ไดโอดและวงจรเรียงกระแสชนิดชอทกี้ VSSAF522HM3_A/H ซีรีส์ UJ4N แพ็คเกจ DO-221AC-2
ยังไม่มีรีวิว
คุณลักษณะ
ไดโอด Schottky และวงจรเรียงกระแสชนิด
มาตรฐานใบสมัคร
มาตรฐานประเภทแพคเกจ
มาตรฐานประเภทการติดตั้ง
มาตรฐานFET คุณลักษณะ
เอกสารข้อมูลสินค้าMedia ม
หมายเลขรุ่น:VSSAF522HM3_A/H
ชื่อแบรนด์:original
ลักษณะ:VSSAF522HM3_A/H วีเอสเอสเอเอฟ522เอชเอ็ม3_เอ/เอช
สถานที่กำเนิด:original
แพคเกจ/กรณี:DO-221AC-2 ดีโอ-221เอซี-2
อุณหภูมิในการทำงาน:มาตรฐาน
Series:ยูเจ4เอ็น
D/c:มาตรฐาน
ประเภทผู้ผลิต:ผู้ผลิตดั้งเดิม
อ้างอิง:มาตรฐาน
Current-ตัวเก็บประจุ (IC) (สูงสุด):มาตรฐาน
แรงดันไฟฟ้า-Collector Emitter Breakdown (สูงสุด):มาตรฐาน
VCE ความอิ่มตัวของ (สูงสุด) @ Ib,Ic:มาตรฐาน
Current-Collector CUTOFF (MAX):มาตรฐาน
DC Current GAIN (HFE) (Min) @ IC,VCE:มาตรฐาน
Power-MAX:มาตรฐาน
ความถี่-การเปลี่ยนผ่าน:มาตรฐาน
ตัวต้านทาน-ฐาน (R1):มาตรฐาน
ตัวต้านทาน-ฐาน Emitter (R2):มาตรฐาน
FET ประเภท:มาตรฐาน
ท่อระบายน้ำ TO แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ (Vdss):มาตรฐาน
คุณสมบัติที่สำคัญ
ชนิด
ไดโอด Schottky และวงจรเรียงกระแส
ใบสมัคร
มาตรฐาน
ประเภทแพคเกจ
มาตรฐาน
ประเภทการติดตั้ง
มาตรฐาน
FET คุณลักษณะ
มาตรฐาน
Media ม
เอกสารข้อมูลสินค้า
ประเภทผู้ผลิต
ผู้ผลิตดั้งเดิม
Power-MAX
มาตรฐาน
แพคเกจ/กรณี
DO-221AC-2 ดีโอ-221เอซี-2
ลักษณะ
VSSAF522HM3_A/H วีเอสเอสเอเอฟ522เอชเอ็ม3_เอ/เอช
หมายเลขรุ่น
VSSAF522HM3_A/H
ชื่อแบรนด์
original
สถานที่กำเนิด
original
อุณหภูมิในการทำงาน
มาตรฐาน
Series
ยูเจ4เอ็น
D/c
มาตรฐาน
อ้างอิง
มาตรฐาน
Current-ตัวเก็บประจุ (IC) (สูงสุด)
มาตรฐาน
แรงดันไฟฟ้า-Collector Emitter Breakdown (สูงสุด)
มาตรฐาน
VCE ความอิ่มตัวของ (สูงสุด) @ Ib,Ic
มาตรฐาน
Current-Collector CUTOFF (MAX)
มาตรฐาน
DC Current GAIN (HFE) (Min) @ IC,VCE
มาตรฐาน
ความถี่-การเปลี่ยนผ่าน
มาตรฐาน
ตัวต้านทาน-ฐาน (R1)
มาตรฐาน
ตัวต้านทาน-ฐาน Emitter (R2)
มาตรฐาน
FET ประเภท
มาตรฐาน
ท่อระบายน้ำ TO แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ (Vdss)
มาตรฐาน
ประเภทการติดตั้ง
standard
บรรจุภัณฑ์และการนำส่ง
ขายหน่วย
รายการเดียว
ระยะเวลารอสินค้า
คำอธิบายผลิตภัณฑ์จากซัพพลายเออร์
คำเตือน/ข้อสงวนสิทธิ์
แคลิฟอร์เนียเสนอ65เตือนผู้บริโภคดูเพิ่มเติม
1 - 499 ชิ้น
฿37.16
500 - 999 ชิ้น
฿12.17
>= 1,000 ชิ้น
฿10.89