All categories

Featured selections

Trade Assurance

Buyer Central

Help Center

Get the app

Become a supplier

150

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

C2012X8L0J106K สำหรับยานยนต์ (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 10 ฟิวต์ 6.3 โวลต์ ±10% X8L -55 ถึง 150 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA4J1X8L0J106K125AC - Product Image 1

C2012X8L0J106K สำหรับยานยนต์ (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 10 ฟิวต์ 6.3 โวลต์ ±10% X8L -55 ถึง 150 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA4J1X8L0J106K125AC - Product Image 2

C2012X8L0J106K สำหรับยานยนต์ (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 10 ฟิวต์ 6.3 โวลต์ ±10% X8L -55 ถึง 150 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA4J1X8L0J106K125AC - Product Image 3

C2012X8L0J106K สำหรับยานยนต์ (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 10 ฟิวต์ 6.3 โวลต์ ±10% X8L -55 ถึง 150 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA4J1X8L0J106K125AC - Product Image 4

C2012X8L0J106K สำหรับยานยนต์ (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 10 ฟิวต์ 6.3 โวลต์ ±10% X8L -55 ถึง 150 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA4J1X8L0J106K125AC - Product Image 5

C2012X8L0J106K สำหรับยานยนต์ (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 10 ฟิวต์ 6.3 โวลต์ ±10% X8L -55 ถึง 150 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA4J1X8L0J106K125AC - Product Image 6

C2012X8L0J106K สำหรับยานยนต์ (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 10 ฟิวต์ 6.3 โวลต์ ±10% X8L -55 ถึง 150 องศาเซลเซียส AEC-Q200 10uF CGA4J1X8L0J106K125AC

฿16.32-65.26

MOQ: 1

GCM32EL8EF226KE08(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูง MLCC) 1210 22 F ± 25Vdc 10% X8L 150 AEC-Q200 22uF GCM32EL8EF226KE08 - Product Image 1

GCM32EL8EF226KE08(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูง MLCC) 1210 22 F ± 25Vdc 10% X8L 150 AEC-Q200 22uF GCM32EL8EF226KE08 - Product Image 2

GCM32EL8EF226KE08(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูง MLCC) 1210 22 F ± 25Vdc 10% X8L 150 AEC-Q200 22uF GCM32EL8EF226KE08 - Product Image 3

GCM32EL8EF226KE08(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูง MLCC) 1210 22 F ± 25Vdc 10% X8L 150 AEC-Q200 22uF GCM32EL8EF226KE08 - Product Image 4

GCM32EL8EF226KE08(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูง MLCC) 1210 22 F ± 25Vdc 10% X8L 150 AEC-Q200 22uF GCM32EL8EF226KE08 - Product Image 5

GCM32EL8EF226KE08(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูง MLCC) 1210 22 F ± 25Vdc 10% X8L 150 AEC-Q200 22uF GCM32EL8EF226KE08 - Product Image 6

GCM32EL8EF226KE08(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูง MLCC) 1210 22 F ± 25Vdc 10% X8L 150 AEC-Q200 22uF GCM32EL8EF226KE08

฿16.32-65.26

MOQ: 1

GCM21BM8EE106KE08ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์ (CHY) 10 F 16Vdc ± 10% X8M 150 AEC-Q200 10uF GCM21BM8EE106KE08 - Product Image 1

GCM21BM8EE106KE08ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์ (CHY) 10 F 16Vdc ± 10% X8M 150 AEC-Q200 10uF GCM21BM8EE106KE08 - Product Image 2

GCM21BM8EE106KE08ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์ (CHY) 10 F 16Vdc ± 10% X8M 150 AEC-Q200 10uF GCM21BM8EE106KE08 - Product Image 3

GCM21BM8EE106KE08ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์ (CHY) 10 F 16Vdc ± 10% X8M 150 AEC-Q200 10uF GCM21BM8EE106KE08 - Product Image 4

GCM21BM8EE106KE08ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์ (CHY) 10 F 16Vdc ± 10% X8M 150 AEC-Q200 10uF GCM21BM8EE106KE08 - Product Image 5

