All categories

Featured selections

Trade Assurance

Buyer Central

Help Center

Get the app

Become a supplier

55

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

C3225X5R1H106K250AB (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 1210 10 F 50V ± 10% X5R -55ถึง85 C 10uF C3225X5R1H106K250AB - Product Image 1

C3225X5R1H106K250AB (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 1210 10 F 50V ± 10% X5R -55ถึง85 C 10uF C3225X5R1H106K250AB - Product Image 2

C3225X5R1H106K250AB (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 1210 10 F 50V ± 10% X5R -55ถึง85 C 10uF C3225X5R1H106K250AB - Product Image 3

C3225X5R1H106K250AB (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 1210 10 F 50V ± 10% X5R -55ถึง85 C 10uF C3225X5R1H106K250AB - Product Image 4

C3225X5R1H106K250AB (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 1210 10 F 50V ± 10% X5R -55ถึง85 C 10uF C3225X5R1H106K250AB - Product Image 5

C3225X5R1H106K250AB (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 1210 10 F 50V ± 10% X5R -55ถึง85 C 10uF C3225X5R1H106K250AB - Product Image 6

C3225X5R1H106K250AB (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 1210 10 F 50V ± 10% X5R -55ถึง85 C 10uF C3225X5R1H106K250AB

฿16.34-65.36

MOQ: 1

C3216X5R1C226M160AB (ความจุสูง MLCC) 1206 22 F 16V ± 20% X5R -55ถึง85 C 22uF C3216X5R1C226M160AB - Product Image 1

C3216X5R1C226M160AB (ความจุสูง MLCC) 1206 22 F 16V ± 20% X5R -55ถึง85 C 22uF C3216X5R1C226M160AB - Product Image 2

C3216X5R1C226M160AB (ความจุสูง MLCC) 1206 22 F 16V ± 20% X5R -55ถึง85 C 22uF C3216X5R1C226M160AB - Product Image 3

C3216X5R1C226M160AB (ความจุสูง MLCC) 1206 22 F 16V ± 20% X5R -55ถึง85 C 22uF C3216X5R1C226M160AB - Product Image 4

C3216X5R1C226M160AB (ความจุสูง MLCC) 1206 22 F 16V ± 20% X5R -55ถึง85 C 22uF C3216X5R1C226M160AB - Product Image 5

C3216X5R1C226M160AB (ความจุสูง MLCC) 1206 22 F 16V ± 20% X5R -55ถึง85 C 22uF C3216X5R1C226M160AB - Product Image 6

C3216X5R1C226M160AB (ความจุสูง MLCC) 1206 22 F 16V ± 20% X5R -55ถึง85 C 22uF C3216X5R1C226M160AB

฿16.34-65.36

MOQ: 1

ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์คุณภาพสูง BKAD3-67404-55-40 14800877และราคาดี - Product Image 1

ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์คุณภาพสูง BKAD3-67404-55-40 14800877และราคาดี - Product Image 2

ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์คุณภาพสูง BKAD3-67404-55-40 14800877และราคาดี - Product Image 3

ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์คุณภาพสูง BKAD3-67404-55-40 14800877และราคาดี - Product Image 4

ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์คุณภาพสูง BKAD3-67404-55-40 14800877และราคาดี - Product Image 5

ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์คุณภาพสูง BKAD3-67404-55-40 14800877และราคาดี - Product Image 6

ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์คุณภาพสูง BKAD3-67404-55-40 14800877และราคาดี

฿326.46-2,940.68

MOQ: 10

ไดโอดเรียงกระแสแบบชอตกีคู่ VS-43CTQ100HN3 43A 100V รุ่น TO-220-E3 ใช้งานได้ตั้งแต่ -55 องศาเซลเซียส ถึง +175 องศาเซลเซียส A342 - Product Image 1

ไดโอดเรียงกระแสแบบชอตกีคู่ VS-43CTQ100HN3 43A 100V รุ่น TO-220-E3 ใช้งานได้ตั้งแต่ -55 องศาเซลเซียส ถึง +175 องศาเซลเซียส A342 - Product Image 2

ไดโอดเรียงกระแสแบบชอตกีคู่ VS-43CTQ100HN3 43A 100V รุ่น TO-220-E3 ใช้งานได้ตั้งแต่ -55 องศาเซลเซียส ถึง +175 องศาเซลเซียส A342 - Product Image 3

ไดโอดเรียงกระแสแบบชอตกีคู่ VS-43CTQ100HN3 43A 100V รุ่น TO-220-E3 ใช้งานได้ตั้งแต่ -55 องศาเซลเซียส ถึง +175 องศาเซลเซียส A342 - Product Image 4

ไดโอดเรียงกระแสแบบชอตกีคู่ VS-43CTQ100HN3 43A 100V รุ่น TO-220-E3 ใช้งานได้ตั้งแต่ -55 องศาเซลเซียส ถึง +175 องศาเซลเซียส A342 - Product Image 5

ไดโอดเรียงกระแสแบบชอตกีคู่ VS-43CTQ100HN3 43A 100V รุ่น TO-220-E3 ใช้งานได้ตั้งแต่ -55 องศาเซลเซียส ถึง +175 องศาเซลเซียส A342 - Product Image 6

