All categories
Featured selections
Trade Assurance
Buyer Central
Help Center
Get the app
Become a supplier

1206

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

วงจรรวม IC 30V ฟิวส์1206 200mA แบบดั้งเดิม nSMD020-30V กู้คืนได้เอง - Product Image 1
วงจรรวม IC 30V ฟิวส์1206 200mA แบบดั้งเดิม nSMD020-30V กู้คืนได้เอง - Product Image 2
วงจรรวม IC 30V ฟิวส์1206 200mA แบบดั้งเดิม nSMD020-30V กู้คืนได้เอง - Product Image 3
วงจรรวม IC 30V ฟิวส์1206 200mA แบบดั้งเดิม nSMD020-30V กู้คืนได้เอง - Product Image 4
วงจรรวม IC 30V ฟิวส์1206 200mA แบบดั้งเดิม nSMD020-30V กู้คืนได้เอง - Product Image 5
วงจรรวม IC 30V ฟิวส์1206 200mA แบบดั้งเดิม nSMD020-30V กู้คืนได้เอง - Product Image 6

วงจรรวม IC 30V ฟิวส์1206 200mA แบบดั้งเดิม nSMD020-30V กู้คืนได้เอง

฿0.2158-0.4126
MOQ: 1
Taiyo Yuden ตัวเก็บประจุ1206/3216 25V 10uF X7R SMD 10% แหล่งจ่ายไฟเซรามิกหลายชั้นอิเล็กทรอนิกส์ยานยนต์ - Product Image 1
Taiyo Yuden ตัวเก็บประจุ1206/3216 25V 10uF X7R SMD 10% แหล่งจ่ายไฟเซรามิกหลายชั้นอิเล็กทรอนิกส์ยานยนต์ - Product Image 2
Taiyo Yuden ตัวเก็บประจุ1206/3216 25V 10uF X7R SMD 10% แหล่งจ่ายไฟเซรามิกหลายชั้นอิเล็กทรอนิกส์ยานยนต์ - Product Image 3
Taiyo Yuden ตัวเก็บประจุ1206/3216 25V 10uF X7R SMD 10% แหล่งจ่ายไฟเซรามิกหลายชั้นอิเล็กทรอนิกส์ยานยนต์ - Product Image 4
Taiyo Yuden ตัวเก็บประจุ1206/3216 25V 10uF X7R SMD 10% แหล่งจ่ายไฟเซรามิกหลายชั้นอิเล็กทรอนิกส์ยานยนต์ - Product Image 5
Taiyo Yuden ตัวเก็บประจุ1206/3216 25V 10uF X7R SMD 10% แหล่งจ่ายไฟเซรามิกหลายชั้นอิเล็กทรอนิกส์ยานยนต์ - Product Image 6

Taiyo Yuden ตัวเก็บประจุ1206/3216 25V 10uF X7R SMD 10% แหล่งจ่ายไฟเซรามิกหลายชั้นอิเล็กทรอนิกส์ยานยนต์

฿1,370.15-1,410.45
MOQ: 1
1206X475K100NT ตัวเก็บประจุ SMD (MLCC) 1206 (ความจุ: 4.7UF) (ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้า: 10V) - Product Image 1
1206X475K100NT ตัวเก็บประจุ SMD (MLCC) 1206 (ความจุ: 4.7UF) (ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้า: 10V) - Product Image 2
1206X475K100NT ตัวเก็บประจุ SMD (MLCC) 1206 (ความจุ: 4.7UF) (ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้า: 10V) - Product Image 3
1206X475K100NT ตัวเก็บประจุ SMD (MLCC) 1206 (ความจุ: 4.7UF) (ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้า: 10V) - Product Image 4
1206X475K100NT ตัวเก็บประจุ SMD (MLCC) 1206 (ความจุ: 4.7UF) (ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้า: 10V) - Product Image 5
1206X475K100NT ตัวเก็บประจุ SMD (MLCC) 1206 (ความจุ: 4.7UF) (ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้า: 10V) - Product Image 6

1206X475K100NT ตัวเก็บประจุ SMD (MLCC) 1206 (ความจุ: 4.7UF) (ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้า: 10V)

฿0.3174-1.91
MOQ: 20
ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแรงดันสูง47F 20% 1206/3216 SMD ลักษณะการดูดซับเสียง MSASE31LBB5476MTNA01/ - Product Image 1
ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแรงดันสูง47F 20% 1206/3216 SMD ลักษณะการดูดซับเสียง MSASE31LBB5476MTNA01/ - Product Image 2
ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแรงดันสูง47F 20% 1206/3216 SMD ลักษณะการดูดซับเสียง MSASE31LBB5476MTNA01/ - Product Image 3
ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแรงดันสูง47F 20% 1206/3216 SMD ลักษณะการดูดซับเสียง MSASE31LBB5476MTNA01/ - Product Image 4
ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแรงดันสูง47F 20% 1206/3216 SMD ลักษณะการดูดซับเสียง MSASE31LBB5476MTNA01/ - Product Image 5
ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแรงดันสูง47F 20% 1206/3216 SMD ลักษณะการดูดซับเสียง MSASE31LBB5476MTNA01/ - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแรงดันสูง47F 20% 1206/3216 SMD ลักษณะการดูดซับเสียง MSASE31LBB5476MTNA01/

