All categories
Featured selections
Trade Assurance
Buyer Central
Help Center
Get the app
Become a supplier

55

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

C3225X8L1C226M สำหรับยานยนต์ (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 22 ฟิวต์ 16 โวลต์ ±20% X8L -55 ถึง 150 องศาเซลเซียส AEC-Q200 22uF CGA6P1X8L1C226M250AC - Product Image 1
C3225X8L1C226M สำหรับยานยนต์ (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 22 ฟิวต์ 16 โวลต์ ±20% X8L -55 ถึง 150 องศาเซลเซียส AEC-Q200 22uF CGA6P1X8L1C226M250AC - Product Image 2
C3225X8L1C226M สำหรับยานยนต์ (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 22 ฟิวต์ 16 โวลต์ ±20% X8L -55 ถึง 150 องศาเซลเซียส AEC-Q200 22uF CGA6P1X8L1C226M250AC - Product Image 3
C3225X8L1C226M สำหรับยานยนต์ (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 22 ฟิวต์ 16 โวลต์ ±20% X8L -55 ถึง 150 องศาเซลเซียส AEC-Q200 22uF CGA6P1X8L1C226M250AC - Product Image 4
C3225X8L1C226M สำหรับยานยนต์ (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 22 ฟิวต์ 16 โวลต์ ±20% X8L -55 ถึง 150 องศาเซลเซียส AEC-Q200 22uF CGA6P1X8L1C226M250AC - Product Image 5
C3225X8L1C226M สำหรับยานยนต์ (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 22 ฟิวต์ 16 โวลต์ ±20% X8L -55 ถึง 150 องศาเซลเซียส AEC-Q200 22uF CGA6P1X8L1C226M250AC - Product Image 6

C3225X8L1C226M สำหรับยานยนต์ (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 22 ฟิวต์ 16 โวลต์ ±20% X8L -55 ถึง 150 องศาเซลเซียส AEC-Q200 22uF CGA6P1X8L1C226M250AC

฿16.36-65.42
MOQ: 1
C3225X7R1E226M250AB (ตัวเก็บประจุ MLCC) 1210 22 F 25V ± 20% X7R -55ถึง125 C 22UF C3225X7R1E226M250AB - Product Image 1
C3225X7R1E226M250AB (ตัวเก็บประจุ MLCC) 1210 22 F 25V ± 20% X7R -55ถึง125 C 22UF C3225X7R1E226M250AB - Product Image 2
C3225X7R1E226M250AB (ตัวเก็บประจุ MLCC) 1210 22 F 25V ± 20% X7R -55ถึง125 C 22UF C3225X7R1E226M250AB - Product Image 3
C3225X7R1E226M250AB (ตัวเก็บประจุ MLCC) 1210 22 F 25V ± 20% X7R -55ถึง125 C 22UF C3225X7R1E226M250AB - Product Image 4
C3225X7R1E226M250AB (ตัวเก็บประจุ MLCC) 1210 22 F 25V ± 20% X7R -55ถึง125 C 22UF C3225X7R1E226M250AB - Product Image 5
C3225X7R1E226M250AB (ตัวเก็บประจุ MLCC) 1210 22 F 25V ± 20% X7R -55ถึง125 C 22UF C3225X7R1E226M250AB - Product Image 6

C3225X7R1E226M250AB (ตัวเก็บประจุ MLCC) 1210 22 F 25V ± 20% X7R -55ถึง125 C 22UF C3225X7R1E226M250AB

฿16.36-65.42
MOQ: 1
CAA572X7R1V476M670LJ (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 47 ฟิวต์ 35 โวลต์ ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 47uF CAA572X7R1V476M670LJ - Product Image 1
CAA572X7R1V476M670LJ (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 47 ฟิวต์ 35 โวลต์ ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 47uF CAA572X7R1V476M670LJ - Product Image 2
CAA572X7R1V476M670LJ (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 47 ฟิวต์ 35 โวลต์ ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 47uF CAA572X7R1V476M670LJ - Product Image 3
CAA572X7R1V476M670LJ (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 47 ฟิวต์ 35 โวลต์ ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 47uF CAA572X7R1V476M670LJ - Product Image 4
CAA572X7R1V476M670LJ (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 47 ฟิวต์ 35 โวลต์ ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 47uF CAA572X7R1V476M670LJ - Product Image 5
CAA572X7R1V476M670LJ (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 47 ฟิวต์ 35 โวลต์ ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 47uF CAA572X7R1V476M670LJ - Product Image 6

CAA572X7R1V476M670LJ (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 47 ฟิวต์ 35 โวลต์ ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 47uF CAA572X7R1V476M670LJ

฿16.36-65.42
MOQ: 1
C3225X7R1H106K250AC (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 1210 10 F 50V ± 10% X7R -55ถึง125 C 10uF C3225X7R1H106K250AC - Product Image 1
C3225X7R1H106K250AC (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 1210 10 F 50V ± 10% X7R -55ถึง125 C 10uF C3225X7R1H106K250AC - Product Image 2
C3225X7R1H106K250AC (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 1210 10 F 50V ± 10% X7R -55ถึง125 C 10uF C3225X7R1H106K250AC - Product Image 3
C3225X7R1H106K250AC (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 1210 10 F 50V ± 10% X7R -55ถึง125 C 10uF C3225X7R1H106K250AC - Product Image 4
C3225X7R1H106K250AC (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 1210 10 F 50V ± 10% X7R -55ถึง125 C 10uF C3225X7R1H106K250AC - Product Image 5
C3225X7R1H106K250AC (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 1210 10 F 50V ± 10% X7R -55ถึง125 C 10uF C3225X7R1H106K250AC - Product Image 6

