All categories
Featured selections
Trade Assurance
Buyer Central
Help Center
Get the app
Become a supplier

1206

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้นชนิดโมโนลิธิกไดอิเล็กทริกสูงสำหรับอุตสาหกรรมยานยนต์ TAIYO YUDEN ขนาด 1206/3216 ความคลาดเคลื่อน 10% X7R แบบ SMD ทนอุณหภูมิ -55 องศาเซลเซียส ถึง +125 องศาเซลเซียส - Product Image 1
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้นชนิดโมโนลิธิกไดอิเล็กทริกสูงสำหรับอุตสาหกรรมยานยนต์ TAIYO YUDEN ขนาด 1206/3216 ความคลาดเคลื่อน 10% X7R แบบ SMD ทนอุณหภูมิ -55 องศาเซลเซียส ถึง +125 องศาเซลเซียส - Product Image 2
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้นชนิดโมโนลิธิกไดอิเล็กทริกสูงสำหรับอุตสาหกรรมยานยนต์ TAIYO YUDEN ขนาด 1206/3216 ความคลาดเคลื่อน 10% X7R แบบ SMD ทนอุณหภูมิ -55 องศาเซลเซียส ถึง +125 องศาเซลเซียส - Product Image 3
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้นชนิดโมโนลิธิกไดอิเล็กทริกสูงสำหรับอุตสาหกรรมยานยนต์ TAIYO YUDEN ขนาด 1206/3216 ความคลาดเคลื่อน 10% X7R แบบ SMD ทนอุณหภูมิ -55 องศาเซลเซียส ถึง +125 องศาเซลเซียส - Product Image 4
ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้นชนิดโมโนลิธิกไดอิเล็กทริกสูงสำหรับอุตสาหกรรมยานยนต์ TAIYO YUDEN ขนาด 1206/3216 ความคลาดเคลื่อน 10% X7R แบบ SMD ทนอุณหภูมิ -55 องศาเซลเซียส ถึง +125 องศาเซลเซียส - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้นชนิดโมโนลิธิกไดอิเล็กทริกสูงสำหรับอุตสาหกรรมยานยนต์ TAIYO YUDEN ขนาด 1206/3216 ความคลาดเคลื่อน 10% X7R แบบ SMD ทนอุณหภูมิ -55 องศาเซลเซียส ถึง +125 องศาเซลเซียส

฿1,511.04
MOQ: 1
ตัวเก็บประจุแบบเรเดียล CL21A106KONNNE JMY 1206 10UF 106 X5R 16V 10% ของแท้ - Product Image 1
ตัวเก็บประจุแบบเรเดียล CL21A106KONNNE JMY 1206 10UF 106 X5R 16V 10% ของแท้ - Product Image 2
ตัวเก็บประจุแบบเรเดียล CL21A106KONNNE JMY 1206 10UF 106 X5R 16V 10% ของแท้ - Product Image 3
ตัวเก็บประจุแบบเรเดียล CL21A106KONNNE JMY 1206 10UF 106 X5R 16V 10% ของแท้ - Product Image 4
ตัวเก็บประจุแบบเรเดียล CL21A106KONNNE JMY 1206 10UF 106 X5R 16V 10% ของแท้ - Product Image 5
ตัวเก็บประจุแบบเรเดียล CL21A106KONNNE JMY 1206 10UF 106 X5R 16V 10% ของแท้ - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบเรเดียล CL21A106KONNNE JMY 1206 10UF 106 X5R 16V 10% ของแท้

฿0.3174-0.6347
MOQ: 100
ชิป X7R CL31B226KPHNNNE 22uF 10V 1206ตัวเก็บประจุอิมพีแดนซ์ต่ำสำหรับวัตถุประสงค์ทั่วไป - Product Image 1
ชิป X7R CL31B226KPHNNNE 22uF 10V 1206ตัวเก็บประจุอิมพีแดนซ์ต่ำสำหรับวัตถุประสงค์ทั่วไป - Product Image 2
ชิป X7R CL31B226KPHNNNE 22uF 10V 1206ตัวเก็บประจุอิมพีแดนซ์ต่ำสำหรับวัตถุประสงค์ทั่วไป - Product Image 3
ชิป X7R CL31B226KPHNNNE 22uF 10V 1206ตัวเก็บประจุอิมพีแดนซ์ต่ำสำหรับวัตถุประสงค์ทั่วไป - Product Image 4
ชิป X7R CL31B226KPHNNNE 22uF 10V 1206ตัวเก็บประจุอิมพีแดนซ์ต่ำสำหรับวัตถุประสงค์ทั่วไป - Product Image 5
ชิป X7R CL31B226KPHNNNE 22uF 10V 1206ตัวเก็บประจุอิมพีแดนซ์ต่ำสำหรับวัตถุประสงค์ทั่วไป - Product Image 6

ชิป X7R CL31B226KPHNNNE 22uF 10V 1206ตัวเก็บประจุอิมพีแดนซ์ต่ำสำหรับวัตถุประสงค์ทั่วไป

฿0.3174-0.6347
MOQ: 10
การป้องกันการบินและอวกาศตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นขนาด1206/3216 X7R 25V 10F รุ่นแพคเกจ SMD 10% - Product Image 1
การป้องกันการบินและอวกาศตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นขนาด1206/3216 X7R 25V 10F รุ่นแพคเกจ SMD 10% - Product Image 2
การป้องกันการบินและอวกาศตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นขนาด1206/3216 X7R 25V 10F รุ่นแพคเกจ SMD 10% - Product Image 3
การป้องกันการบินและอวกาศตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นขนาด1206/3216 X7R 25V 10F รุ่นแพคเกจ SMD 10% - Product Image 4
การป้องกันการบินและอวกาศตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นขนาด1206/3216 X7R 25V 10F รุ่นแพคเกจ SMD 10% - Product Image 5

การป้องกันการบินและอวกาศตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นขนาด1206/3216 X7R 25V 10F รุ่นแพคเกจ SMD 10%

฿1,611.94
MOQ: 1
1206B105K500NT ตัวเก็บประจุ1 UF 50V X7R 1206 MLCC ความต้านทานต่ำตัวเก็บประจุ SMD สำหรับบายพาสแยกตัวกรองและรางไฟที่เสถียร - Product Image 1
1206B105K500NT ตัวเก็บประจุ1 UF 50V X7R 1206 MLCC ความต้านทานต่ำตัวเก็บประจุ SMD สำหรับบายพาสแยกตัวกรองและรางไฟที่เสถียร - Product Image 2
1206B105K500NT ตัวเก็บประจุ1 UF 50V X7R 1206 MLCC ความต้านทานต่ำตัวเก็บประจุ SMD สำหรับบายพาสแยกตัวกรองและรางไฟที่เสถียร - Product Image 3
1206B105K500NT ตัวเก็บประจุ1 UF 50V X7R 1206 MLCC ความต้านทานต่ำตัวเก็บประจุ SMD สำหรับบายพาสแยกตัวกรองและรางไฟที่เสถียร - Product Image 4
1206B105K500NT ตัวเก็บประจุ1 UF 50V X7R 1206 MLCC ความต้านทานต่ำตัวเก็บประจุ SMD สำหรับบายพาสแยกตัวกรองและรางไฟที่เสถียร - Product Image 5
1206B105K500NT ตัวเก็บประจุ1 UF 50V X7R 1206 MLCC ความต้านทานต่ำตัวเก็บประจุ SMD สำหรับบายพาสแยกตัวกรองและรางไฟที่เสถียร - Product Image 6

1206B105K500NT ตัวเก็บประจุ1 UF 50V X7R 1206 MLCC ความต้านทานต่ำตัวเก็บประจุ SMD สำหรับบายพาสแยกตัวกรองและรางไฟที่เสถียร

฿0.3174-0.6347
MOQ: 20
TAIYO YUDEN ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น 1206/3216 4.7uF 50V 10% SMD X7R ไดอิเล็กทริกสูง MSASU31LAB7475KTNA01 UMK316AB7475KL-T - Product Image 1
TAIYO YUDEN ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น 1206/3216 4.7uF 50V 10% SMD X7R ไดอิเล็กทริกสูง MSASU31LAB7475KTNA01 UMK316AB7475KL-T - Product Image 2
TAIYO YUDEN ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น 1206/3216 4.7uF 50V 10% SMD X7R ไดอิเล็กทริกสูง MSASU31LAB7475KTNA01 UMK316AB7475KL-T - Product Image 3
TAIYO YUDEN ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น 1206/3216 4.7uF 50V 10% SMD X7R ไดอิเล็กทริกสูง MSASU31LAB7475KTNA01 UMK316AB7475KL-T - Product Image 4
TAIYO YUDEN ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น 1206/3216 4.7uF 50V 10% SMD X7R ไดอิเล็กทริกสูง MSASU31LAB7475KTNA01 UMK316AB7475KL-T - Product Image 5

TAIYO YUDEN ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น 1206/3216 4.7uF 50V 10% SMD X7R ไดอิเล็กทริกสูง MSASU31LAB7475KTNA01 UMK316AB7475KL-T

฿1,511.04
MOQ: 1
1206X107M6R3NT ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น1206 X5R 100uF 6 3V 20% ความทนทานต่อการแยกและการกรอง - Product Image 1
1206X107M6R3NT ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น1206 X5R 100uF 6 3V 20% ความทนทานต่อการแยกและการกรอง - Product Image 2
1206X107M6R3NT ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น1206 X5R 100uF 6 3V 20% ความทนทานต่อการแยกและการกรอง - Product Image 3
1206X107M6R3NT ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น1206 X5R 100uF 6 3V 20% ความทนทานต่อการแยกและการกรอง - Product Image 4
1206X107M6R3NT ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น1206 X5R 100uF 6 3V 20% ความทนทานต่อการแยกและการกรอง - Product Image 5
1206X107M6R3NT ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น1206 X5R 100uF 6 3V 20% ความทนทานต่อการแยกและการกรอง - Product Image 6

1206X107M6R3NT ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น1206 X5R 100uF 6 3V 20% ความทนทานต่อการแยกและการกรอง

฿0.6347-0.952
MOQ: 1
ตัวเก็บประจุดั้งเดิม GRM31C5C1H104JA01L 1206 104 100NF NPO COG 50V - Product Image 1
ตัวเก็บประจุดั้งเดิม GRM31C5C1H104JA01L 1206 104 100NF NPO COG 50V - Product Image 2
ตัวเก็บประจุดั้งเดิม GRM31C5C1H104JA01L 1206 104 100NF NPO COG 50V - Product Image 3
ตัวเก็บประจุดั้งเดิม GRM31C5C1H104JA01L 1206 104 100NF NPO COG 50V - Product Image 4
ตัวเก็บประจุดั้งเดิม GRM31C5C1H104JA01L 1206 104 100NF NPO COG 50V - Product Image 5
ตัวเก็บประจุดั้งเดิม GRM31C5C1H104JA01L 1206 104 100NF NPO COG 50V - Product Image 6

ตัวเก็บประจุดั้งเดิม GRM31C5C1H104JA01L 1206 104 100NF NPO COG 50V

฿0.3174-0.6347
MOQ: 100

การค้นหาที่เกี่ยวข้อง:

15469061336186661811673126119210681656121160611212006 13072006 4022006 1304600 rr 2006620600 ndisplay 1306