All categories
Featured selections
Trade Assurance
Buyer Central
Help Center
Get the app
Become a supplier

55

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

CKG57KX7R1E476M335JH (ตัวเก็บประจุ MLCC) 2220 47 F 25V ± 20% X7R -55ถึง125 C 47UF CKG57KX7R1E476M335JH - Product Image 1
CKG57KX7R1E476M335JH (ตัวเก็บประจุ MLCC) 2220 47 F 25V ± 20% X7R -55ถึง125 C 47UF CKG57KX7R1E476M335JH - Product Image 2
CKG57KX7R1E476M335JH (ตัวเก็บประจุ MLCC) 2220 47 F 25V ± 20% X7R -55ถึง125 C 47UF CKG57KX7R1E476M335JH - Product Image 3
CKG57KX7R1E476M335JH (ตัวเก็บประจุ MLCC) 2220 47 F 25V ± 20% X7R -55ถึง125 C 47UF CKG57KX7R1E476M335JH - Product Image 4
CKG57KX7R1E476M335JH (ตัวเก็บประจุ MLCC) 2220 47 F 25V ± 20% X7R -55ถึง125 C 47UF CKG57KX7R1E476M335JH - Product Image 5
CKG57KX7R1E476M335JH (ตัวเก็บประจุ MLCC) 2220 47 F 25V ± 20% X7R -55ถึง125 C 47UF CKG57KX7R1E476M335JH - Product Image 6

CKG57KX7R1E476M335JH (ตัวเก็บประจุ MLCC) 2220 47 F 25V ± 20% X7R -55ถึง125 C 47UF CKG57KX7R1E476M335JH

฿16.65-66.58
MOQ: 1
CKG57KX7R1E106K335JH (ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ขนาดใหญ่) 2220 10 ฟิวส์ 25 โวลต์ ±10% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 10uF CKG57KX7R1E106K335JH - Product Image 1
CKG57KX7R1E106K335JH (ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ขนาดใหญ่) 2220 10 ฟิวส์ 25 โวลต์ ±10% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 10uF CKG57KX7R1E106K335JH - Product Image 2
CKG57KX7R1E106K335JH (ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ขนาดใหญ่) 2220 10 ฟิวส์ 25 โวลต์ ±10% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 10uF CKG57KX7R1E106K335JH - Product Image 3
CKG57KX7R1E106K335JH (ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ขนาดใหญ่) 2220 10 ฟิวส์ 25 โวลต์ ±10% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 10uF CKG57KX7R1E106K335JH - Product Image 4
CKG57KX7R1E106K335JH (ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ขนาดใหญ่) 2220 10 ฟิวส์ 25 โวลต์ ±10% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 10uF CKG57KX7R1E106K335JH - Product Image 5
CKG57KX7R1E106K335JH (ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ขนาดใหญ่) 2220 10 ฟิวส์ 25 โวลต์ ±10% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 10uF CKG57KX7R1E106K335JH - Product Image 6

CKG57KX7R1E106K335JH (ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ขนาดใหญ่) 2220 10 ฟิวส์ 25 โวลต์ ±10% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 10uF CKG57KX7R1E106K335JH

฿16.65-66.58
MOQ: 1
C2012X5R1E106K125AB (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 0805 10 F 25V ± 10% X5R -55ถึง85 C 10uF C2012X5R1E106K125AB - Product Image 1
C2012X5R1E106K125AB (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 0805 10 F 25V ± 10% X5R -55ถึง85 C 10uF C2012X5R1E106K125AB - Product Image 2
C2012X5R1E106K125AB (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 0805 10 F 25V ± 10% X5R -55ถึง85 C 10uF C2012X5R1E106K125AB - Product Image 3
C2012X5R1E106K125AB (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 0805 10 F 25V ± 10% X5R -55ถึง85 C 10uF C2012X5R1E106K125AB - Product Image 4
C2012X5R1E106K125AB (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 0805 10 F 25V ± 10% X5R -55ถึง85 C 10uF C2012X5R1E106K125AB - Product Image 5
C2012X5R1E106K125AB (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 0805 10 F 25V ± 10% X5R -55ถึง85 C 10uF C2012X5R1E106K125AB - Product Image 6