C3225X7R1H106K250AC (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 1210 10 F 50V ± 10% X7R -55ถึง125 C 10uF C3225X7R1H106K250AC

฿16.36-65.42
MOQ: 1
ชิปไอซี CY62148ELL-55SXI CY62128ELL-55SXI วงจรรวมใหม่ CY62148ELL-55 CY62148ELL - Product Image 1
ชิปไอซี CY62148ELL-55SXI CY62128ELL-55SXI วงจรรวมใหม่ CY62148ELL-55 CY62148ELL - Product Image 2
ชิปไอซี CY62148ELL-55SXI CY62128ELL-55SXI วงจรรวมใหม่ CY62148ELL-55 CY62148ELL - Product Image 3
ชิปไอซี CY62148ELL-55SXI CY62128ELL-55SXI วงจรรวมใหม่ CY62148ELL-55 CY62148ELL - Product Image 4
ชิปไอซี CY62148ELL-55SXI CY62128ELL-55SXI วงจรรวมใหม่ CY62148ELL-55 CY62148ELL - Product Image 5
ชิปไอซี CY62148ELL-55SXI CY62128ELL-55SXI วงจรรวมใหม่ CY62148ELL-55 CY62148ELL - Product Image 6

ชิปไอซี CY62148ELL-55SXI CY62128ELL-55SXI วงจรรวมใหม่ CY62148ELL-55 CY62148ELL

฿4.91-19.63
MOQ: 1
C2012X7T0J226M สำหรับรถยนต์ (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 22 ฟิวต์ 6.3 โวลต์ ±20% X7T -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 22uF CGA4J1X7T0J226M125AC - Product Image 1
C2012X7T0J226M สำหรับรถยนต์ (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 22 ฟิวต์ 6.3 โวลต์ ±20% X7T -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 22uF CGA4J1X7T0J226M125AC - Product Image 2
C2012X7T0J226M สำหรับรถยนต์ (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 22 ฟิวต์ 6.3 โวลต์ ±20% X7T -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 22uF CGA4J1X7T0J226M125AC - Product Image 3
C2012X7T0J226M สำหรับรถยนต์ (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 22 ฟิวต์ 6.3 โวลต์ ±20% X7T -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 22uF CGA4J1X7T0J226M125AC - Product Image 4
C2012X7T0J226M สำหรับรถยนต์ (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 22 ฟิวต์ 6.3 โวลต์ ±20% X7T -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 22uF CGA4J1X7T0J226M125AC - Product Image 5
C2012X7T0J226M สำหรับรถยนต์ (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 22 ฟิวต์ 6.3 โวลต์ ±20% X7T -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 22uF CGA4J1X7T0J226M125AC - Product Image 6

C2012X7T0J226M สำหรับรถยนต์ (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 22 ฟิวต์ 6.3 โวลต์ ±20% X7T -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 22uF CGA4J1X7T0J226M125AC

฿16.36-65.42
MOQ: 1
C4532X7R1C226M230KB (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD) 1812 22 F 16V ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 22uF C4532X7R1C226M230KB - Product Image 1
C4532X7R1C226M230KB (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD) 1812 22 F 16V ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 22uF C4532X7R1C226M230KB - Product Image 2
C4532X7R1C226M230KB (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD) 1812 22 F 16V ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 22uF C4532X7R1C226M230KB - Product Image 3
C4532X7R1C226M230KB (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD) 1812 22 F 16V ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 22uF C4532X7R1C226M230KB - Product Image 4
C4532X7R1C226M230KB (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD) 1812 22 F 16V ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 22uF C4532X7R1C226M230KB - Product Image 5
C4532X7R1C226M230KB (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD) 1812 22 F 16V ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 22uF C4532X7R1C226M230KB - Product Image 6

C4532X7R1C226M230KB (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD) 1812 22 F 16V ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 22uF C4532X7R1C226M230KB

฿16.36-65.42
MOQ: 1
C3225X7R1E106K250AC (ชิปตัวเก็บประจุเซรามิก) 1210 10 F 25V ± 10% X7R -55ถึง125 C 10uF C3225X7R1E106K250AC - Product Image 1
C3225X7R1E106K250AC (ชิปตัวเก็บประจุเซรามิก) 1210 10 F 25V ± 10% X7R -55ถึง125 C 10uF C3225X7R1E106K250AC - Product Image 2
C3225X7R1E106K250AC (ชิปตัวเก็บประจุเซรามิก) 1210 10 F 25V ± 10% X7R -55ถึง125 C 10uF C3225X7R1E106K250AC - Product Image 3
C3225X7R1E106K250AC (ชิปตัวเก็บประจุเซรามิก) 1210 10 F 25V ± 10% X7R -55ถึง125 C 10uF C3225X7R1E106K250AC - Product Image 4
C3225X7R1E106K250AC (ชิปตัวเก็บประจุเซรามิก) 1210 10 F 25V ± 10% X7R -55ถึง125 C 10uF C3225X7R1E106K250AC - Product Image 5
C3225X7R1E106K250AC (ชิปตัวเก็บประจุเซรามิก) 1210 10 F 25V ± 10% X7R -55ถึง125 C 10uF C3225X7R1E106K250AC - Product Image 6

C3225X7R1E106K250AC (ชิปตัวเก็บประจุเซรามิก) 1210 10 F 25V ± 10% X7R -55ถึง125 C 10uF C3225X7R1E106K250AC

฿16.36-65.42
MOQ: 1

การค้นหาที่เกี่ยวข้อง:

8013545 565 583www 554294fifty five899635 hd70 560 555575 555 365 658640 5