ไดโอดเรียงกระแสแบบชอตกีคู่ VS-43CTQ100HN3 43A 100V รุ่น TO-220-E3 ใช้งานได้ตั้งแต่ -55 องศาเซลเซียส ถึง +175 องศาเซลเซียส A342

฿3.27-98.04

MOQ: 1

ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ VASB-55-1/4-SI-B อุปกรณ์เสริมนิวเมติก - Product Image 1

ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ VASB-55-1/4-SI-B อุปกรณ์เสริมนิวเมติก - Product Image 2

ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ VASB-55-1/4-SI-B อุปกรณ์เสริมนิวเมติก - Product Image 3

ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ VASB-55-1/4-SI-B อุปกรณ์เสริมนิวเมติก - Product Image 4

ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ VASB-55-1/4-SI-B อุปกรณ์เสริมนิวเมติก - Product Image 5

ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ VASB-55-1/4-SI-B อุปกรณ์เสริมนิวเมติก - Product Image 6

ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ VASB-55-1/4-SI-B อุปกรณ์เสริมนิวเมติก

฿326.46-2,940.68

MOQ: 10

CKG57NX7R1E226M500JH (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์) 2220 22 F 25V ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 22uF CKG57NX7R1E226M500JH - Product Image 1

CKG57NX7R1E226M500JH (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์) 2220 22 F 25V ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 22uF CKG57NX7R1E226M500JH - Product Image 2

CKG57NX7R1E226M500JH (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์) 2220 22 F 25V ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 22uF CKG57NX7R1E226M500JH - Product Image 3

CKG57NX7R1E226M500JH (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์) 2220 22 F 25V ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 22uF CKG57NX7R1E226M500JH - Product Image 4

CKG57NX7R1E226M500JH (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์) 2220 22 F 25V ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 22uF CKG57NX7R1E226M500JH - Product Image 5

CKG57NX7R1E226M500JH (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์) 2220 22 F 25V ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 22uF CKG57NX7R1E226M500JH - Product Image 6

CKG57NX7R1E226M500JH (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์) 2220 22 F 25V ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 22uF CKG57NX7R1E226M500JH

฿16.34-65.36

MOQ: 1

C2012X7S1C106K สำหรับยานยนต์ (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 10 ฟิวต์ 16 โวลต์ ±10% X7S -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA4J1X7S1C106K125AC - Product Image 1

C2012X7S1C106K สำหรับยานยนต์ (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 10 ฟิวต์ 16 โวลต์ ±10% X7S -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA4J1X7S1C106K125AC - Product Image 2

C2012X7S1C106K สำหรับยานยนต์ (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 10 ฟิวต์ 16 โวลต์ ±10% X7S -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA4J1X7S1C106K125AC - Product Image 3

C2012X7S1C106K สำหรับยานยนต์ (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 10 ฟิวต์ 16 โวลต์ ±10% X7S -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA4J1X7S1C106K125AC - Product Image 4

C2012X7S1C106K สำหรับยานยนต์ (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 10 ฟิวต์ 16 โวลต์ ±10% X7S -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA4J1X7S1C106K125AC - Product Image 5

C2012X7S1C106K สำหรับยานยนต์ (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 10 ฟิวต์ 16 โวลต์ ±10% X7S -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA4J1X7S1C106K125AC - Product Image 6

C2012X7S1C106K สำหรับยานยนต์ (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 10 ฟิวต์ 16 โวลต์ ±10% X7S -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA4J1X7S1C106K125AC

฿16.34-65.36

MOQ: 1

C3216X5R0J686M160AB (ตัวเก็บประจุแบบ MLCC) 1206 68 F 6.3V ±20% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส 68uF C3216X5R0J686M160AB - Product Image 1

C3216X5R0J686M160AB (ตัวเก็บประจุแบบ MLCC) 1206 68 F 6.3V ±20% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส 68uF C3216X5R0J686M160AB - Product Image 2

C3216X5R0J686M160AB (ตัวเก็บประจุแบบ MLCC) 1206 68 F 6.3V ±20% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส 68uF C3216X5R0J686M160AB - Product Image 3

C3216X5R0J686M160AB (ตัวเก็บประจุแบบ MLCC) 1206 68 F 6.3V ±20% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส 68uF C3216X5R0J686M160AB - Product Image 4

C3216X5R0J686M160AB (ตัวเก็บประจุแบบ MLCC) 1206 68 F 6.3V ±20% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส 68uF C3216X5R0J686M160AB - Product Image 5

C3216X5R0J686M160AB (ตัวเก็บประจุแบบ MLCC) 1206 68 F 6.3V ±20% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส 68uF C3216X5R0J686M160AB - Product Image 6

C3216X5R0J686M160AB (ตัวเก็บประจุแบบ MLCC) 1206 68 F 6.3V ±20% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส 68uF C3216X5R0J686M160AB

฿16.34-65.36

MOQ: 1

การค้นหาที่เกี่ยวข้อง:

80 135 45 5 65 5 83 www 55 42 94 fifty five 89 96 35 hd 70 5 60 5 555 75 5 55 3 65 65 86 40 5