5/5(1)
คะแนนร้านค้า
≤2h
เวลาในการตอบกลับ
≥100%
อัตราการจัดส่งตรงเวลา
14%
อัตราการสั่งซื้อซ้ำ
ตลาดหลัก: อิตาลี, สหรัฐอเมริกา, เกาหลีใต้, ตุรกี/ทูร์เคีย, อินเดีย
โมดูลทรานซิสเตอร์ CAB006A12GM3 ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ มีสินค้าในสต็อก
ยังไม่มีรีวิว
฿7,887.06
100-3,099 ชิ้น
฿3,943.53
≥3,100 ชิ้น
จำนวน
คุณสมบัติที่สำคัญ
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต
CAB006A12GM3
ชื่อแบรนด์
Original
ลักษณะ
มอสเฟต 2เอ็น-แชนแนล 1200 โวลต์ 200 แอมป์
สถานที่กำเนิด
China
แพคเกจ/กรณี
โมดูล
อุณหภูมิในการทำงาน
-40°ค ~ 150°ซี (ทีเจ)
Shipping
Select shipping
- ยอดรวมสินค้า
- ฿0.00
- ค่าจัดส่งทั้งหมด
- รอการต่อรอง
ยอดรวมย่อย
฿0.00
การคุ้มครองคำสั่งซื้อ Alibaba.com
การชำระเงินที่ปลอดภัย
ทุกการชำระเงินที่คุณทำบน Alibaba.com มีความปลอดภัยด้วยการเข้ารหัส SSL และโปรโตคอลการป้องกันข้อมูล PCI DSS ที่เข้มงวด
การคุ้มครองการคืนเงิน
รับเงินคืนหากคำสั่งซื้อไม่ถูกจัดส่ง สูญหาย หรือสินค้ามาถึงพร้อมกับปัญหาด้านคุณภาพ
เฉพาะคำสั่งซื้อที่สั่งและชำระเงินผ่าน Alibaba.com ได้รับความคุ้มครองฟรีจาก
การชำระเงินและการผ่อนชำระ
ผ่อนชำระ 4 งวด 0% ด้วย
คุณสมบัติที่สำคัญ
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต
CAB006A12GM3
ชื่อแบรนด์
Original
ลักษณะ
มอสเฟต 2เอ็น-แชนแนล 1200 โวลต์ 200 แอมป์
สถานที่กำเนิด
China
แพคเกจ/กรณี
โมดูล
อุณหภูมิในการทำงาน
-40°ค ~ 150°ซี (ทีเจ)
Series
วูล์ฟแพ็ค
รหัสวันที่ผลิต
ใหม่
Power-MAX
-
FET คุณลักษณะ
-
ท่อระบายน้ำ TO แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ (Vdss)
1200 โวลต์ (1.2 กิโลโวลต์)
Current-ต่อเนื่องท่อระบายน้ำ (ID) @ 25 °C
200A (ทีเจ)
Rds ON (สูงสุด) @ Id,Vgs
6.9mOhm @ 200A, 15V
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id
3.6V @ 69mA
ประตู Charge (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
708nC @ 15V 708 นาโนคูลอมบ์ @ 15 โวลต์
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
20400pF ที่ 800V
การกำหนดค่า
2 N-Channel (Half Bridge)
ประเภทการติดตั้ง
ตัวยึดแชสซี
แพ็คเกจ
ถาด
เทคโนโลยี
ซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC)
การกำหนดค่า
2 ช่องสัญญาณ N (ฮาล์ฟบริดจ์)
บรรจุภัณฑ์และการนำส่ง
ขายหน่วย
สินค้าชิ้นเดียว
แพคเกจเดียวขนาด
1X1X1 ซม.
เดี่ยวน้ำหนักรวม
0.1 กก.
ระยะเวลารอสินค้า
คำอธิบายผลิตภัณฑ์จากซัพพลายเออร์
คำเตือน/ข้อสงวนสิทธิ์
แคลิฟอร์เนียเสนอ65เตือนผู้บริโภค