All categories
Featured selections
Trade Assurance
Buyer Central
Help Center
Get the app
Become a supplier

55

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

CKG57NX7S1C107M500JJ (ตัวเก็บประจุเซรามิก SMD) 2220 100 F 16V ± 20% X7S -55ถึง125 C AEC-Q200 CKG57NX7S1C107M500JJ 100uF - Product Image 1
CKG57NX7S1C107M500JJ (ตัวเก็บประจุเซรามิก SMD) 2220 100 F 16V ± 20% X7S -55ถึง125 C AEC-Q200 CKG57NX7S1C107M500JJ 100uF - Product Image 2
CKG57NX7S1C107M500JJ (ตัวเก็บประจุเซรามิก SMD) 2220 100 F 16V ± 20% X7S -55ถึง125 C AEC-Q200 CKG57NX7S1C107M500JJ 100uF - Product Image 3
CKG57NX7S1C107M500JJ (ตัวเก็บประจุเซรามิก SMD) 2220 100 F 16V ± 20% X7S -55ถึง125 C AEC-Q200 CKG57NX7S1C107M500JJ 100uF - Product Image 4
CKG57NX7S1C107M500JJ (ตัวเก็บประจุเซรามิก SMD) 2220 100 F 16V ± 20% X7S -55ถึง125 C AEC-Q200 CKG57NX7S1C107M500JJ 100uF - Product Image 5
CKG57NX7S1C107M500JJ (ตัวเก็บประจุเซรามิก SMD) 2220 100 F 16V ± 20% X7S -55ถึง125 C AEC-Q200 CKG57NX7S1C107M500JJ 100uF - Product Image 6

CKG57NX7S1C107M500JJ (ตัวเก็บประจุเซรามิก SMD) 2220 100 F 16V ± 20% X7S -55ถึง125 C AEC-Q200 CKG57NX7S1C107M500JJ 100uF

฿16.45-65.77
MOQ: 1
CKG57NX7R2A106M500JJ (ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ขนาดใหญ่) 2220 10 ฟิวส์ 100 โวลต์ ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CKG57NX7R2A106M500JJ - Product Image 1
CKG57NX7R2A106M500JJ (ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ขนาดใหญ่) 2220 10 ฟิวส์ 100 โวลต์ ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CKG57NX7R2A106M500JJ - Product Image 2
CKG57NX7R2A106M500JJ (ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ขนาดใหญ่) 2220 10 ฟิวส์ 100 โวลต์ ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CKG57NX7R2A106M500JJ - Product Image 3
CKG57NX7R2A106M500JJ (ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ขนาดใหญ่) 2220 10 ฟิวส์ 100 โวลต์ ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CKG57NX7R2A106M500JJ - Product Image 4
CKG57NX7R2A106M500JJ (ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ขนาดใหญ่) 2220 10 ฟิวส์ 100 โวลต์ ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CKG57NX7R2A106M500JJ - Product Image 5
CKG57NX7R2A106M500JJ (ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ขนาดใหญ่) 2220 10 ฟิวส์ 100 โวลต์ ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CKG57NX7R2A106M500JJ - Product Image 6

CKG57NX7R2A106M500JJ (ตัวเก็บประจุแบบ MLCC ขนาดใหญ่) 2220 10 ฟิวส์ 100 โวลต์ ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CKG57NX7R2A106M500JJ

฿16.45-65.77
MOQ: 1
CKG57NX7R1V107M500JJ (ตัวเก็บประจุ SMD MLCC) 2220 100 F 35V ± 20% X7R -55ถึง125 C AEC-Q200 CKG57NX7R1V107M500JJ 100uF - Product Image 1
CKG57NX7R1V107M500JJ (ตัวเก็บประจุ SMD MLCC) 2220 100 F 35V ± 20% X7R -55ถึง125 C AEC-Q200 CKG57NX7R1V107M500JJ 100uF - Product Image 2
CKG57NX7R1V107M500JJ (ตัวเก็บประจุ SMD MLCC) 2220 100 F 35V ± 20% X7R -55ถึง125 C AEC-Q200 CKG57NX7R1V107M500JJ 100uF - Product Image 3
CKG57NX7R1V107M500JJ (ตัวเก็บประจุ SMD MLCC) 2220 100 F 35V ± 20% X7R -55ถึง125 C AEC-Q200 CKG57NX7R1V107M500JJ 100uF - Product Image 4
CKG57NX7R1V107M500JJ (ตัวเก็บประจุ SMD MLCC) 2220 100 F 35V ± 20% X7R -55ถึง125 C AEC-Q200 CKG57NX7R1V107M500JJ 100uF - Product Image 5
CKG57NX7R1V107M500JJ (ตัวเก็บประจุ SMD MLCC) 2220 100 F 35V ± 20% X7R -55ถึง125 C AEC-Q200 CKG57NX7R1V107M500JJ 100uF - Product Image 6