C2012X5R1E106K125AB (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 0805 10 F 25V ± 10% X5R -55ถึง85 C 10uF C2012X5R1E106K125AB

฿16.65-66.58
MOQ: 1
C3216X7S0J226M160AB (ตัวเก็บประจุ MLCC) 1206 22 F 6.3V ± 20% X7S -55ถึง125 C 22UF C3216X7S0J226M160AB - Product Image 1
C3216X7S0J226M160AB (ตัวเก็บประจุ MLCC) 1206 22 F 6.3V ± 20% X7S -55ถึง125 C 22UF C3216X7S0J226M160AB - Product Image 2
C3216X7S0J226M160AB (ตัวเก็บประจุ MLCC) 1206 22 F 6.3V ± 20% X7S -55ถึง125 C 22UF C3216X7S0J226M160AB - Product Image 3
C3216X7S0J226M160AB (ตัวเก็บประจุ MLCC) 1206 22 F 6.3V ± 20% X7S -55ถึง125 C 22UF C3216X7S0J226M160AB - Product Image 4
C3216X7S0J226M160AB (ตัวเก็บประจุ MLCC) 1206 22 F 6.3V ± 20% X7S -55ถึง125 C 22UF C3216X7S0J226M160AB - Product Image 5
C3216X7S0J226M160AB (ตัวเก็บประจุ MLCC) 1206 22 F 6.3V ± 20% X7S -55ถึง125 C 22UF C3216X7S0J226M160AB - Product Image 6

C3216X7S0J226M160AB (ตัวเก็บประจุ MLCC) 1206 22 F 6.3V ± 20% X7S -55ถึง125 C 22UF C3216X7S0J226M160AB

฿16.65-66.58
MOQ: 1
CKG57NX5R1H226M500JJ (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD) 2220 22 F 50V ±20% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส AEC-Q200 22uF CKG57NX5R1H226M500JJ - Product Image 1
CKG57NX5R1H226M500JJ (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD) 2220 22 F 50V ±20% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส AEC-Q200 22uF CKG57NX5R1H226M500JJ - Product Image 2
CKG57NX5R1H226M500JJ (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD) 2220 22 F 50V ±20% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส AEC-Q200 22uF CKG57NX5R1H226M500JJ - Product Image 3
CKG57NX5R1H226M500JJ (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD) 2220 22 F 50V ±20% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส AEC-Q200 22uF CKG57NX5R1H226M500JJ - Product Image 4
CKG57NX5R1H226M500JJ (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD) 2220 22 F 50V ±20% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส AEC-Q200 22uF CKG57NX5R1H226M500JJ - Product Image 5
CKG57NX5R1H226M500JJ (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD) 2220 22 F 50V ±20% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส AEC-Q200 22uF CKG57NX5R1H226M500JJ - Product Image 6

CKG57NX5R1H226M500JJ (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD) 2220 22 F 50V ±20% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส AEC-Q200 22uF CKG57NX5R1H226M500JJ

฿16.65-66.58
MOQ: 1
C3225X7R1N106K250AC (ความจุสูง MLCC) 1210 10 F 75V ± 10% X7R -55ถึง125 C 10uF C3225X7R1N106K250AC - Product Image 1
C3225X7R1N106K250AC (ความจุสูง MLCC) 1210 10 F 75V ± 10% X7R -55ถึง125 C 10uF C3225X7R1N106K250AC - Product Image 2
C3225X7R1N106K250AC (ความจุสูง MLCC) 1210 10 F 75V ± 10% X7R -55ถึง125 C 10uF C3225X7R1N106K250AC - Product Image 3
C3225X7R1N106K250AC (ความจุสูง MLCC) 1210 10 F 75V ± 10% X7R -55ถึง125 C 10uF C3225X7R1N106K250AC - Product Image 4
C3225X7R1N106K250AC (ความจุสูง MLCC) 1210 10 F 75V ± 10% X7R -55ถึง125 C 10uF C3225X7R1N106K250AC - Product Image 5
C3225X7R1N106K250AC (ความจุสูง MLCC) 1210 10 F 75V ± 10% X7R -55ถึง125 C 10uF C3225X7R1N106K250AC - Product Image 6