฿4,593.71-4,835.50
MOQ: 1
ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น HHV1206R7222K631NSLJ ขนาด 1206 ความจุ 2.2nF แรงดัน 630V ค่าความต้านทาน X7R - Product Image 1
ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น HHV1206R7222K631NSLJ ขนาด 1206 ความจุ 2.2nF แรงดัน 630V ค่าความต้านทาน X7R - Product Image 2
ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น HHV1206R7222K631NSLJ ขนาด 1206 ความจุ 2.2nF แรงดัน 630V ค่าความต้านทาน X7R - Product Image 3
ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น HHV1206R7222K631NSLJ ขนาด 1206 ความจุ 2.2nF แรงดัน 630V ค่าความต้านทาน X7R - Product Image 4
ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น HHV1206R7222K631NSLJ ขนาด 1206 ความจุ 2.2nF แรงดัน 630V ค่าความต้านทาน X7R - Product Image 5
ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น HHV1206R7222K631NSLJ ขนาด 1206 ความจุ 2.2nF แรงดัน 630V ค่าความต้านทาน X7R - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น HHV1206R7222K631NSLJ ขนาด 1206 ความจุ 2.2nF แรงดัน 630V ค่าความต้านทาน X7R

฿0.3174-1.91
MOQ: 20
ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น HHV1206R7104K201NSLJ ขนาด 1206 ความจุ 100nF แรงดัน 200V ค่าความต้านทาน X7R - Product Image 1
ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น HHV1206R7104K201NSLJ ขนาด 1206 ความจุ 100nF แรงดัน 200V ค่าความต้านทาน X7R - Product Image 2
ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น HHV1206R7104K201NSLJ ขนาด 1206 ความจุ 100nF แรงดัน 200V ค่าความต้านทาน X7R - Product Image 3
ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น HHV1206R7104K201NSLJ ขนาด 1206 ความจุ 100nF แรงดัน 200V ค่าความต้านทาน X7R - Product Image 4
ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น HHV1206R7104K201NSLJ ขนาด 1206 ความจุ 100nF แรงดัน 200V ค่าความต้านทาน X7R - Product Image 5
ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น HHV1206R7104K201NSLJ ขนาด 1206 ความจุ 100nF แรงดัน 200V ค่าความต้านทาน X7R - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น HHV1206R7104K201NSLJ ขนาด 1206 ความจุ 100nF แรงดัน 200V ค่าความต้านทาน X7R

฿0.3174-1.27
MOQ: 50
ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น50ชิ้นแบบเกาหลี Taiyo Yuden MSASH31LAC7225KTCA01 SMT 1206 X7S 2.2UF 100V 10% - Product Image 1
ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น50ชิ้นแบบเกาหลี Taiyo Yuden MSASH31LAC7225KTCA01 SMT 1206 X7S 2.2UF 100V 10% - Product Image 2
ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น50ชิ้นแบบเกาหลี Taiyo Yuden MSASH31LAC7225KTCA01 SMT 1206 X7S 2.2UF 100V 10% - Product Image 3
ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น50ชิ้นแบบเกาหลี Taiyo Yuden MSASH31LAC7225KTCA01 SMT 1206 X7S 2.2UF 100V 10% - Product Image 4
ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น50ชิ้นแบบเกาหลี Taiyo Yuden MSASH31LAC7225KTCA01 SMT 1206 X7S 2.2UF 100V 10% - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น50ชิ้นแบบเกาหลี Taiyo Yuden MSASH31LAC7225KTCA01 SMT 1206 X7S 2.2UF 100V 10%

฿0.3174
MOQ: 1
ตัวอย่างขายดี 50 ชิ้น Taiyo Yuden MSAST31LAB7106KTNA01 TMK316AB7106KL-T ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก ไดอิเล็กทริกสูง ขนาด 1206 - Product Image 1
ตัวอย่างขายดี 50 ชิ้น Taiyo Yuden MSAST31LAB7106KTNA01 TMK316AB7106KL-T ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก ไดอิเล็กทริกสูง ขนาด 1206 - Product Image 2
ตัวอย่างขายดี 50 ชิ้น Taiyo Yuden MSAST31LAB7106KTNA01 TMK316AB7106KL-T ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก ไดอิเล็กทริกสูง ขนาด 1206 - Product Image 3
ตัวอย่างขายดี 50 ชิ้น Taiyo Yuden MSAST31LAB7106KTNA01 TMK316AB7106KL-T ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก ไดอิเล็กทริกสูง ขนาด 1206 - Product Image 4
ตัวอย่างขายดี 50 ชิ้น Taiyo Yuden MSAST31LAB7106KTNA01 TMK316AB7106KL-T ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก ไดอิเล็กทริกสูง ขนาด 1206 - Product Image 5

ตัวอย่างขายดี 50 ชิ้น Taiyo Yuden MSAST31LAB7106KTNA01 TMK316AB7106KL-T ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบโมโนลิธิก ไดอิเล็กทริกสูง ขนาด 1206

฿0.3174
MOQ: 1

การค้นหาที่เกี่ยวข้อง:

15469061336186661811673126119210681656121160611212006 13072006 4022006 1304600 rr 2006620600 ndisplay 1306