All categories
Featured selections
Trade Assurance
Buyer Central
Help Center
Get the app
Become a supplier

4v

(มีสินค้า 999+ รายการ)

ตัวเก็บประจุ W2L14Z105MAT1S เซรามิก1 uF 4V 0508 0508 (1220เมตริก) ตัวเก็บประจุเซรามิก MLCC 1 UF - Product Image 1
ตัวเก็บประจุ W2L14Z105MAT1S เซรามิก1 uF 4V 0508 0508 (1220เมตริก) ตัวเก็บประจุเซรามิก MLCC 1 UF - Product Image 2
ตัวเก็บประจุ W2L14Z105MAT1S เซรามิก1 uF 4V 0508 0508 (1220เมตริก) ตัวเก็บประจุเซรามิก MLCC 1 UF - Product Image 3
ตัวเก็บประจุ W2L14Z105MAT1S เซรามิก1 uF 4V 0508 0508 (1220เมตริก) ตัวเก็บประจุเซรามิก MLCC 1 UF - Product Image 4
ตัวเก็บประจุ W2L14Z105MAT1S เซรามิก1 uF 4V 0508 0508 (1220เมตริก) ตัวเก็บประจุเซรามิก MLCC 1 UF - Product Image 5
ตัวเก็บประจุ W2L14Z105MAT1S เซรามิก1 uF 4V 0508 0508 (1220เมตริก) ตัวเก็บประจุเซรามิก MLCC 1 UF - Product Image 6

ตัวเก็บประจุ W2L14Z105MAT1S เซรามิก1 uF 4V 0508 0508 (1220เมตริก) ตัวเก็บประจุเซรามิก MLCC 1 UF

฿9.80-26
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
KAILIYUAN TECHNOLOGY INTERNATIONAL CO., LIMITED
1 yrsHK flagHK
S-13R1D40-N4T1U3ชิป IC REG 150MA 4V เชิงเส้น SC-82AB ใหม่ล่าสุด - Product Image 1
S-13R1D40-N4T1U3ชิป IC REG 150MA 4V เชิงเส้น SC-82AB ใหม่ล่าสุด - Product Image 2
S-13R1D40-N4T1U3ชิป IC REG 150MA 4V เชิงเส้น SC-82AB ใหม่ล่าสุด - Product Image 3
S-13R1D40-N4T1U3ชิป IC REG 150MA 4V เชิงเส้น SC-82AB ใหม่ล่าสุด - Product Image 4
S-13R1D40-N4T1U3ชิป IC REG 150MA 4V เชิงเส้น SC-82AB ใหม่ล่าสุด - Product Image 5
S-13R1D40-N4T1U3ชิป IC REG 150MA 4V เชิงเส้น SC-82AB ใหม่ล่าสุด - Product Image 6

S-13R1D40-N4T1U3ชิป IC REG 150MA 4V เชิงเส้น SC-82AB ใหม่ล่าสุด

฿3.38-16.89
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 100 ชิ้น
ApexCore HK Technology Limited
1 yrsHK flagHK4.6/5.0(8)
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบติดบนพื้นผิว YNA21B1J0G106M ขนาด 0805 (2012 เมตริก) ความจุ 10 ไมโครฟารัด 4 โวลต์ X5R 0805 - Product Image 1
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบติดบนพื้นผิว YNA21B1J0G106M ขนาด 0805 (2012 เมตริก) ความจุ 10 ไมโครฟารัด 4 โวลต์ X5R 0805 - Product Image 2
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบติดบนพื้นผิว YNA21B1J0G106M ขนาด 0805 (2012 เมตริก) ความจุ 10 ไมโครฟารัด 4 โวลต์ X5R 0805 - Product Image 3
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบติดบนพื้นผิว YNA21B1J0G106M ขนาด 0805 (2012 เมตริก) ความจุ 10 ไมโครฟารัด 4 โวลต์ X5R 0805 - Product Image 4
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบติดบนพื้นผิว YNA21B1J0G106M ขนาด 0805 (2012 เมตริก) ความจุ 10 ไมโครฟารัด 4 โวลต์ X5R 0805 - Product Image 5
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบติดบนพื้นผิว YNA21B1J0G106M ขนาด 0805 (2012 เมตริก) ความจุ 10 ไมโครฟารัด 4 โวลต์ X5R 0805 - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบติดบนพื้นผิว YNA21B1J0G106M ขนาด 0805 (2012 เมตริก) ความจุ 10 ไมโครฟารัด 4 โวลต์ X5R 0805