CKG57NX7R1V107M500JJ (ตัวเก็บประจุ SMD MLCC) 2220 100 F 35V ± 20% X7R -55ถึง125 C AEC-Q200 CKG57NX7R1V107M500JJ 100uF

฿16.45-65.77
MOQ: 1
CKG57NX7R1E226M500JH (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์) 2220 22 F 25V ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 22uF CKG57NX7R1E226M500JH - Product Image 1
CKG57NX7R1E226M500JH (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์) 2220 22 F 25V ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 22uF CKG57NX7R1E226M500JH - Product Image 2
CKG57NX7R1E226M500JH (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์) 2220 22 F 25V ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 22uF CKG57NX7R1E226M500JH - Product Image 3
CKG57NX7R1E226M500JH (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์) 2220 22 F 25V ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 22uF CKG57NX7R1E226M500JH - Product Image 4
CKG57NX7R1E226M500JH (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์) 2220 22 F 25V ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 22uF CKG57NX7R1E226M500JH - Product Image 5
CKG57NX7R1E226M500JH (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์) 2220 22 F 25V ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 22uF CKG57NX7R1E226M500JH - Product Image 6

CKG57NX7R1E226M500JH (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์) 2220 22 F 25V ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 22uF CKG57NX7R1E226M500JH

฿16.45-65.77
MOQ: 1
CKG57NX7R1C336M500JJ (ตัวเก็บประจุ SMD MLCC) 2220 33 F 16V ± 20% X7R -55ถึง125 C AEC-Q200 CKG57NX7R1C336M500JJ 33uF - Product Image 1
CKG57NX7R1C336M500JJ (ตัวเก็บประจุ SMD MLCC) 2220 33 F 16V ± 20% X7R -55ถึง125 C AEC-Q200 CKG57NX7R1C336M500JJ 33uF - Product Image 2
CKG57NX7R1C336M500JJ (ตัวเก็บประจุ SMD MLCC) 2220 33 F 16V ± 20% X7R -55ถึง125 C AEC-Q200 CKG57NX7R1C336M500JJ 33uF - Product Image 3
CKG57NX7R1C336M500JJ (ตัวเก็บประจุ SMD MLCC) 2220 33 F 16V ± 20% X7R -55ถึง125 C AEC-Q200 CKG57NX7R1C336M500JJ 33uF - Product Image 4
CKG57NX7R1C336M500JJ (ตัวเก็บประจุ SMD MLCC) 2220 33 F 16V ± 20% X7R -55ถึง125 C AEC-Q200 CKG57NX7R1C336M500JJ 33uF - Product Image 5
CKG57NX7R1C336M500JJ (ตัวเก็บประจุ SMD MLCC) 2220 33 F 16V ± 20% X7R -55ถึง125 C AEC-Q200 CKG57NX7R1C336M500JJ 33uF - Product Image 6

CKG57NX7R1C336M500JJ (ตัวเก็บประจุ SMD MLCC) 2220 33 F 16V ± 20% X7R -55ถึง125 C AEC-Q200 CKG57NX7R1C336M500JJ 33uF

