในประเทศจีน - Product Image 1

รถขุดโคมัตสึ PC50MR-2 ผลิตในญี่ปุ่นมือสองขายในประเทศจีน - Product Image 2

รถขุดโคมัตสึ PC50MR-2 ผลิตในญี่ปุ่นมือสองขายในประเทศจีน - Product Image 3

รถขุดโคมัตสึ PC50MR-2 ผลิตในญี่ปุ่นมือสองขายในประเทศจีน - Product Image 4

รถขุดโคมัตสึ PC50MR-2 ผลิตในญี่ปุ่นมือสองขายในประเทศจีน - Product Image 5

รถขุดโคมัตสึ PC50MR-2 ผลิตในญี่ปุ่นมือสองขายในประเทศจีน - Product Image 6

รถขุดโคมัตสึ PC50MR-2 ผลิตในญี่ปุ่นมือสองขายในประเทศจีน

฿163,134.50-489,403.50

MOQ: 1

AFD51-22-55PX-6139 ขั้วต่อความแม่นยำสูง 55 พิน สำหรับเครือข่ายเซ็นเซอร์อุตสาหกรรม - Product Image 1

AFD51-22-55PX-6139 ขั้วต่อความแม่นยำสูง 55 พิน สำหรับเครือข่ายเซ็นเซอร์อุตสาหกรรม - Product Image 2

AFD51-22-55PX-6139 ขั้วต่อความแม่นยำสูง 55 พิน สำหรับเครือข่ายเซ็นเซอร์อุตสาหกรรม - Product Image 3

AFD51-22-55PX-6139 ขั้วต่อความแม่นยำสูง 55 พิน สำหรับเครือข่ายเซ็นเซอร์อุตสาหกรรม - Product Image 4

AFD51-22-55PX-6139 ขั้วต่อความแม่นยำสูง 55 พิน สำหรับเครือข่ายเซ็นเซอร์อุตสาหกรรม - Product Image 5

AFD51-22-55PX-6139 ขั้วต่อความแม่นยำสูง 55 พิน สำหรับเครือข่ายเซ็นเซอร์อุตสาหกรรม - Product Image 6

AFD51-22-55PX-6139 ขั้วต่อความแม่นยำสูง 55 พิน สำหรับเครือข่ายเซ็นเซอร์อุตสาหกรรม

฿1.64

MOQ: 100

CAA573X7R1V686M670LJ (ชิปตัวเก็บประจุเซรามิก) 2220 68 F 35V ± 20% X7R -55ถึง125 C AEC-Q200 CAA573X7R1V686M670LJ 68uF - Product Image 1

CAA573X7R1V686M670LJ (ชิปตัวเก็บประจุเซรามิก) 2220 68 F 35V ± 20% X7R -55ถึง125 C AEC-Q200 CAA573X7R1V686M670LJ 68uF - Product Image 2

CAA573X7R1V686M670LJ (ชิปตัวเก็บประจุเซรามิก) 2220 68 F 35V ± 20% X7R -55ถึง125 C AEC-Q200 CAA573X7R1V686M670LJ 68uF - Product Image 3

CAA573X7R1V686M670LJ (ชิปตัวเก็บประจุเซรามิก) 2220 68 F 35V ± 20% X7R -55ถึง125 C AEC-Q200 CAA573X7R1V686M670LJ 68uF - Product Image 4

CAA573X7R1V686M670LJ (ชิปตัวเก็บประจุเซรามิก) 2220 68 F 35V ± 20% X7R -55ถึง125 C AEC-Q200 CAA573X7R1V686M670LJ 68uF - Product Image 5

CAA573X7R1V686M670LJ (ชิปตัวเก็บประจุเซรามิก) 2220 68 F 35V ± 20% X7R -55ถึง125 C AEC-Q200 CAA573X7R1V686M670LJ 68uF - Product Image 6

CAA573X7R1V686M670LJ (ชิปตัวเก็บประจุเซรามิก) 2220 68 F 35V ± 20% X7R -55ถึง125 C AEC-Q200 CAA573X7R1V686M670LJ 68uF

฿16.32-65.26

MOQ: 1

ขั้วต่อ RF แบบปิดผนึก 55 พิน รุ่น TVP00DZ-23-55BD สำหรับเครื่องจักรอุตสาหกรรมกลางแจ้ง - Product Image 1

ขั้วต่อ RF แบบปิดผนึก 55 พิน รุ่น TVP00DZ-23-55BD สำหรับเครื่องจักรอุตสาหกรรมกลางแจ้ง - Product Image 2

ขั้วต่อ RF แบบปิดผนึก 55 พิน รุ่น TVP00DZ-23-55BD สำหรับเครื่องจักรอุตสาหกรรมกลางแจ้ง - Product Image 3

ขั้วต่อ RF แบบปิดผนึก 55 พิน รุ่น TVP00DZ-23-55BD สำหรับเครื่องจักรอุตสาหกรรมกลางแจ้ง - Product Image 4

ขั้วต่อ RF แบบปิดผนึก 55 พิน รุ่น TVP00DZ-23-55BD สำหรับเครื่องจักรอุตสาหกรรมกลางแจ้ง - Product Image 5