฿9.12-18.24
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 100 ชิ้น
KAILIYUAN TECHNOLOGY INTERNATIONAL CO., LIMITED
1 yrsHK flagHK
XC6210C402DR-G IC 700MA 4V แบบเส้นตรงชิป IC แบบใหม่ดั้งเดิม6-USPB มีในสต็อก - Product Image 1
XC6210C402DR-G IC 700MA 4V แบบเส้นตรงชิป IC แบบใหม่ดั้งเดิม6-USPB มีในสต็อก - Product Image 2
XC6210C402DR-G IC 700MA 4V แบบเส้นตรงชิป IC แบบใหม่ดั้งเดิม6-USPB มีในสต็อก - Product Image 3
XC6210C402DR-G IC 700MA 4V แบบเส้นตรงชิป IC แบบใหม่ดั้งเดิม6-USPB มีในสต็อก - Product Image 4
XC6210C402DR-G IC 700MA 4V แบบเส้นตรงชิป IC แบบใหม่ดั้งเดิม6-USPB มีในสต็อก - Product Image 5
XC6210C402DR-G IC 700MA 4V แบบเส้นตรงชิป IC แบบใหม่ดั้งเดิม6-USPB มีในสต็อก - Product Image 6

XC6210C402DR-G IC 700MA 4V แบบเส้นตรงชิป IC แบบใหม่ดั้งเดิม6-USPB มีในสต็อก

฿3.38-27.01
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 100 ชิ้น
ApexCore HK Technology Limited
1 yrsHK flagHK4.6/5.0(8)
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบติดบนพื้นผิว MLCC ขนาด 0805 (2012 เมตริก) รุ่น C2012X7S0G226M125AC ความจุ 22 ไมโครฟารัด 4 โวลต์ X7S 0805 จากผู้ผลิต - Product Image 1
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบติดบนพื้นผิว MLCC ขนาด 0805 (2012 เมตริก) รุ่น C2012X7S0G226M125AC ความจุ 22 ไมโครฟารัด 4 โวลต์ X7S 0805 จากผู้ผลิต - Product Image 2
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบติดบนพื้นผิว MLCC ขนาด 0805 (2012 เมตริก) รุ่น C2012X7S0G226M125AC ความจุ 22 ไมโครฟารัด 4 โวลต์ X7S 0805 จากผู้ผลิต - Product Image 3
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบติดบนพื้นผิว MLCC ขนาด 0805 (2012 เมตริก) รุ่น C2012X7S0G226M125AC ความจุ 22 ไมโครฟารัด 4 โวลต์ X7S 0805 จากผู้ผลิต - Product Image 4
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบติดบนพื้นผิว MLCC ขนาด 0805 (2012 เมตริก) รุ่น C2012X7S0G226M125AC ความจุ 22 ไมโครฟารัด 4 โวลต์ X7S 0805 จากผู้ผลิต - Product Image 5
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบติดบนพื้นผิว MLCC ขนาด 0805 (2012 เมตริก) รุ่น C2012X7S0G226M125AC ความจุ 22 ไมโครฟารัด 4 โวลต์ X7S 0805 จากผู้ผลิต - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบติดบนพื้นผิว MLCC ขนาด 0805 (2012 เมตริก) รุ่น C2012X7S0G226M125AC ความจุ 22 ไมโครฟารัด 4 โวลต์ X7S 0805 จากผู้ผลิต

฿3.04-10.81
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
KAILIYUAN TECHNOLOGY INTERNATIONAL CO., LIMITED
1 yrsHK flagHK
ตัวเก็บประจุเซรามิก MLCC แบบยึด X7R ตัวเก็บประจุแบบ W3L14C105MAT1A 1 uF 4V แบบ0612ขนาด1632เมตริกของแท้ - Product Image 1
ตัวเก็บประจุเซรามิก MLCC แบบยึด X7R ตัวเก็บประจุแบบ W3L14C105MAT1A 1 uF 4V แบบ0612ขนาด1632เมตริกของแท้ - Product Image 2
ตัวเก็บประจุเซรามิก MLCC แบบยึด X7R ตัวเก็บประจุแบบ W3L14C105MAT1A 1 uF 4V แบบ0612ขนาด1632เมตริกของแท้ - Product Image 3
ตัวเก็บประจุเซรามิก MLCC แบบยึด X7R ตัวเก็บประจุแบบ W3L14C105MAT1A 1 uF 4V แบบ0612ขนาด1632เมตริกของแท้ - Product Image 4
ตัวเก็บประจุเซรามิก MLCC แบบยึด X7R ตัวเก็บประจุแบบ W3L14C105MAT1A 1 uF 4V แบบ0612ขนาด1632เมตริกของแท้ - Product Image 5
ตัวเก็บประจุเซรามิก MLCC แบบยึด X7R ตัวเก็บประจุแบบ W3L14C105MAT1A 1 uF 4V แบบ0612ขนาด1632เมตริกของแท้ - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิก MLCC แบบยึด X7R ตัวเก็บประจุแบบ W3L14C105MAT1A 1 uF 4V แบบ0612ขนาด1632เมตริกของแท้

