Transistors Module NXH200T120H3Q2F2SG Electronics Component Authorized Distributor
ยังไม่มีรีวิว
คุณลักษณะ
NXH200T120H3Q2F2SGหมายเลขรุ่น
ตัวยึดแชสซีประเภทการติดตั้ง
Chinaสถานที่กำเนิด
Originalชื่อแบรนด์
IGBTsแอปพลิเคชั่นที่ใช้งานได้
ModulePackage / Case
Description:80KW GEN-II Q2PACK-200A MODULE
Package:Tray
IGBT Type:Trench Field Stop
Configuration:Half Bridge
Current - Collector (Ic) (Max):330 A
Power - Max:679 W
Input:Standard
คุณสมบัติที่สำคัญ
หมายเลขรุ่น
NXH200T120H3Q2F2SG
ประเภทการติดตั้ง
ตัวยึดแชสซี
สถานที่กำเนิด
China
ชื่อแบรนด์
Original
แอปพลิเคชั่นที่ใช้งานได้
IGBTs
Package / Case
Module
Description
80KW GEN-II Q2PACK-200A MODULE
Package
Tray
IGBT Type
Trench Field Stop
Configuration
Half Bridge
Current - Collector (Ic) (Max)
330 A
Power - Max
679 W
Input
Standard
บรรจุภัณฑ์และการนำส่ง
ขายหน่วย
รายการเดียว
แพคเกจเดียวขนาด
1X1X1 ซม.
เดี่ยวน้ำหนักรวม
0.100 กก.
ระยะเวลารอสินค้า
คำอธิบายผลิตภัณฑ์จากซัพพลายเออร์
100 - 3099 ชิ้น
฿4,328.96
>= 3100 ชิ้น
฿2,164.65
รูปแบบ
เลือกเลยสเปค
NXH200T120H3Q2F2SG
การจัดส่ง
โซลูชันการจัดส่งสำหรับปริมาณที่เลือกไม่มีให้บริการในขณะนี้
ผ่อนชำระ 4 งวด 0% ด้วย
การคุ้มครองคำสั่งซื้อ Alibaba.com
การชำระเงินที่ปลอดภัย
ทุกการชำระเงินที่คุณทำบน Alibaba.com มีความปลอดภัยด้วยการเข้ารหัส SSL และโปรโตคอลการป้องกันข้อมูล PCI DSS ที่เข้มงวด
การคุ้มครองการคืนเงิน
รับเงินคืนหากคำสั่งซื้อไม่ถูกจัดส่ง สูญหาย หรือสินค้ามาถึงพร้อมกับปัญหาด้านคุณภาพ
เฉพาะคำสั่งซื้อที่สั่งและชำระเงินผ่าน Alibaba.com ได้รับความคุ้มครองฟรีจาก
