All categories
Featured selections
Trade Assurance
Buyer Central
Help Center
Get the app
Become a supplier

105

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

CL21X107MRYNNW (ชิปเฮลโล ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์ความจุสูง 0805 2012 100uF 4Vdc ±20% X6S 105) CL21X107MRYNNW - Product Image 1
CL21X107MRYNNW (ชิปเฮลโล ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์ความจุสูง 0805 2012 100uF 4Vdc ±20% X6S 105) CL21X107MRYNNW - Product Image 2
CL21X107MRYNNW (ชิปเฮลโล ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์ความจุสูง 0805 2012 100uF 4Vdc ±20% X6S 105) CL21X107MRYNNW - Product Image 3
CL21X107MRYNNW (ชิปเฮลโล ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์ความจุสูง 0805 2012 100uF 4Vdc ±20% X6S 105) CL21X107MRYNNW - Product Image 4
CL21X107MRYNNW (ชิปเฮลโล ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์ความจุสูง 0805 2012 100uF 4Vdc ±20% X6S 105) CL21X107MRYNNW - Product Image 5
CL21X107MRYNNW (ชิปเฮลโล ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์ความจุสูง 0805 2012 100uF 4Vdc ±20% X6S 105) CL21X107MRYNNW - Product Image 6

CL21X107MRYNNW (ชิปเฮลโล ชิปเซรามิกคาปาซิเตอร์ความจุสูง 0805 2012 100uF 4Vdc ±20% X6S 105) CL21X107MRYNNW

฿6.62-66.15
MOQ: 1
GRM188C80E106KE47(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 0603 10 F 2.5Vdc ± 10% X6S 105 GRM188C80E106KE47 10uF - Product Image 1
GRM188C80E106KE47(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 0603 10 F 2.5Vdc ± 10% X6S 105 GRM188C80E106KE47 10uF - Product Image 2
GRM188C80E106KE47(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 0603 10 F 2.5Vdc ± 10% X6S 105 GRM188C80E106KE47 10uF - Product Image 3
GRM188C80E106KE47(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 0603 10 F 2.5Vdc ± 10% X6S 105 GRM188C80E106KE47 10uF - Product Image 4
GRM188C80E106KE47(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 0603 10 F 2.5Vdc ± 10% X6S 105 GRM188C80E106KE47 10uF - Product Image 5
GRM188C80E106KE47(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 0603 10 F 2.5Vdc ± 10% X6S 105 GRM188C80E106KE47 10uF - Product Image 6

GRM188C80E106KE47(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 0603 10 F 2.5Vdc ± 10% X6S 105 GRM188C80E106KE47 10uF

฿16.54-66.15
MOQ: 1
CL10X106MO91IN (Hello Chip ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น0603 1608 10uF 16Vdc ± 20% X6S 105 AEC-Q200) CL10X106MO91IN - Product Image 1
CL10X106MO91IN (Hello Chip ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น0603 1608 10uF 16Vdc ± 20% X6S 105 AEC-Q200) CL10X106MO91IN - Product Image 2
CL10X106MO91IN (Hello Chip ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น0603 1608 10uF 16Vdc ± 20% X6S 105 AEC-Q200) CL10X106MO91IN - Product Image 3
CL10X106MO91IN (Hello Chip ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น0603 1608 10uF 16Vdc ± 20% X6S 105 AEC-Q200) CL10X106MO91IN - Product Image 4
CL10X106MO91IN (Hello Chip ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น0603 1608 10uF 16Vdc ± 20% X6S 105 AEC-Q200) CL10X106MO91IN - Product Image 5
CL10X106MO91IN (Hello Chip ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น0603 1608 10uF 16Vdc ± 20% X6S 105 AEC-Q200) CL10X106MO91IN - Product Image 6

CL10X106MO91IN (Hello Chip ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น0603 1608 10uF 16Vdc ± 20% X6S 105 AEC-Q200) CL10X106MO91IN

฿6.62-66.15
MOQ: 1
CL21X226MQQNNN (Hello Chip ตัวเก็บประจุ MLCC 0805 2012 22UF ± 6.3Vdc 20% X6S 105 ) CL21X226MQQNNN - Product Image 1
CL21X226MQQNNN (Hello Chip ตัวเก็บประจุ MLCC 0805 2012 22UF ± 6.3Vdc 20% X6S 105 ) CL21X226MQQNNN - Product Image 2
CL21X226MQQNNN (Hello Chip ตัวเก็บประจุ MLCC 0805 2012 22UF ± 6.3Vdc 20% X6S 105 ) CL21X226MQQNNN - Product Image 3
CL21X226MQQNNN (Hello Chip ตัวเก็บประจุ MLCC 0805 2012 22UF ± 6.3Vdc 20% X6S 105 ) CL21X226MQQNNN - Product Image 4
CL21X226MQQNNN (Hello Chip ตัวเก็บประจุ MLCC 0805 2012 22UF ± 6.3Vdc 20% X6S 105 ) CL21X226MQQNNN - Product Image 5
CL21X226MQQNNN (Hello Chip ตัวเก็บประจุ MLCC 0805 2012 22UF ± 6.3Vdc 20% X6S 105 ) CL21X226MQQNNN - Product Image 6