C3225X7R1N106K250AC (ความจุสูง MLCC) 1210 10 F 75V ± 10% X7R -55ถึง125 C 10uF C3225X7R1N106K250AC

฿16.65-66.58
MOQ: 1
CKG57KX7R1E226M335JJ (ตัวเก็บประจุ MLCC) 2220 22 F 25V ± 20% X7R -55ถึง125 C AEC-Q200 CKG57KX7R1E226M335JJ 22UF - Product Image 1
CKG57KX7R1E226M335JJ (ตัวเก็บประจุ MLCC) 2220 22 F 25V ± 20% X7R -55ถึง125 C AEC-Q200 CKG57KX7R1E226M335JJ 22UF - Product Image 2
CKG57KX7R1E226M335JJ (ตัวเก็บประจุ MLCC) 2220 22 F 25V ± 20% X7R -55ถึง125 C AEC-Q200 CKG57KX7R1E226M335JJ 22UF - Product Image 3
CKG57KX7R1E226M335JJ (ตัวเก็บประจุ MLCC) 2220 22 F 25V ± 20% X7R -55ถึง125 C AEC-Q200 CKG57KX7R1E226M335JJ 22UF - Product Image 4
CKG57KX7R1E226M335JJ (ตัวเก็บประจุ MLCC) 2220 22 F 25V ± 20% X7R -55ถึง125 C AEC-Q200 CKG57KX7R1E226M335JJ 22UF - Product Image 5
CKG57KX7R1E226M335JJ (ตัวเก็บประจุ MLCC) 2220 22 F 25V ± 20% X7R -55ถึง125 C AEC-Q200 CKG57KX7R1E226M335JJ 22UF - Product Image 6

CKG57KX7R1E226M335JJ (ตัวเก็บประจุ MLCC) 2220 22 F 25V ± 20% X7R -55ถึง125 C AEC-Q200 CKG57KX7R1E226M335JJ 22UF

฿16.65-66.58
MOQ: 1
C3225X8L1H106K สำหรับอุปกรณ์อัตโนมัติ (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น) 1210 10 F 50V ±10% X8L -55 ถึง 150 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA6P1X8L1H106K250AC - Product Image 1
C3225X8L1H106K สำหรับอุปกรณ์อัตโนมัติ (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น) 1210 10 F 50V ±10% X8L -55 ถึง 150 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA6P1X8L1H106K250AC - Product Image 2
C3225X8L1H106K สำหรับอุปกรณ์อัตโนมัติ (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น) 1210 10 F 50V ±10% X8L -55 ถึง 150 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA6P1X8L1H106K250AC - Product Image 3
C3225X8L1H106K สำหรับอุปกรณ์อัตโนมัติ (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น) 1210 10 F 50V ±10% X8L -55 ถึง 150 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA6P1X8L1H106K250AC - Product Image 4
C3225X8L1H106K สำหรับอุปกรณ์อัตโนมัติ (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น) 1210 10 F 50V ±10% X8L -55 ถึง 150 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA6P1X8L1H106K250AC - Product Image 5
C3225X8L1H106K สำหรับอุปกรณ์อัตโนมัติ (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น) 1210 10 F 50V ±10% X8L -55 ถึง 150 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA6P1X8L1H106K250AC - Product Image 6

C3225X8L1H106K สำหรับอุปกรณ์อัตโนมัติ (ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น) 1210 10 F 50V ±10% X8L -55 ถึง 150 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA6P1X8L1H106K250AC

฿16.65-66.58
MOQ: 1

การค้นหาที่เกี่ยวข้อง:

8013545 565 583www 554294fifty five899635 hd70 560 555575 555 365 658640 5