GCM21BM8EE106KE08ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์ (CHY) 10 F 16Vdc ± 10% X8M 150 AEC-Q200 10uF GCM21BM8EE106KE08 - Product Image 6

GCM21BM8EE106KE08ตัวเก็บประจุแบบเซรามิกความจุสูงอิเล็กทรอนิกส์ (CHY) 10 F 16Vdc ± 10% X8M 150 AEC-Q200 10uF GCM21BM8EE106KE08

฿16.32-65.26

MOQ: 1

C3225X8R1C106K250AB (ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 1210 10 F 16V ±10% X8R -55 ถึง 150 องศาเซลเซียส 10uF C3225X8R1C106K250AB - Product Image 1

C3225X8R1C106K250AB (ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 1210 10 F 16V ±10% X8R -55 ถึง 150 องศาเซลเซียส 10uF C3225X8R1C106K250AB - Product Image 2

C3225X8R1C106K250AB (ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 1210 10 F 16V ±10% X8R -55 ถึง 150 องศาเซลเซียส 10uF C3225X8R1C106K250AB - Product Image 3

C3225X8R1C106K250AB (ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 1210 10 F 16V ±10% X8R -55 ถึง 150 องศาเซลเซียส 10uF C3225X8R1C106K250AB - Product Image 4

C3225X8R1C106K250AB (ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 1210 10 F 16V ±10% X8R -55 ถึง 150 องศาเซลเซียส 10uF C3225X8R1C106K250AB - Product Image 5

C3225X8R1C106K250AB (ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 1210 10 F 16V ±10% X8R -55 ถึง 150 องศาเซลเซียส 10uF C3225X8R1C106K250AB - Product Image 6

C3225X8R1C106K250AB (ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 1210 10 F 16V ±10% X8R -55 ถึง 150 องศาเซลเซียส 10uF C3225X8R1C106K250AB

฿16.32-65.26

MOQ: 1

C3216X8L0G156M160AC (ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 1206 15 F 4V ± 20% X8L -55ถึง150 C 15uF C3216X8L0G156M160AC - Product Image 1

C3216X8L0G156M160AC (ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 1206 15 F 4V ± 20% X8L -55ถึง150 C 15uF C3216X8L0G156M160AC - Product Image 2

C3216X8L0G156M160AC (ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 1206 15 F 4V ± 20% X8L -55ถึง150 C 15uF C3216X8L0G156M160AC - Product Image 3

C3216X8L0G156M160AC (ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 1206 15 F 4V ± 20% X8L -55ถึง150 C 15uF C3216X8L0G156M160AC - Product Image 4

C3216X8L0G156M160AC (ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 1206 15 F 4V ± 20% X8L -55ถึง150 C 15uF C3216X8L0G156M160AC - Product Image 5

C3216X8L0G156M160AC (ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 1206 15 F 4V ± 20% X8L -55ถึง150 C 15uF C3216X8L0G156M160AC - Product Image 6

C3216X8L0G156M160AC (ความจุขนาดใหญ่ MLCC) 1206 15 F 4V ± 20% X8L -55ถึง150 C 15uF C3216X8L0G156M160AC

฿16.32-65.26

MOQ: 1

C3225X8L1C226M สำหรับยานยนต์ (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 22 ฟิวต์ 16 โวลต์ ±20% X8L -55 ถึง 150 องศาเซลเซียส AEC-Q200 22uF CGA6P1X8L1C226M250AC - Product Image 1

C3225X8L1C226M สำหรับยานยนต์ (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 22 ฟิวต์ 16 โวลต์ ±20% X8L -55 ถึง 150 องศาเซลเซียส AEC-Q200 22uF CGA6P1X8L1C226M250AC - Product Image 2

C3225X8L1C226M สำหรับยานยนต์ (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 22 ฟิวต์ 16 โวลต์ ±20% X8L -55 ถึง 150 องศาเซลเซียส AEC-Q200 22uF CGA6P1X8L1C226M250AC - Product Image 3

C3225X8L1C226M สำหรับยานยนต์ (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 22 ฟิวต์ 16 โวลต์ ±20% X8L -55 ถึง 150 องศาเซลเซียส AEC-Q200 22uF CGA6P1X8L1C226M250AC - Product Image 4