฿5.07-9.80
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 2,000 ชิ้น
KAILIYUAN TECHNOLOGY INTERNATIONAL CO., LIMITED
1 yrsHK flagHK
new and original SI2328DS-T1-E3 SOT-23 Transistors MOSFETs N-Channel 730mW 4V@250uA 250mohm@10V,1.5A - Product Image 1
new and original SI2328DS-T1-E3 SOT-23 Transistors MOSFETs N-Channel 730mW 4V@250uA 250mohm@10V,1.5A - Product Image 2
new and original SI2328DS-T1-E3 SOT-23 Transistors MOSFETs N-Channel 730mW 4V@250uA 250mohm@10V,1.5A - Product Image 3
new and original SI2328DS-T1-E3 SOT-23 Transistors MOSFETs N-Channel 730mW 4V@250uA 250mohm@10V,1.5A - Product Image 4
new and original SI2328DS-T1-E3 SOT-23 Transistors MOSFETs N-Channel 730mW 4V@250uA 250mohm@10V,1.5A - Product Image 5
new and original SI2328DS-T1-E3 SOT-23 Transistors MOSFETs N-Channel 730mW 4V@250uA 250mohm@10V,1.5A - Product Image 6

new and original SI2328DS-T1-E3 SOT-23 Transistors MOSFETs N-Channel 730mW 4V@250uA 250mohm@10V,1.5A

฿7.74-23.17
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 100 ชิ้น
CCP INTERNATIONAL TRADE CO., LIMITED
3 yrsHK flagHK4.8/5.0(14)
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบยึดพื้นผิว CC0603MRX6S4BB106 MLCC 0603 (1608เมตริก) ตัวเก็บประจุ10 UF 4V X6S 0603จากผู้แทนจำหน่ายอนุญาต - Product Image 1
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบยึดพื้นผิว CC0603MRX6S4BB106 MLCC 0603 (1608เมตริก) ตัวเก็บประจุ10 UF 4V X6S 0603จากผู้แทนจำหน่ายอนุญาต - Product Image 2
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบยึดพื้นผิว CC0603MRX6S4BB106 MLCC 0603 (1608เมตริก) ตัวเก็บประจุ10 UF 4V X6S 0603จากผู้แทนจำหน่ายอนุญาต - Product Image 3
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบยึดพื้นผิว CC0603MRX6S4BB106 MLCC 0603 (1608เมตริก) ตัวเก็บประจุ10 UF 4V X6S 0603จากผู้แทนจำหน่ายอนุญาต - Product Image 4
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบยึดพื้นผิว CC0603MRX6S4BB106 MLCC 0603 (1608เมตริก) ตัวเก็บประจุ10 UF 4V X6S 0603จากผู้แทนจำหน่ายอนุญาต - Product Image 5
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบยึดพื้นผิว CC0603MRX6S4BB106 MLCC 0603 (1608เมตริก) ตัวเก็บประจุ10 UF 4V X6S 0603จากผู้แทนจำหน่ายอนุญาต - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบยึดพื้นผิว CC0603MRX6S4BB106 MLCC 0603 (1608เมตริก) ตัวเก็บประจุ10 UF 4V X6S 0603จากผู้แทนจำหน่ายอนุญาต

฿0.6753-2.71
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
KAILIYUAN TECHNOLOGY INTERNATIONAL CO., LIMITED
1 yrsHK flagHK

การค้นหาที่เกี่ยวข้อง:

1v4a4upv4sm 4i44bar4camvt 44y4s3 vr2 cv 44 fingers4 12 vr4 rose2.4 v 4wdat 424v