All categories
Featured selections
Trade Assurance
Buyer Central
Help Center
Get the app
Become a supplier

105

(มีสินค้า 999+ รายการ)

CL05X106MR5NUN (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์ 0402 1005 10uF 4Vdc ±20% X6S 105) CL05X106MR5NUN - Product Image 1
CL05X106MR5NUN (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์ 0402 1005 10uF 4Vdc ±20% X6S 105) CL05X106MR5NUN - Product Image 2
CL05X106MR5NUN (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์ 0402 1005 10uF 4Vdc ±20% X6S 105) CL05X106MR5NUN - Product Image 3
CL05X106MR5NUN (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์ 0402 1005 10uF 4Vdc ±20% X6S 105) CL05X106MR5NUN - Product Image 4
CL05X106MR5NUN (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์ 0402 1005 10uF 4Vdc ±20% X6S 105) CL05X106MR5NUN - Product Image 5
CL05X106MR5NUN (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์ 0402 1005 10uF 4Vdc ±20% X6S 105) CL05X106MR5NUN - Product Image 6

CL05X106MR5NUN (ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์ 0402 1005 10uF 4Vdc ±20% X6S 105) CL05X106MR5NUN

฿6.85-68.45
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.7/5.0(568)
GXT31CC80J476KE13(ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์อิเล็กทรอนิกส์ CHY) 1206 47 F 6.3Vdc ±10% X6S 105 47uF GXT31CC80J476KE13 - Product Image 1
GXT31CC80J476KE13(ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์อิเล็กทรอนิกส์ CHY) 1206 47 F 6.3Vdc ±10% X6S 105 47uF GXT31CC80J476KE13 - Product Image 2
GXT31CC80J476KE13(ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์อิเล็กทรอนิกส์ CHY) 1206 47 F 6.3Vdc ±10% X6S 105 47uF GXT31CC80J476KE13 - Product Image 3
GXT31CC80J476KE13(ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์อิเล็กทรอนิกส์ CHY) 1206 47 F 6.3Vdc ±10% X6S 105 47uF GXT31CC80J476KE13 - Product Image 4
GXT31CC80J476KE13(ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์อิเล็กทรอนิกส์ CHY) 1206 47 F 6.3Vdc ±10% X6S 105 47uF GXT31CC80J476KE13 - Product Image 5
GXT31CC80J476KE13(ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์อิเล็กทรอนิกส์ CHY) 1206 47 F 6.3Vdc ±10% X6S 105 47uF GXT31CC80J476KE13 - Product Image 6

GXT31CC80J476KE13(ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์อิเล็กทรอนิกส์ CHY) 1206 47 F 6.3Vdc ±10% X6S 105 47uF GXT31CC80J476KE13

฿6.85-68.45
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.7/5.0(568)
GRT32EC81C476KE13(ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD ของ CHY Electronics) 1210 47 F 16Vdc ±10% X6S 105 AEC-Q200 47uF GRT32EC81C476KE13 - Product Image 1
GRT32EC81C476KE13(ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD ของ CHY Electronics) 1210 47 F 16Vdc ±10% X6S 105 AEC-Q200 47uF GRT32EC81C476KE13 - Product Image 2
GRT32EC81C476KE13(ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD ของ CHY Electronics) 1210 47 F 16Vdc ±10% X6S 105 AEC-Q200 47uF GRT32EC81C476KE13 - Product Image 3
GRT32EC81C476KE13(ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD ของ CHY Electronics) 1210 47 F 16Vdc ±10% X6S 105 AEC-Q200 47uF GRT32EC81C476KE13 - Product Image 4
GRT32EC81C476KE13(ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD ของ CHY Electronics) 1210 47 F 16Vdc ±10% X6S 105 AEC-Q200 47uF GRT32EC81C476KE13 - Product Image 5
GRT32EC81C476KE13(ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD ของ CHY Electronics) 1210 47 F 16Vdc ±10% X6S 105 AEC-Q200 47uF GRT32EC81C476KE13 - Product Image 6

GRT32EC81C476KE13(ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบ SMD ของ CHY Electronics) 1210 47 F 16Vdc ±10% X6S 105 AEC-Q200 47uF GRT32EC81C476KE13

฿6.85-68.45
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.7/5.0(568)
GRM31CC81A476ME44 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 1206 47 F 10Vdc ±20% X6S 105 47uF GRM31CC81A476ME44 - Product Image 1
GRM31CC81A476ME44 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 1206 47 F 10Vdc ±20% X6S 105 47uF GRM31CC81A476ME44 - Product Image 2
GRM31CC81A476ME44 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 1206 47 F 10Vdc ±20% X6S 105 47uF GRM31CC81A476ME44 - Product Image 3
GRM31CC81A476ME44 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 1206 47 F 10Vdc ±20% X6S 105 47uF GRM31CC81A476ME44 - Product Image 4
GRM31CC81A476ME44 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 1206 47 F 10Vdc ±20% X6S 105 47uF GRM31CC81A476ME44 - Product Image 5
GRM31CC81A476ME44 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 1206 47 F 10Vdc ±20% X6S 105 47uF GRM31CC81A476ME44 - Product Image 6

