All categories

Featured selections

Trade Assurance

Buyer Central

Help Center

Get the app

Become a supplier

2.7

(มีสินค้า 999+ รายการ)

ตัวแทนจำหน่ายอย่างเป็นทางการ ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบติดบนพื้นผิว GCM1555C2A2R7BE02D ความจุ 2.7 ปิโวลต์ 100 โวลต์ C0G ขนาด 0402 - Product Image 1

ตัวแทนจำหน่ายอย่างเป็นทางการ ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบติดบนพื้นผิว GCM1555C2A2R7BE02D ความจุ 2.7 ปิโวลต์ 100 โวลต์ C0G ขนาด 0402 - Product Image 2

ตัวแทนจำหน่ายอย่างเป็นทางการ ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบติดบนพื้นผิว GCM1555C2A2R7BE02D ความจุ 2.7 ปิโวลต์ 100 โวลต์ C0G ขนาด 0402 - Product Image 3

ตัวแทนจำหน่ายอย่างเป็นทางการ ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบติดบนพื้นผิว GCM1555C2A2R7BE02D ความจุ 2.7 ปิโวลต์ 100 โวลต์ C0G ขนาด 0402 - Product Image 4

ตัวแทนจำหน่ายอย่างเป็นทางการ ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบติดบนพื้นผิว GCM1555C2A2R7BE02D ความจุ 2.7 ปิโวลต์ 100 โวลต์ C0G ขนาด 0402 - Product Image 5

ตัวแทนจำหน่ายอย่างเป็นทางการ ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบติดบนพื้นผิว GCM1555C2A2R7BE02D ความจุ 2.7 ปิโวลต์ 100 โวลต์ C0G ขนาด 0402 - Product Image 6

ตัวแทนจำหน่ายอย่างเป็นทางการ ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบติดบนพื้นผิว GCM1555C2A2R7BE02D ความจุ 2.7 ปิโวลต์ 100 โวลต์ C0G ขนาด 0402

฿0.3377

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 20,000 ชิ้น

KAILIYUAN TECHNOLOGY INTERNATIONAL CO., LIMITED

1 yrs

HK

ตัวเก็บประจุเซรามิก1206 (3216เมตริก) ฝาปิด2.7PF 2KV C0G/NP0 1206 1206N2R7C202CT 2.7 pF - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิก1206 (3216เมตริก) ฝาปิด2.7PF 2KV C0G/NP0 1206 1206N2R7C202CT 2.7 pF - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิก1206 (3216เมตริก) ฝาปิด2.7PF 2KV C0G/NP0 1206 1206N2R7C202CT 2.7 pF - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิก1206 (3216เมตริก) ฝาปิด2.7PF 2KV C0G/NP0 1206 1206N2R7C202CT 2.7 pF - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิก1206 (3216เมตริก) ฝาปิด2.7PF 2KV C0G/NP0 1206 1206N2R7C202CT 2.7 pF - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิก1206 (3216เมตริก) ฝาปิด2.7PF 2KV C0G/NP0 1206 1206N2R7C202CT 2.7 pF - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิก1206 (3216เมตริก) ฝาปิด2.7PF 2KV C0G/NP0 1206 1206N2R7C202CT 2.7 pF

฿0.3377-0.6753

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 4,000 ชิ้น

KAILIYUAN TECHNOLOGY INTERNATIONAL CO., LIMITED

1 yrs

HK

ไอซีหน่วยความจำ BR25160N-10SU-2.7ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์วงจรรวม BR25160N-10SU-2.7วงจรรวม - Product Image 1

ไอซีหน่วยความจำ BR25160N-10SU-2.7ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์วงจรรวม BR25160N-10SU-2.7วงจรรวม - Product Image 2

ไอซีหน่วยความจำ BR25160N-10SU-2.7ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์วงจรรวม BR25160N-10SU-2.7วงจรรวม - Product Image 3

ไอซีหน่วยความจำ BR25160N-10SU-2.7ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์วงจรรวม BR25160N-10SU-2.7วงจรรวม - Product Image 4

ไอซีหน่วยความจำ BR25160N-10SU-2.7ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์วงจรรวม BR25160N-10SU-2.7วงจรรวม - Product Image 5

ไอซีหน่วยความจำ BR25160N-10SU-2.7ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์วงจรรวม BR25160N-10SU-2.7วงจรรวม - Product Image 6