฿16.45-65.77
MOQ: 1
CKG57NX7R1C336M500JH (ตัวเก็บประจุแบบ MLCC) 2220 33 F 16V ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 33uF CKG57NX7R1C336M500JH - Product Image 1
CKG57NX7R1C336M500JH (ตัวเก็บประจุแบบ MLCC) 2220 33 F 16V ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 33uF CKG57NX7R1C336M500JH - Product Image 2
CKG57NX7R1C336M500JH (ตัวเก็บประจุแบบ MLCC) 2220 33 F 16V ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 33uF CKG57NX7R1C336M500JH - Product Image 3
CKG57NX7R1C336M500JH (ตัวเก็บประจุแบบ MLCC) 2220 33 F 16V ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 33uF CKG57NX7R1C336M500JH - Product Image 4
CKG57NX7R1C336M500JH (ตัวเก็บประจุแบบ MLCC) 2220 33 F 16V ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 33uF CKG57NX7R1C336M500JH - Product Image 5
CKG57NX7R1C336M500JH (ตัวเก็บประจุแบบ MLCC) 2220 33 F 16V ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 33uF CKG57NX7R1C336M500JH - Product Image 6

CKG57NX7R1C336M500JH (ตัวเก็บประจุแบบ MLCC) 2220 33 F 16V ±20% X7R -55 ถึง 125 องศาเซลเซียส 33uF CKG57NX7R1C336M500JH

฿16.45-65.77
MOQ: 1
CKG57NX5R1E476M500JH (ความจุสูง MLCC) 2220 47 F 25V ± 20% X5R -55ถึง85 C 47uF CKG57NX5R1E476M500JH - Product Image 1
CKG57NX5R1E476M500JH (ความจุสูง MLCC) 2220 47 F 25V ± 20% X5R -55ถึง85 C 47uF CKG57NX5R1E476M500JH - Product Image 2
CKG57NX5R1E476M500JH (ความจุสูง MLCC) 2220 47 F 25V ± 20% X5R -55ถึง85 C 47uF CKG57NX5R1E476M500JH - Product Image 3
CKG57NX5R1E476M500JH (ความจุสูง MLCC) 2220 47 F 25V ± 20% X5R -55ถึง85 C 47uF CKG57NX5R1E476M500JH - Product Image 4
CKG57NX5R1E476M500JH (ความจุสูง MLCC) 2220 47 F 25V ± 20% X5R -55ถึง85 C 47uF CKG57NX5R1E476M500JH - Product Image 5
CKG57NX5R1E476M500JH (ความจุสูง MLCC) 2220 47 F 25V ± 20% X5R -55ถึง85 C 47uF CKG57NX5R1E476M500JH - Product Image 6

CKG57NX5R1E476M500JH (ความจุสูง MLCC) 2220 47 F 25V ± 20% X5R -55ถึง85 C 47uF CKG57NX5R1E476M500JH

฿16.45-65.77
MOQ: 1
CKG57NX5R1C107M500JH (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 2220 100 ฟิวส์ 16 โวลต์ ±20% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส 100uF CKG57NX5R1C107M500JH - Product Image 1
CKG57NX5R1C107M500JH (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 2220 100 ฟิวส์ 16 โวลต์ ±20% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส 100uF CKG57NX5R1C107M500JH - Product Image 2
CKG57NX5R1C107M500JH (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 2220 100 ฟิวส์ 16 โวลต์ ±20% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส 100uF CKG57NX5R1C107M500JH - Product Image 3
CKG57NX5R1C107M500JH (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 2220 100 ฟิวส์ 16 โวลต์ ±20% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส 100uF CKG57NX5R1C107M500JH - Product Image 4
CKG57NX5R1C107M500JH (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 2220 100 ฟิวส์ 16 โวลต์ ±20% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส 100uF CKG57NX5R1C107M500JH - Product Image 5
CKG57NX5R1C107M500JH (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 2220 100 ฟิวส์ 16 โวลต์ ±20% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส 100uF CKG57NX5R1C107M500JH - Product Image 6

CKG57NX5R1C107M500JH (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 2220 100 ฟิวส์ 16 โวลต์ ±20% X5R -55 ถึง 85 องศาเซลเซียส 100uF CKG57NX5R1C107M500JH

฿16.45-65.77
MOQ: 1

การค้นหาที่เกี่ยวข้อง:

8013545 565 583www 554294fifty five899635 hd70 560 555575 555 365 658640 5