GRM31CC81A476ME44 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 1206 47 F 10Vdc ±20% X6S 105 47uF GRM31CC81A476ME44

฿17.12-68.45
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.7/5.0(568)
GRM31CC80G227ME11 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 1206 220 F 4Vdc ±20% X6S 105 220uF GRM31CC80G227ME11 - Product Image 1
GRM31CC80G227ME11 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 1206 220 F 4Vdc ±20% X6S 105 220uF GRM31CC80G227ME11 - Product Image 2
GRM31CC80G227ME11 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 1206 220 F 4Vdc ±20% X6S 105 220uF GRM31CC80G227ME11 - Product Image 3
GRM31CC80G227ME11 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 1206 220 F 4Vdc ±20% X6S 105 220uF GRM31CC80G227ME11 - Product Image 4
GRM31CC80G227ME11 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 1206 220 F 4Vdc ±20% X6S 105 220uF GRM31CC80G227ME11 - Product Image 5
GRM31CC80G227ME11 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 1206 220 F 4Vdc ±20% X6S 105 220uF GRM31CC80G227ME11 - Product Image 6

GRM31CC80G227ME11 (CHY Electronics ตัวเก็บประจุแบบความจุสูง MLCC) 1206 220 F 4Vdc ±20% X6S 105 220uF GRM31CC80G227ME11

฿17.12-68.45
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.7/5.0(568)
GRM188C80G476ME01 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 0603 47 F 4Vdc ±20% X6S 105 47uF GRM188C80G476ME01 - Product Image 1
GRM188C80G476ME01 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 0603 47 F 4Vdc ±20% X6S 105 47uF GRM188C80G476ME01 - Product Image 2
GRM188C80G476ME01 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 0603 47 F 4Vdc ±20% X6S 105 47uF GRM188C80G476ME01 - Product Image 3
GRM188C80G476ME01 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 0603 47 F 4Vdc ±20% X6S 105 47uF GRM188C80G476ME01 - Product Image 4
GRM188C80G476ME01 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 0603 47 F 4Vdc ±20% X6S 105 47uF GRM188C80G476ME01 - Product Image 5
GRM188C80G476ME01 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 0603 47 F 4Vdc ±20% X6S 105 47uF GRM188C80G476ME01 - Product Image 6

GRM188C80G476ME01 (ตัวเก็บประจุเซรามิกความจุสูง CHY Electronics) 0603 47 F 4Vdc ±20% X6S 105 47uF GRM188C80G476ME01

฿17.12-68.45
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.7/5.0(568)
ZRA21MC80J106ME11 (ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC ของ CHY Electronics) 10 F 6.3Vdc ±20% X6S 105 10uF ZRA21MC80J106ME11 - Product Image 1
ZRA21MC80J106ME11 (ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC ของ CHY Electronics) 10 F 6.3Vdc ±20% X6S 105 10uF ZRA21MC80J106ME11 - Product Image 2
ZRA21MC80J106ME11 (ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC ของ CHY Electronics) 10 F 6.3Vdc ±20% X6S 105 10uF ZRA21MC80J106ME11 - Product Image 3
ZRA21MC80J106ME11 (ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC ของ CHY Electronics) 10 F 6.3Vdc ±20% X6S 105 10uF ZRA21MC80J106ME11 - Product Image 4
ZRA21MC80J106ME11 (ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC ของ CHY Electronics) 10 F 6.3Vdc ±20% X6S 105 10uF ZRA21MC80J106ME11 - Product Image 5
ZRA21MC80J106ME11 (ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC ของ CHY Electronics) 10 F 6.3Vdc ±20% X6S 105 10uF ZRA21MC80J106ME11 - Product Image 6

ZRA21MC80J106ME11 (ตัวเก็บประจุแบบ SMD MLCC ของ CHY Electronics) 10 F 6.3Vdc ±20% X6S 105 10uF ZRA21MC80J106ME11

฿17.12-68.45
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.7/5.0(568)
GRM219C80J106ME39(ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 0805 10 F 6.3Vdc ±20% X6S 105 10uF GRM219C80J106ME39 - Product Image 1
GRM219C80J106ME39(ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 0805 10 F 6.3Vdc ±20% X6S 105 10uF GRM219C80J106ME39 - Product Image 2
GRM219C80J106ME39(ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 0805 10 F 6.3Vdc ±20% X6S 105 10uF GRM219C80J106ME39 - Product Image 3
GRM219C80J106ME39(ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 0805 10 F 6.3Vdc ±20% X6S 105 10uF GRM219C80J106ME39 - Product Image 4
GRM219C80J106ME39(ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 0805 10 F 6.3Vdc ±20% X6S 105 10uF GRM219C80J106ME39 - Product Image 5
GRM219C80J106ME39(ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 0805 10 F 6.3Vdc ±20% X6S 105 10uF GRM219C80J106ME39 - Product Image 6

GRM219C80J106ME39(ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น CHY Electronics) 0805 10 F 6.3Vdc ±20% X6S 105 10uF GRM219C80J106ME39

฿17.12-68.45
ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1 ชิ้น
HELLOCHIP LIMITED
1 yrsHK flagHK4.7/5.0(568)

การค้นหาที่เกี่ยวข้อง:

10215716783275178715111140118197173209160111111168171164725995