ไอซีหน่วยความจำ BR25160N-10SU-2.7ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์วงจรรวม BR25160N-10SU-2.7วงจรรวม

฿16.89

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 10 ชิ้น

MEGA SOURCE ELEC. LIMITED

3 yrs

ตัวเก็บประจุเซรามิก CER 2.7PF 0603 0603N2R7C500CT (1608เมตริก) 50V C0G/NP0 0603 2.7 pF ผู้จัดจำหน่ายที่ได้รับอนุญาต - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิก CER 2.7PF 0603 0603N2R7C500CT (1608เมตริก) 50V C0G/NP0 0603 2.7 pF ผู้จัดจำหน่ายที่ได้รับอนุญาต - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิก CER 2.7PF 0603 0603N2R7C500CT (1608เมตริก) 50V C0G/NP0 0603 2.7 pF ผู้จัดจำหน่ายที่ได้รับอนุญาต - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิก CER 2.7PF 0603 0603N2R7C500CT (1608เมตริก) 50V C0G/NP0 0603 2.7 pF ผู้จัดจำหน่ายที่ได้รับอนุญาต - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิก CER 2.7PF 0603 0603N2R7C500CT (1608เมตริก) 50V C0G/NP0 0603 2.7 pF ผู้จัดจำหน่ายที่ได้รับอนุญาต - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิก CER 2.7PF 0603 0603N2R7C500CT (1608เมตริก) 50V C0G/NP0 0603 2.7 pF ผู้จัดจำหน่ายที่ได้รับอนุญาต - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิก CER 2.7PF 0603 0603N2R7C500CT (1608เมตริก) 50V C0G/NP0 0603 2.7 pF ผู้จัดจำหน่ายที่ได้รับอนุญาต

฿0.3377

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 4,000 ชิ้น

KAILIYUAN TECHNOLOGY INTERNATIONAL CO., LIMITED

1 yrs

HK

ไอซีหน่วยความจำ AT24C04-10PI-2.7ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์วงจรรวม AT24C04-10PI-2.7วงจรรวม - Product Image 1

ไอซีหน่วยความจำ AT24C04-10PI-2.7ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์วงจรรวม AT24C04-10PI-2.7วงจรรวม - Product Image 2

ไอซีหน่วยความจำ AT24C04-10PI-2.7ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์วงจรรวม AT24C04-10PI-2.7วงจรรวม - Product Image 3

ไอซีหน่วยความจำ AT24C04-10PI-2.7ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์วงจรรวม AT24C04-10PI-2.7วงจรรวม - Product Image 4

ไอซีหน่วยความจำ AT24C04-10PI-2.7ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์วงจรรวม AT24C04-10PI-2.7วงจรรวม - Product Image 5

ไอซีหน่วยความจำ AT24C04-10PI-2.7ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์วงจรรวม AT24C04-10PI-2.7วงจรรวม - Product Image 6

ไอซีหน่วยความจำ AT24C04-10PI-2.7ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์วงจรรวม AT24C04-10PI-2.7วงจรรวม

฿16.89

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 10 ชิ้น

MEGA SOURCE ELEC. LIMITED

3 yrs

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบติดบนพื้นผิว รุ่น 0805N2R7C101CT ขนาด 0805 ค่าความจุ 2.7 ปิโวลต์ แรงดัน 100 โวลต์ ค่าความคลาดเคลื่อน C0G/NP0 (2012 เมตริก) 2.7 ปิโวลต์-ฟิวต์ - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบติดบนพื้นผิว รุ่น 0805N2R7C101CT ขนาด 0805 ค่าความจุ 2.7 ปิโวลต์ แรงดัน 100 โวลต์ ค่าความคลาดเคลื่อน C0G/NP0 (2012 เมตริก) 2.7 ปิโวลต์-ฟิวต์ - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบติดบนพื้นผิว รุ่น 0805N2R7C101CT ขนาด 0805 ค่าความจุ 2.7 ปิโวลต์ แรงดัน 100 โวลต์ ค่าความคลาดเคลื่อน C0G/NP0 (2012 เมตริก) 2.7 ปิโวลต์-ฟิวต์ - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบติดบนพื้นผิว รุ่น 0805N2R7C101CT ขนาด 0805 ค่าความจุ 2.7 ปิโวลต์ แรงดัน 100 โวลต์ ค่าความคลาดเคลื่อน C0G/NP0 (2012 เมตริก) 2.7 ปิโวลต์-ฟิวต์ - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบติดบนพื้นผิว รุ่น 0805N2R7C101CT ขนาด 0805 ค่าความจุ 2.7 ปิโวลต์ แรงดัน 100 โวลต์ ค่าความคลาดเคลื่อน C0G/NP0 (2012 เมตริก) 2.7 ปิโวลต์-ฟิวต์ - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบติดบนพื้นผิว รุ่น 0805N2R7C101CT ขนาด 0805 ค่าความจุ 2.7 ปิโวลต์ แรงดัน 100 โวลต์ ค่าความคลาดเคลื่อน C0G/NP0 (2012 เมตริก) 2.7 ปิโวลต์-ฟิวต์ - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบติดบนพื้นผิว รุ่น 0805N2R7C101CT ขนาด 0805 ค่าความจุ 2.7 ปิโวลต์ แรงดัน 100 โวลต์ ค่าความคลาดเคลื่อน C0G/NP0 (2012 เมตริก) 2.7 ปิโวลต์-ฟิวต์

