All categories

Featured selections

Trade Assurance

Buyer Central

Help Center

Get the app

Become a supplier

2.7

(มีสินค้า 999+ รายการ)

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบติดบนพื้นผิว MSASE042SCG2R7BWNA01 รุ่น 01005 (0402 เมตริก) ความจุ 2.7 ปิโวลต์ ความต้านทาน 2.7PF 16V C0G/CG 01005 - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบติดบนพื้นผิว MSASE042SCG2R7BWNA01 รุ่น 01005 (0402 เมตริก) ความจุ 2.7 ปิโวลต์ ความต้านทาน 2.7PF 16V C0G/CG 01005 - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบติดบนพื้นผิว MSASE042SCG2R7BWNA01 รุ่น 01005 (0402 เมตริก) ความจุ 2.7 ปิโวลต์ ความต้านทาน 2.7PF 16V C0G/CG 01005 - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบติดบนพื้นผิว MSASE042SCG2R7BWNA01 รุ่น 01005 (0402 เมตริก) ความจุ 2.7 ปิโวลต์ ความต้านทาน 2.7PF 16V C0G/CG 01005 - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบติดบนพื้นผิว MSASE042SCG2R7BWNA01 รุ่น 01005 (0402 เมตริก) ความจุ 2.7 ปิโวลต์ ความต้านทาน 2.7PF 16V C0G/CG 01005 - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบติดบนพื้นผิว MSASE042SCG2R7BWNA01 รุ่น 01005 (0402 เมตริก) ความจุ 2.7 ปิโวลต์ ความต้านทาน 2.7PF 16V C0G/CG 01005 - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบติดบนพื้นผิว MSASE042SCG2R7BWNA01 รุ่น 01005 (0402 เมตริก) ความจุ 2.7 ปิโวลต์ ความต้านทาน 2.7PF 16V C0G/CG 01005

฿0.3372

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 40,000 ชิ้น

KAILIYUAN TECHNOLOGY INTERNATIONAL CO., LIMITED

1 yrs

HK

ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์หน่วยความจำดั้งเดิมของใหม่ AT24C02N-10SI-2.7 - Product Image 1

ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์หน่วยความจำดั้งเดิมของใหม่ AT24C02N-10SI-2.7 - Product Image 2

ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์หน่วยความจำดั้งเดิมของใหม่ AT24C02N-10SI-2.7 - Product Image 3

ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์หน่วยความจำดั้งเดิมของใหม่ AT24C02N-10SI-2.7 - Product Image 4

ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์หน่วยความจำดั้งเดิมของใหม่ AT24C02N-10SI-2.7 - Product Image 5

ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์หน่วยความจำดั้งเดิมของใหม่ AT24C02N-10SI-2.7 - Product Image 6

ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์หน่วยความจำดั้งเดิมของใหม่ AT24C02N-10SI-2.7

฿16.86

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 10 ชิ้น

MEGA SOURCE ELEC. LIMITED

3 yrs

ตัวเก็บประจุเซรามิก2.7 pF ฝา600F2R7AT250XT4K CER 2.7PF 250V NP0 0805 0805 (2012เมตริก) จากผู้จัดจำหน่ายที่ได้รับอนุญาต - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิก2.7 pF ฝา600F2R7AT250XT4K CER 2.7PF 250V NP0 0805 0805 (2012เมตริก) จากผู้จัดจำหน่ายที่ได้รับอนุญาต - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิก2.7 pF ฝา600F2R7AT250XT4K CER 2.7PF 250V NP0 0805 0805 (2012เมตริก) จากผู้จัดจำหน่ายที่ได้รับอนุญาต - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิก2.7 pF ฝา600F2R7AT250XT4K CER 2.7PF 250V NP0 0805 0805 (2012เมตริก) จากผู้จัดจำหน่ายที่ได้รับอนุญาต - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิก2.7 pF ฝา600F2R7AT250XT4K CER 2.7PF 250V NP0 0805 0805 (2012เมตริก) จากผู้จัดจำหน่ายที่ได้รับอนุญาต - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิก2.7 pF ฝา600F2R7AT250XT4K CER 2.7PF 250V NP0 0805 0805 (2012เมตริก) จากผู้จัดจำหน่ายที่ได้รับอนุญาต - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิก2.7 pF ฝา600F2R7AT250XT4K CER 2.7PF 250V NP0 0805 0805 (2012เมตริก) จากผู้จัดจำหน่ายที่ได้รับอนุญาต

