All categories

Featured selections

Trade Assurance

Buyer Central

Help Center

Get the app

Become a supplier

Smd capacitor

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

Taiyo Yuden 0805 SMD X7R 10% 50V 2.2UF 225ตัวเก็บประจุเซรามิกไดอิเล็กทริกสูง100ชิ้นสำหรับอิเล็กทรอนิกส์ทั่วไป - Product Image 1

Taiyo Yuden 0805 SMD X7R 10% 50V 2.2UF 225ตัวเก็บประจุเซรามิกไดอิเล็กทริกสูง100ชิ้นสำหรับอิเล็กทรอนิกส์ทั่วไป - Product Image 2

Taiyo Yuden 0805 SMD X7R 10% 50V 2.2UF 225ตัวเก็บประจุเซรามิกไดอิเล็กทริกสูง100ชิ้นสำหรับอิเล็กทรอนิกส์ทั่วไป - Product Image 3

Taiyo Yuden 0805 SMD X7R 10% 50V 2.2UF 225ตัวเก็บประจุเซรามิกไดอิเล็กทริกสูง100ชิ้นสำหรับอิเล็กทรอนิกส์ทั่วไป - Product Image 4

Taiyo Yuden 0805 SMD X7R 10% 50V 2.2UF 225ตัวเก็บประจุเซรามิกไดอิเล็กทริกสูง100ชิ้นสำหรับอิเล็กทรอนิกส์ทั่วไป - Product Image 5

Taiyo Yuden 0805 SMD X7R 10% 50V 2.2UF 225ตัวเก็บประจุเซรามิกไดอิเล็กทริกสูง100ชิ้นสำหรับอิเล็กทรอนิกส์ทั่วไป - Product Image 6

Taiyo Yuden 0805 SMD X7R 10% 50V 2.2UF 225ตัวเก็บประจุเซรามิกไดอิเล็กทริกสูง100ชิ้นสำหรับอิเล็กทรอนิกส์ทั่วไป

฿0.3273

MOQ: 1

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น MT32N223J631EGE ขนาด 1210 ( ค่าความจุ: 22nF ) ( ความแม่นยำ: 5% แรงดันไฟฟ้า: 630V ) - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น MT32N223J631EGE ขนาด 1210 ( ค่าความจุ: 22nF ) ( ความแม่นยำ: 5% แรงดันไฟฟ้า: 630V ) - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น MT32N223J631EGE ขนาด 1210 ( ค่าความจุ: 22nF ) ( ความแม่นยำ: 5% แรงดันไฟฟ้า: 630V ) - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น MT32N223J631EGE ขนาด 1210 ( ค่าความจุ: 22nF ) ( ความแม่นยำ: 5% แรงดันไฟฟ้า: 630V ) - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น MT32N223J631EGE ขนาด 1210 ( ค่าความจุ: 22nF ) ( ความแม่นยำ: 5% แรงดันไฟฟ้า: 630V ) - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น MT32N223J631EGE ขนาด 1210 ( ค่าความจุ: 22nF ) ( ความแม่นยำ: 5% แรงดันไฟฟ้า: 630V ) - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น MT32N223J631EGE ขนาด 1210 ( ค่าความจุ: 22nF ) ( ความแม่นยำ: 5% แรงดันไฟฟ้า: 630V )

฿11.79-45.83

MOQ: 1

GRM32DR61A226KE18(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 1210 22 F ± 10Vdc 10% X5R 85 22uF GRM32DR61A226KE18 - Product Image 1

GRM32DR61A226KE18(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 1210 22 F ± 10Vdc 10% X5R 85 22uF GRM32DR61A226KE18 - Product Image 2

GRM32DR61A226KE18(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 1210 22 F ± 10Vdc 10% X5R 85 22uF GRM32DR61A226KE18 - Product Image 3

GRM32DR61A226KE18(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 1210 22 F ± 10Vdc 10% X5R 85 22uF GRM32DR61A226KE18 - Product Image 4

GRM32DR61A226KE18(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 1210 22 F ± 10Vdc 10% X5R 85 22uF GRM32DR61A226KE18 - Product Image 5

GRM32DR61A226KE18(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 1210 22 F ± 10Vdc 10% X5R 85 22uF GRM32DR61A226KE18 - Product Image 6

GRM32DR61A226KE18(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 1210 22 F ± 10Vdc 10% X5R 85 22uF GRM32DR61A226KE18

฿16.37-65.46

MOQ: 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้นความถี่สูงยี่ห้อไทโย ยูเด็น รุ่น MSAST168SB7105KTNA01 TMK107B7105KA-T ขนาด 0603 X7R 1UF - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้นความถี่สูงยี่ห้อไทโย ยูเด็น รุ่น MSAST168SB7105KTNA01 TMK107B7105KA-T ขนาด 0603 X7R 1UF - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้นความถี่สูงยี่ห้อไทโย ยูเด็น รุ่น MSAST168SB7105KTNA01 TMK107B7105KA-T ขนาด 0603 X7R 1UF - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้นความถี่สูงยี่ห้อไทโย ยูเด็น รุ่น MSAST168SB7105KTNA01 TMK107B7105KA-T ขนาด 0603 X7R 1UF - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้นความถี่สูงยี่ห้อไทโย ยูเด็น รุ่น MSAST168SB7105KTNA01 TMK107B7105KA-T ขนาด 0603 X7R 1UF - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้นความถี่สูงยี่ห้อไทโย ยูเด็น รุ่น MSAST168SB7105KTNA01 TMK107B7105KA-T ขนาด 0603 X7R 1UF - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้นความถี่สูงยี่ห้อไทโย ยูเด็น รุ่น MSAST168SB7105KTNA01 TMK107B7105KA-T ขนาด 0603 X7R 1UF