C3225X8L1C226M สำหรับยานยนต์ (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 22 ฟิวต์ 16 โวลต์ ±20% X8L -55 ถึง 150 องศาเซลเซียส AEC-Q200 22uF CGA6P1X8L1C226M250AC - Product Image 5

C3225X8L1C226M สำหรับยานยนต์ (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 22 ฟิวต์ 16 โวลต์ ±20% X8L -55 ถึง 150 องศาเซลเซียส AEC-Q200 22uF CGA6P1X8L1C226M250AC - Product Image 6

C3225X8L1C226M สำหรับยานยนต์ (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง) 22 ฟิวต์ 16 โวลต์ ±20% X8L -55 ถึง 150 องศาเซลเซียส AEC-Q200 22uF CGA6P1X8L1C226M250AC

฿16.32-65.26

MOQ: 1

C3225X8R1E106M สำหรับรถยนต์ (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 1210 10 F 25V ± 20% X8R -55ถึง150 C AEC-Q200 CGA6P1X8R1E106M250AC 10uF - Product Image 1

C3225X8R1E106M สำหรับรถยนต์ (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 1210 10 F 25V ± 20% X8R -55ถึง150 C AEC-Q200 CGA6P1X8R1E106M250AC 10uF - Product Image 2

C3225X8R1E106M สำหรับรถยนต์ (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 1210 10 F 25V ± 20% X8R -55ถึง150 C AEC-Q200 CGA6P1X8R1E106M250AC 10uF - Product Image 3

C3225X8R1E106M สำหรับรถยนต์ (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 1210 10 F 25V ± 20% X8R -55ถึง150 C AEC-Q200 CGA6P1X8R1E106M250AC 10uF - Product Image 4

C3225X8R1E106M สำหรับรถยนต์ (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 1210 10 F 25V ± 20% X8R -55ถึง150 C AEC-Q200 CGA6P1X8R1E106M250AC 10uF - Product Image 5

C3225X8R1E106M สำหรับรถยนต์ (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 1210 10 F 25V ± 20% X8R -55ถึง150 C AEC-Q200 CGA6P1X8R1E106M250AC 10uF - Product Image 6

C3225X8R1E106M สำหรับรถยนต์ (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น) 1210 10 F 25V ± 20% X8R -55ถึง150 C AEC-Q200 CGA6P1X8R1E106M250AC 10uF

฿16.32-65.26

MOQ: 1

GCJ32ER91C106KE01(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD เซรามิก) 1210 10 F 16Vdc ± 10% X8R 150 AEC-Q200 10uF GCJ32ER91C106KE01 - Product Image 1

GCJ32ER91C106KE01(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD เซรามิก) 1210 10 F 16Vdc ± 10% X8R 150 AEC-Q200 10uF GCJ32ER91C106KE01 - Product Image 2

GCJ32ER91C106KE01(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD เซรามิก) 1210 10 F 16Vdc ± 10% X8R 150 AEC-Q200 10uF GCJ32ER91C106KE01 - Product Image 3

GCJ32ER91C106KE01(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD เซรามิก) 1210 10 F 16Vdc ± 10% X8R 150 AEC-Q200 10uF GCJ32ER91C106KE01 - Product Image 4

GCJ32ER91C106KE01(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD เซรามิก) 1210 10 F 16Vdc ± 10% X8R 150 AEC-Q200 10uF GCJ32ER91C106KE01 - Product Image 5

GCJ32ER91C106KE01(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD เซรามิก) 1210 10 F 16Vdc ± 10% X8R 150 AEC-Q200 10uF GCJ32ER91C106KE01 - Product Image 6

GCJ32ER91C106KE01(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD เซรามิก) 1210 10 F 16Vdc ± 10% X8R 150 AEC-Q200 10uF GCJ32ER91C106KE01

฿16.32-65.26

MOQ: 1

การค้นหาที่เกี่ยวข้อง:

120 144 195 141 150 n 178 142 570 200 185 150 150 780 375 168 950 330 197 290 65 150 k