฿15.17-37.42

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

KAILIYUAN TECHNOLOGY INTERNATIONAL CO., LIMITED

1 yrs

HK

ตัวเก็บประจุเซรามิก2.7 pF 0603 (1608เมตริก) 2.7PF ตัวเก็บประจุเซรามิก250V C0G/NP0 - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิก2.7 pF 0603 (1608เมตริก) 2.7PF ตัวเก็บประจุเซรามิก250V C0G/NP0 - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิก2.7 pF 0603 (1608เมตริก) 2.7PF ตัวเก็บประจุเซรามิก250V C0G/NP0 - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิก2.7 pF 0603 (1608เมตริก) 2.7PF ตัวเก็บประจุเซรามิก250V C0G/NP0 - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิก2.7 pF 0603 (1608เมตริก) 2.7PF ตัวเก็บประจุเซรามิก250V C0G/NP0 - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิก2.7 pF 0603 (1608เมตริก) 2.7PF ตัวเก็บประจุเซรามิก250V C0G/NP0 - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิก2.7 pF 0603 (1608เมตริก) 2.7PF ตัวเก็บประจุเซรามิก250V C0G/NP0

฿12.14-31.36

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น

KAILIYUAN TECHNOLOGY INTERNATIONAL CO., LIMITED

1 yrs

HK

AT25HP512C1-10CI-2.7 IC EEPROM 512Kbit SPI 10MHz ชิปวงจรรวมแบบใหม่ดั้งเดิม8LAP มีในสต็อก - Product Image 1

AT25HP512C1-10CI-2.7 IC EEPROM 512Kbit SPI 10MHz ชิปวงจรรวมแบบใหม่ดั้งเดิม8LAP มีในสต็อก - Product Image 2

AT25HP512C1-10CI-2.7 IC EEPROM 512Kbit SPI 10MHz ชิปวงจรรวมแบบใหม่ดั้งเดิม8LAP มีในสต็อก - Product Image 3

AT25HP512C1-10CI-2.7 IC EEPROM 512Kbit SPI 10MHz ชิปวงจรรวมแบบใหม่ดั้งเดิม8LAP มีในสต็อก - Product Image 4

AT25HP512C1-10CI-2.7 IC EEPROM 512Kbit SPI 10MHz ชิปวงจรรวมแบบใหม่ดั้งเดิม8LAP มีในสต็อก - Product Image 5

AT25HP512C1-10CI-2.7 IC EEPROM 512Kbit SPI 10MHz ชิปวงจรรวมแบบใหม่ดั้งเดิม8LAP มีในสต็อก - Product Image 6

AT25HP512C1-10CI-2.7 IC EEPROM 512Kbit SPI 10MHz ชิปวงจรรวมแบบใหม่ดั้งเดิม8LAP มีในสต็อก

฿6.75-33.72

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 10 ชิ้น

ApexCore HK Technology Limited

1 yrs

ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์หน่วยความจำดั้งเดิมของใหม่ AT93C56-10PI-2.7 - Product Image 1

ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์หน่วยความจำดั้งเดิมของใหม่ AT93C56-10PI-2.7 - Product Image 2

ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์หน่วยความจำดั้งเดิมของใหม่ AT93C56-10PI-2.7 - Product Image 3

ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์หน่วยความจำดั้งเดิมของใหม่ AT93C56-10PI-2.7 - Product Image 4

ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์หน่วยความจำดั้งเดิมของใหม่ AT93C56-10PI-2.7 - Product Image 5

ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์หน่วยความจำดั้งเดิมของใหม่ AT93C56-10PI-2.7 - Product Image 6

ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์หน่วยความจำดั้งเดิมของใหม่ AT93C56-10PI-2.7