฿498.79

MOQ: 1

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น GRM32D7U2E473JW31L ขนาด 1210 (ค่าความจุ: 47nF) (ความแม่นยำ: 5%) แรงดันไฟฟ้า: 250V - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น GRM32D7U2E473JW31L ขนาด 1210 (ค่าความจุ: 47nF) (ความแม่นยำ: 5%) แรงดันไฟฟ้า: 250V - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น GRM32D7U2E473JW31L ขนาด 1210 (ค่าความจุ: 47nF) (ความแม่นยำ: 5%) แรงดันไฟฟ้า: 250V - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น GRM32D7U2E473JW31L ขนาด 1210 (ค่าความจุ: 47nF) (ความแม่นยำ: 5%) แรงดันไฟฟ้า: 250V - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น GRM32D7U2E473JW31L ขนาด 1210 (ค่าความจุ: 47nF) (ความแม่นยำ: 5%) แรงดันไฟฟ้า: 250V - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น GRM32D7U2E473JW31L ขนาด 1210 (ค่าความจุ: 47nF) (ความแม่นยำ: 5%) แรงดันไฟฟ้า: 250V - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น GRM32D7U2E473JW31L ขนาด 1210 (ค่าความจุ: 47nF) (ความแม่นยำ: 5%) แรงดันไฟฟ้า: 250V

฿11.79-46.15

MOQ: 1

GRM32NB31A226KE19(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 1210 22 F ± 10Vdc 10% B 85 22uF GRM32NB31A226KE19 - Product Image 1

GRM32NB31A226KE19(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 1210 22 F ± 10Vdc 10% B 85 22uF GRM32NB31A226KE19 - Product Image 2

GRM32NB31A226KE19(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 1210 22 F ± 10Vdc 10% B 85 22uF GRM32NB31A226KE19 - Product Image 3

GRM32NB31A226KE19(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 1210 22 F ± 10Vdc 10% B 85 22uF GRM32NB31A226KE19 - Product Image 4

GRM32NB31A226KE19(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 1210 22 F ± 10Vdc 10% B 85 22uF GRM32NB31A226KE19 - Product Image 5

GRM32NB31A226KE19(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 1210 22 F ± 10Vdc 10% B 85 22uF GRM32NB31A226KE19 - Product Image 6

GRM32NB31A226KE19(CHY ตัวเก็บประจุอิเล็กทรอนิกส์ SMD MLCC) 1210 22 F ± 10Vdc 10% B 85 22uF GRM32NB31A226KE19

฿16.37-65.46

MOQ: 1

Taiyo Yuden ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบไดอิเล็กทริกสูง SMD 1206/3216 50V X7R 4.7uF 10% UMK316AB7475KL-T - Product Image 1

Taiyo Yuden ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบไดอิเล็กทริกสูง SMD 1206/3216 50V X7R 4.7uF 10% UMK316AB7475KL-T - Product Image 2

Taiyo Yuden ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบไดอิเล็กทริกสูง SMD 1206/3216 50V X7R 4.7uF 10% UMK316AB7475KL-T - Product Image 3

Taiyo Yuden ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบไดอิเล็กทริกสูง SMD 1206/3216 50V X7R 4.7uF 10% UMK316AB7475KL-T - Product Image 4

Taiyo Yuden ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบไดอิเล็กทริกสูง SMD 1206/3216 50V X7R 4.7uF 10% UMK316AB7475KL-T - Product Image 5

Taiyo Yuden ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบไดอิเล็กทริกสูง SMD 1206/3216 50V X7R 4.7uF 10% UMK316AB7475KL-T - Product Image 6

Taiyo Yuden ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบไดอิเล็กทริกสูง SMD 1206/3216 50V X7R 4.7uF 10% UMK316AB7475KL-T

฿1,454.80-1,558.55

MOQ: 1

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น CL32Y475KCIVPJE ขนาด 1210 ( ความจุ: 4.7uF ) ( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้า: 100V ) - Product Image 1

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น CL32Y475KCIVPJE ขนาด 1210 ( ความจุ: 4.7uF ) ( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้า: 100V ) - Product Image 2

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น CL32Y475KCIVPJE ขนาด 1210 ( ความจุ: 4.7uF ) ( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้า: 100V ) - Product Image 3

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น CL32Y475KCIVPJE ขนาด 1210 ( ความจุ: 4.7uF ) ( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้า: 100V ) - Product Image 4

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น CL32Y475KCIVPJE ขนาด 1210 ( ความจุ: 4.7uF ) ( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้า: 100V ) - Product Image 5

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น CL32Y475KCIVPJE ขนาด 1210 ( ความจุ: 4.7uF ) ( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้า: 100V ) - Product Image 6

ตัวเก็บประจุแบบ SMD (MLCC) รุ่น CL32Y475KCIVPJE ขนาด 1210 ( ความจุ: 4.7uF ) ( ความแม่นยำ: 10% แรงดันไฟฟ้า: 100V )

฿12.77-49.43

MOQ: 1