ขั้วต่อ RF แบบปิดผนึก 55 พิน รุ่น TVP00DZ-23-55BD สำหรับเครื่องจักรอุตสาหกรรมกลางแจ้ง - Product Image 6

ขั้วต่อ RF แบบปิดผนึก 55 พิน รุ่น TVP00DZ-23-55BD สำหรับเครื่องจักรอุตสาหกรรมกลางแจ้ง

฿1.64

MOQ: 100

CAA573X7R1E157M670LH (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 2220 150 F 25V ± X7R 20%-55ถึง125 C 150uF CAA573X7R1E157M670LH - Product Image 1

CAA573X7R1E157M670LH (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 2220 150 F 25V ± X7R 20%-55ถึง125 C 150uF CAA573X7R1E157M670LH - Product Image 2

CAA573X7R1E157M670LH (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 2220 150 F 25V ± X7R 20%-55ถึง125 C 150uF CAA573X7R1E157M670LH - Product Image 3

CAA573X7R1E157M670LH (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 2220 150 F 25V ± X7R 20%-55ถึง125 C 150uF CAA573X7R1E157M670LH - Product Image 4

CAA573X7R1E157M670LH (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 2220 150 F 25V ± X7R 20%-55ถึง125 C 150uF CAA573X7R1E157M670LH - Product Image 5

CAA573X7R1E157M670LH (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 2220 150 F 25V ± X7R 20%-55ถึง125 C 150uF CAA573X7R1E157M670LH - Product Image 6

CAA573X7R1E157M670LH (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 2220 150 F 25V ± X7R 20%-55ถึง125 C 150uF CAA573X7R1E157M670LH

฿16.32-65.26

MOQ: 1

C3216X7R1C106K160AE (ตัวเก็บประจุเซรามิก SMD) 1206 10 F 16V ± 10% X7R -55ถึง125 C 10uF C3216X7R1C106K160AE - Product Image 1

C3216X7R1C106K160AE (ตัวเก็บประจุเซรามิก SMD) 1206 10 F 16V ± 10% X7R -55ถึง125 C 10uF C3216X7R1C106K160AE - Product Image 2

C3216X7R1C106K160AE (ตัวเก็บประจุเซรามิก SMD) 1206 10 F 16V ± 10% X7R -55ถึง125 C 10uF C3216X7R1C106K160AE - Product Image 3

C3216X7R1C106K160AE (ตัวเก็บประจุเซรามิก SMD) 1206 10 F 16V ± 10% X7R -55ถึง125 C 10uF C3216X7R1C106K160AE - Product Image 4

C3216X7R1C106K160AE (ตัวเก็บประจุเซรามิก SMD) 1206 10 F 16V ± 10% X7R -55ถึง125 C 10uF C3216X7R1C106K160AE - Product Image 5

C3216X7R1C106K160AE (ตัวเก็บประจุเซรามิก SMD) 1206 10 F 16V ± 10% X7R -55ถึง125 C 10uF C3216X7R1C106K160AE - Product Image 6

C3216X7R1C106K160AE (ตัวเก็บประจุเซรามิก SMD) 1206 10 F 16V ± 10% X7R -55ถึง125 C 10uF C3216X7R1C106K160AE

฿16.32-65.26

MOQ: 1

C2012X7S1A106M สำหรับรถยนต์ (SMD ตัวเก็บประจุ MLCC) 0805 10 F 10V ± 20% X7S -55ถึง125 C AEC-Q200 CGA4J3X7S1A106M125AE 10uF - Product Image 1

C2012X7S1A106M สำหรับรถยนต์ (SMD ตัวเก็บประจุ MLCC) 0805 10 F 10V ± 20% X7S -55ถึง125 C AEC-Q200 CGA4J3X7S1A106M125AE 10uF - Product Image 2

C2012X7S1A106M สำหรับรถยนต์ (SMD ตัวเก็บประจุ MLCC) 0805 10 F 10V ± 20% X7S -55ถึง125 C AEC-Q200 CGA4J3X7S1A106M125AE 10uF - Product Image 3

C2012X7S1A106M สำหรับรถยนต์ (SMD ตัวเก็บประจุ MLCC) 0805 10 F 10V ± 20% X7S -55ถึง125 C AEC-Q200 CGA4J3X7S1A106M125AE 10uF - Product Image 4

C2012X7S1A106M สำหรับรถยนต์ (SMD ตัวเก็บประจุ MLCC) 0805 10 F 10V ± 20% X7S -55ถึง125 C AEC-Q200 CGA4J3X7S1A106M125AE 10uF - Product Image 5

C2012X7S1A106M สำหรับรถยนต์ (SMD ตัวเก็บประจุ MLCC) 0805 10 F 10V ± 20% X7S -55ถึง125 C AEC-Q200 CGA4J3X7S1A106M125AE 10uF - Product Image 6

C2012X7S1A106M สำหรับรถยนต์ (SMD ตัวเก็บประจุ MLCC) 0805 10 F 10V ± 20% X7S -55ถึง125 C AEC-Q200 CGA4J3X7S1A106M125AE 10uF

฿16.32-65.26

MOQ: 1

การค้นหาที่เกี่ยวข้อง:

80 135 45 5 65 5 83 www 55 42 94 fifty five 89 96 35 hd 70 5 60 5 555 75 5 55 3 65 65 86 40 5