฿0.3377

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 4,000 ชิ้น

KAILIYUAN TECHNOLOGY INTERNATIONAL CO., LIMITED

1 yrs

HK

ตัวเก็บประจุเซรามิก CER 2.7PF 50V C0G/NP0 0603 0603 (1608เมตริก) GRM1885C1H2R7BZ01D 2.7 pF - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิก CER 2.7PF 50V C0G/NP0 0603 0603 (1608เมตริก) GRM1885C1H2R7BZ01D 2.7 pF - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิก CER 2.7PF 50V C0G/NP0 0603 0603 (1608เมตริก) GRM1885C1H2R7BZ01D 2.7 pF - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิก CER 2.7PF 50V C0G/NP0 0603 0603 (1608เมตริก) GRM1885C1H2R7BZ01D 2.7 pF - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิก CER 2.7PF 50V C0G/NP0 0603 0603 (1608เมตริก) GRM1885C1H2R7BZ01D 2.7 pF - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิก CER 2.7PF 50V C0G/NP0 0603 0603 (1608เมตริก) GRM1885C1H2R7BZ01D 2.7 pF - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิก CER 2.7PF 50V C0G/NP0 0603 0603 (1608เมตริก) GRM1885C1H2R7BZ01D 2.7 pF

฿8.45-16.89

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 100 ชิ้น

KAILIYUAN TECHNOLOGY INTERNATIONAL CO., LIMITED

1 yrs

HK

AT24C512-10PU-2.7 IC EEPROM 512Kbit I2C 1MHz ชิปวงจรรวมแบบใหม่ดั้งเดิม8DIP มีในสต็อก - Product Image 1

AT24C512-10PU-2.7 IC EEPROM 512Kbit I2C 1MHz ชิปวงจรรวมแบบใหม่ดั้งเดิม8DIP มีในสต็อก - Product Image 2

AT24C512-10PU-2.7 IC EEPROM 512Kbit I2C 1MHz ชิปวงจรรวมแบบใหม่ดั้งเดิม8DIP มีในสต็อก - Product Image 3

AT24C512-10PU-2.7 IC EEPROM 512Kbit I2C 1MHz ชิปวงจรรวมแบบใหม่ดั้งเดิม8DIP มีในสต็อก - Product Image 4

AT24C512-10PU-2.7 IC EEPROM 512Kbit I2C 1MHz ชิปวงจรรวมแบบใหม่ดั้งเดิม8DIP มีในสต็อก - Product Image 5

AT24C512-10PU-2.7 IC EEPROM 512Kbit I2C 1MHz ชิปวงจรรวมแบบใหม่ดั้งเดิม8DIP มีในสต็อก - Product Image 6

AT24C512-10PU-2.7 IC EEPROM 512Kbit I2C 1MHz ชิปวงจรรวมแบบใหม่ดั้งเดิม8DIP มีในสต็อก

฿6.76-33.77

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 10 ชิ้น

ApexCore HK Technology Limited

1 yrs

การค้นหาที่เกี่ยวข้อง:

3.2 6.2 4.2 17.2 1.6 6.4 3.9 1.2 1.9 8 7 3.4 1.67 1.3 7 7 2.06 3.5 7.65 3 7 997 3.8 2.02