฿16.86

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 10 ชิ้น

MEGA SOURCE ELEC. LIMITED

3 yrs

ตัวเก็บประจุเซรามิก0603 (1608เมตริก) ฝาครอบ CER 2.7PF 100V NP0 0603 06031A2R7JAT2A ยึดพื้นผิวตัวเก็บประจุเซรามิก MLCC 2.7 PF - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิก0603 (1608เมตริก) ฝาครอบ CER 2.7PF 100V NP0 0603 06031A2R7JAT2A ยึดพื้นผิวตัวเก็บประจุเซรามิก MLCC 2.7 PF - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิก0603 (1608เมตริก) ฝาครอบ CER 2.7PF 100V NP0 0603 06031A2R7JAT2A ยึดพื้นผิวตัวเก็บประจุเซรามิก MLCC 2.7 PF - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิก0603 (1608เมตริก) ฝาครอบ CER 2.7PF 100V NP0 0603 06031A2R7JAT2A ยึดพื้นผิวตัวเก็บประจุเซรามิก MLCC 2.7 PF - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิก0603 (1608เมตริก) ฝาครอบ CER 2.7PF 100V NP0 0603 06031A2R7JAT2A ยึดพื้นผิวตัวเก็บประจุเซรามิก MLCC 2.7 PF - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิก0603 (1608เมตริก) ฝาครอบ CER 2.7PF 100V NP0 0603 06031A2R7JAT2A ยึดพื้นผิวตัวเก็บประจุเซรามิก MLCC 2.7 PF - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิก0603 (1608เมตริก) ฝาครอบ CER 2.7PF 100V NP0 0603 06031A2R7JAT2A ยึดพื้นผิวตัวเก็บประจุเซรามิก MLCC 2.7 PF

฿1.69-2.70

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 4,000 ชิ้น

KAILIYUAN TECHNOLOGY INTERNATIONAL CO., LIMITED

1 yrs

HK

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบชิป ขนาด 0603 (1608 เมตริก) รุ่น GCM1885C2A2R7BA16J ความจุ 2.7 ปิโวลต์ 100 โวลต์ C0G/NP0 ของผู้ผลิต Channel 2.7 pF - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบชิป ขนาด 0603 (1608 เมตริก) รุ่น GCM1885C2A2R7BA16J ความจุ 2.7 ปิโวลต์ 100 โวลต์ C0G/NP0 ของผู้ผลิต Channel 2.7 pF - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบชิป ขนาด 0603 (1608 เมตริก) รุ่น GCM1885C2A2R7BA16J ความจุ 2.7 ปิโวลต์ 100 โวลต์ C0G/NP0 ของผู้ผลิต Channel 2.7 pF - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบชิป ขนาด 0603 (1608 เมตริก) รุ่น GCM1885C2A2R7BA16J ความจุ 2.7 ปิโวลต์ 100 โวลต์ C0G/NP0 ของผู้ผลิต Channel 2.7 pF - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบชิป ขนาด 0603 (1608 เมตริก) รุ่น GCM1885C2A2R7BA16J ความจุ 2.7 ปิโวลต์ 100 โวลต์ C0G/NP0 ของผู้ผลิต Channel 2.7 pF - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบชิป ขนาด 0603 (1608 เมตริก) รุ่น GCM1885C2A2R7BA16J ความจุ 2.7 ปิโวลต์ 100 โวลต์ C0G/NP0 ของผู้ผลิต Channel 2.7 pF - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบชิป ขนาด 0603 (1608 เมตริก) รุ่น GCM1885C2A2R7BA16J ความจุ 2.7 ปิโวลต์ 100 โวลต์ C0G/NP0 ของผู้ผลิต Channel 2.7 pF

฿0.3372-0.6743

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 10,000 ชิ้น

KAILIYUAN TECHNOLOGY INTERNATIONAL CO., LIMITED

1 yrs

HK

การค้นหาที่เกี่ยวข้อง:

3.2 6.2 4.2 17.2 1.6 6.4 3.9 1.2 1.9 8 7 3.4 1.67 1.3 7 7 2.06 3.5 7.65 3 7 997 3.8 2.02