All categories

Featured selections

Trade Assurance

Buyer Central

Help Center

Get the app

Become a supplier

คา ร์ ซี ท ฟิ โก้

(สินค้า 999+ ตัวพร้อมให้เลือกสรร)

ตัวเก็บประจุเซรามิก100ชิ้น, TMK212B7225KG-TR MSAST21GSB7225KTNB25 SMT 0805 X7R 4.7uF 16V ± 10% ตัวเก็บประจุ - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิก100ชิ้น, TMK212B7225KG-TR MSAST21GSB7225KTNB25 SMT 0805 X7R 4.7uF 16V ± 10% ตัวเก็บประจุ - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิก100ชิ้น, TMK212B7225KG-TR MSAST21GSB7225KTNB25 SMT 0805 X7R 4.7uF 16V ± 10% ตัวเก็บประจุ - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิก100ชิ้น, TMK212B7225KG-TR MSAST21GSB7225KTNB25 SMT 0805 X7R 4.7uF 16V ± 10% ตัวเก็บประจุ - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิก100ชิ้น, TMK212B7225KG-TR MSAST21GSB7225KTNB25 SMT 0805 X7R 4.7uF 16V ± 10% ตัวเก็บประจุ - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิก100ชิ้น, TMK212B7225KG-TR MSAST21GSB7225KTNB25 SMT 0805 X7R 4.7uF 16V ± 10% ตัวเก็บประจุ - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิก100ชิ้น, TMK212B7225KG-TR MSAST21GSB7225KTNB25 SMT 0805 X7R 4.7uF 16V ± 10% ตัวเก็บประจุ

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

ตัวเก็บประจุสำหรับอุปกรณ์อบแห้งอุตสาหกรรมบิไค อุปกรณ์ไมโครเวฟเชิงพาณิชย์ 0.92UF 2500V 3+3 ชิ้นส่วนไมกา PTFE ขนาดเส้นผ่านศูนย์กลางใหญ่ - Product Image 1

ตัวเก็บประจุสำหรับอุปกรณ์อบแห้งอุตสาหกรรมบิไค อุปกรณ์ไมโครเวฟเชิงพาณิชย์ 0.92UF 2500V 3+3 ชิ้นส่วนไมกา PTFE ขนาดเส้นผ่านศูนย์กลางใหญ่ - Product Image 2

ตัวเก็บประจุสำหรับอุปกรณ์อบแห้งอุตสาหกรรมบิไค อุปกรณ์ไมโครเวฟเชิงพาณิชย์ 0.92UF 2500V 3+3 ชิ้นส่วนไมกา PTFE ขนาดเส้นผ่านศูนย์กลางใหญ่

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 2

HGC1206R5476M250NSPJ ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบวงจรรวมดั้งเดิมตัวเก็บประจุเซรามิก47uF ± 20% 25V - Product Image 1

HGC1206R5476M250NSPJ ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบวงจรรวมดั้งเดิมตัวเก็บประจุเซรามิก47uF ± 20% 25V - Product Image 2

HGC1206R5476M250NSPJ ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบวงจรรวมดั้งเดิมตัวเก็บประจุเซรามิก47uF ± 20% 25V - Product Image 3

HGC1206R5476M250NSPJ ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบวงจรรวมดั้งเดิมตัวเก็บประจุเซรามิก47uF ± 20% 25V - Product Image 4

HGC1206R5476M250NSPJ ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบวงจรรวมดั้งเดิมตัวเก็บประจุเซรามิก47uF ± 20% 25V - Product Image 5

HGC1206R5476M250NSPJ ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบวงจรรวมดั้งเดิมตัวเก็บประจุเซรามิก47uF ± 20% 25V - Product Image 6

HGC1206R5476M250NSPJ ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้นแบบวงจรรวมดั้งเดิมตัวเก็บประจุเซรามิก47uF ± 20% 25V

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

ผู้ผลิตตัวเก็บประจุเซรามิกแบบแผ่นจากไต้หวัน คลาส III Y5V, 100NF +80-20% (104Z) 16V ~ 1000V - Product Image 1

ผู้ผลิตตัวเก็บประจุเซรามิกแบบแผ่นจากไต้หวัน คลาส III Y5V, 100NF +80-20% (104Z) 16V ~ 1000V - Product Image 2

ผู้ผลิตตัวเก็บประจุเซรามิกแบบแผ่นจากไต้หวัน คลาส III Y5V, 100NF +80-20% (104Z) 16V ~ 1000V - Product Image 3

ผู้ผลิตตัวเก็บประจุเซรามิกแบบแผ่นจากไต้หวัน คลาส III Y5V, 100NF +80-20% (104Z) 16V ~ 1000V - Product Image 4

ผู้ผลิตตัวเก็บประจุเซรามิกแบบแผ่นจากไต้หวัน คลาส III Y5V, 100NF +80-20% (104Z) 16V ~ 1000V - Product Image 5

ผู้ผลิตตัวเก็บประจุเซรามิกแบบแผ่นจากไต้หวัน คลาส III Y5V, 100NF +80-20% (104Z) 16V ~ 1000V - Product Image 6