CL21X226MQQNNN (Hello Chip ตัวเก็บประจุ MLCC 0805 2012 22UF ± 6.3Vdc 20% X6S 105 ) CL21X226MQQNNN

฿6.62-66.15
MOQ: 1
GRM21BC80G106ME01(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูง MLCC) 0805 10 F 4Vdc ± 20% X6S 105 GRM21BC80G106ME01 10uF - Product Image 1
GRM21BC80G106ME01(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูง MLCC) 0805 10 F 4Vdc ± 20% X6S 105 GRM21BC80G106ME01 10uF - Product Image 2
GRM21BC80G106ME01(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูง MLCC) 0805 10 F 4Vdc ± 20% X6S 105 GRM21BC80G106ME01 10uF - Product Image 3
GRM21BC80G106ME01(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูง MLCC) 0805 10 F 4Vdc ± 20% X6S 105 GRM21BC80G106ME01 10uF - Product Image 4
GRM21BC80G106ME01(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูง MLCC) 0805 10 F 4Vdc ± 20% X6S 105 GRM21BC80G106ME01 10uF - Product Image 5
GRM21BC80G106ME01(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูง MLCC) 0805 10 F 4Vdc ± 20% X6S 105 GRM21BC80G106ME01 10uF - Product Image 6

GRM21BC80G106ME01(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูง MLCC) 0805 10 F 4Vdc ± 20% X6S 105 GRM21BC80G106ME01 10uF

฿16.54-66.15
MOQ: 1
GRM32EC81C476KE15(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 1210 47 F ± 16Vdc 10% X6S 105 47uF GRM32EC81C476KE15 - Product Image 1
GRM32EC81C476KE15(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 1210 47 F ± 16Vdc 10% X6S 105 47uF GRM32EC81C476KE15 - Product Image 2
GRM32EC81C476KE15(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 1210 47 F ± 16Vdc 10% X6S 105 47uF GRM32EC81C476KE15 - Product Image 3
GRM32EC81C476KE15(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 1210 47 F ± 16Vdc 10% X6S 105 47uF GRM32EC81C476KE15 - Product Image 4
GRM32EC81C476KE15(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 1210 47 F ± 16Vdc 10% X6S 105 47uF GRM32EC81C476KE15 - Product Image 5
GRM32EC81C476KE15(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 1210 47 F ± 16Vdc 10% X6S 105 47uF GRM32EC81C476KE15 - Product Image 6

GRM32EC81C476KE15(CHY ชิปอิเล็กทรอนิกส์ตัวเก็บประจุเซรามิก) 1210 47 F ± 16Vdc 10% X6S 105 47uF GRM32EC81C476KE15

฿16.54-66.15
MOQ: 1
GRM21BC81A106KE18(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูง MLCC) 0805 10 F 10Vdc ± 10% X6S 105 GRM21BC81A106KE18 10uF - Product Image 1
GRM21BC81A106KE18(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูง MLCC) 0805 10 F 10Vdc ± 10% X6S 105 GRM21BC81A106KE18 10uF - Product Image 2
GRM21BC81A106KE18(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูง MLCC) 0805 10 F 10Vdc ± 10% X6S 105 GRM21BC81A106KE18 10uF - Product Image 3
GRM21BC81A106KE18(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูง MLCC) 0805 10 F 10Vdc ± 10% X6S 105 GRM21BC81A106KE18 10uF - Product Image 4
GRM21BC81A106KE18(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูง MLCC) 0805 10 F 10Vdc ± 10% X6S 105 GRM21BC81A106KE18 10uF - Product Image 5
GRM21BC81A106KE18(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูง MLCC) 0805 10 F 10Vdc ± 10% X6S 105 GRM21BC81A106KE18 10uF - Product Image 6

GRM21BC81A106KE18(CHY อิเล็กทรอนิกส์ความจุสูง MLCC) 0805 10 F 10Vdc ± 10% X6S 105 GRM21BC81A106KE18 10uF

฿16.54-66.15
MOQ: 1
Genuine New HLE-105-02-G-DV-LC CONNECTOR Transistor Specialized Electronic Components Purchasing and Support Services - Product Image 1
Genuine New HLE-105-02-G-DV-LC CONNECTOR Transistor Specialized Electronic Components Purchasing and Support Services - Product Image 2
Genuine New HLE-105-02-G-DV-LC CONNECTOR Transistor Specialized Electronic Components Purchasing and Support Services - Product Image 3
Genuine New HLE-105-02-G-DV-LC CONNECTOR Transistor Specialized Electronic Components Purchasing and Support Services - Product Image 4
Genuine New HLE-105-02-G-DV-LC CONNECTOR Transistor Specialized Electronic Components Purchasing and Support Services - Product Image 5
Genuine New HLE-105-02-G-DV-LC CONNECTOR Transistor Specialized Electronic Components Purchasing and Support Services - Product Image 6

Genuine New HLE-105-02-G-DV-LC CONNECTOR Transistor Specialized Electronic Components Purchasing and Support Services

฿10.36-24.48
MOQ: 10

การค้นหาที่เกี่ยวข้อง:

10215716783275178715111140118197173209160111111168171164725995