ผู้ผลิตตัวเก็บประจุเซรามิกแบบแผ่นจากไต้หวัน คลาส III Y5V, 100NF +80-20% (104Z) 16V ~ 1000V

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

Taiyo Yuden 0805 SMD X7R 10% 50V 2.2UF 225ตัวเก็บประจุเซรามิกไดอิเล็กทริกสูง100ชิ้นสำหรับอิเล็กทรอนิกส์ทั่วไป - Product Image 1

Taiyo Yuden 0805 SMD X7R 10% 50V 2.2UF 225ตัวเก็บประจุเซรามิกไดอิเล็กทริกสูง100ชิ้นสำหรับอิเล็กทรอนิกส์ทั่วไป - Product Image 2

Taiyo Yuden 0805 SMD X7R 10% 50V 2.2UF 225ตัวเก็บประจุเซรามิกไดอิเล็กทริกสูง100ชิ้นสำหรับอิเล็กทรอนิกส์ทั่วไป - Product Image 3

Taiyo Yuden 0805 SMD X7R 10% 50V 2.2UF 225ตัวเก็บประจุเซรามิกไดอิเล็กทริกสูง100ชิ้นสำหรับอิเล็กทรอนิกส์ทั่วไป - Product Image 4

Taiyo Yuden 0805 SMD X7R 10% 50V 2.2UF 225ตัวเก็บประจุเซรามิกไดอิเล็กทริกสูง100ชิ้นสำหรับอิเล็กทรอนิกส์ทั่วไป - Product Image 5

Taiyo Yuden 0805 SMD X7R 10% 50V 2.2UF 225ตัวเก็บประจุเซรามิกไดอิเล็กทริกสูง100ชิ้นสำหรับอิเล็กทรอนิกส์ทั่วไป - Product Image 6

Taiyo Yuden 0805 SMD X7R 10% 50V 2.2UF 225ตัวเก็บประจุเซรามิกไดอิเล็กทริกสูง100ชิ้นสำหรับอิเล็กทรอนิกส์ทั่วไป

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

ตัวเก็บประจุ0.1uF 400V MKP10 MKP10ฟิล์มโพรพิลีน0.1uF 400V MKP ผ่านรูตัวเก็บประจุเสียงความแม่นยำสูง0.1uF 400V MKP10 - Product Image 1

ตัวเก็บประจุ0.1uF 400V MKP10 MKP10ฟิล์มโพรพิลีน0.1uF 400V MKP ผ่านรูตัวเก็บประจุเสียงความแม่นยำสูง0.1uF 400V MKP10 - Product Image 2

ตัวเก็บประจุ0.1uF 400V MKP10 MKP10ฟิล์มโพรพิลีน0.1uF 400V MKP ผ่านรูตัวเก็บประจุเสียงความแม่นยำสูง0.1uF 400V MKP10 - Product Image 3

ตัวเก็บประจุ0.1uF 400V MKP10 MKP10ฟิล์มโพรพิลีน0.1uF 400V MKP ผ่านรูตัวเก็บประจุเสียงความแม่นยำสูง0.1uF 400V MKP10 - Product Image 4

ตัวเก็บประจุ0.1uF 400V MKP10 MKP10ฟิล์มโพรพิลีน0.1uF 400V MKP ผ่านรูตัวเก็บประจุเสียงความแม่นยำสูง0.1uF 400V MKP10 - Product Image 5

ตัวเก็บประจุ0.1uF 400V MKP10 MKP10ฟิล์มโพรพิลีน0.1uF 400V MKP ผ่านรูตัวเก็บประจุเสียงความแม่นยำสูง0.1uF 400V MKP10 - Product Image 6

ตัวเก็บประจุ0.1uF 400V MKP10 MKP10ฟิล์มโพรพิลีน0.1uF 400V MKP ผ่านรูตัวเก็บประจุเสียงความแม่นยำสูง0.1uF 400V MKP10

฿14.28-2,697.15

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1

ตัวเก็บประจุเซรามิก10 UF ± 10% 16V X5R 0805 CL21A106KOQNNNE - Product Image 1

ตัวเก็บประจุเซรามิก10 UF ± 10% 16V X5R 0805 CL21A106KOQNNNE - Product Image 2

ตัวเก็บประจุเซรามิก10 UF ± 10% 16V X5R 0805 CL21A106KOQNNNE - Product Image 3

ตัวเก็บประจุเซรามิก10 UF ± 10% 16V X5R 0805 CL21A106KOQNNNE - Product Image 4

ตัวเก็บประจุเซรามิก10 UF ± 10% 16V X5R 0805 CL21A106KOQNNNE - Product Image 5

ตัวเก็บประจุเซรามิก10 UF ± 10% 16V X5R 0805 CL21A106KOQNNNE - Product Image 6

ตัวเก็บประจุเซรามิก10 UF ± 10% 16V X5R 0805 CL21A106KOQNNNE

฿0.0318-0.3174

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 10

T491A105M025AH โพลิเมอร์แทนทาลัมตัวเก็บประจุใหม่และดั้งเดิม - Product Image 1

T491A105M025AH โพลิเมอร์แทนทาลัมตัวเก็บประจุใหม่และดั้งเดิม

ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ: 10