Shenzhen Xizhi Computer Technology Co., Ltd.

CN2 ปี

3.7/5(448)

คะแนนร้านค้า

≤5h

เวลาในการตอบกลับ

≥100%

อัตราการจัดส่งตรงเวลา

34%

อัตราการสั่งซื้อซ้ำ

ตลาดหลัก: เกาหลีใต้, สหรัฐอเมริกา, สหราชอาณาจักร, บราซิล, สหรัฐอาหรับเอมิเรตส์

โซลิดสเตทไดรฟ์สำหรับ Samsung MZ-V8P1T0BW การเข้ารหัส256บิต SDRAM AES M.2 SSD PCIe Gen 4.0 DDR4 SDRAM AES บิต

Name: โซลิดสเตทไดรฟ์สำหรับ Samsung Mz-v8p1t0bw การเข้ารหัส256บิต Sdram Aes M.2 Ssd Pcie Gen 4.0 Ddr4 Sdram Aes บิต - Buy Product on Alibaba.com
Brand: Shenzhen Xizhi Computer Technology Co., Ltd.
SKU: 1601255091428
Price: 55 USD
Availability: InStock

ยังไม่มีรีวิวขายแล้ว 8

฿6,364.40

5-9 ชิ้น

฿3,014.72

10-999 ชิ้น

฿1,842.33

≥1,000 ชิ้น

เลือกเลย

ความจุ

สี

ประเภทการจัดเก็บ

SSD

คุณสมบัติที่สำคัญ

ประเภทอินเตอร์เฟส

SATA

ขนาด

2.5 "

สไตล์

SSD

การใช้งาน

เดสก์ท็อป

ประเภท

ภายใน

ความเร็วในการอ่าน

601-700เมกะไบต์/วินาที

การจัดส่ง

โซลูชันการจัดส่งสำหรับปริมาณที่เลือกไม่มีให้บริการในขณะนี้

การคุ้มครองคำสั่งซื้อ Alibaba.com

การชำระเงินที่ปลอดภัย

ทุกการชำระเงินที่คุณทำบน Alibaba.com มีความปลอดภัยด้วยการเข้ารหัส SSL และโปรโตคอลการป้องกันข้อมูล PCI DSS ที่เข้มงวด

การคุ้มครองการคืนเงิน

รับเงินคืนหากคำสั่งซื้อไม่ถูกจัดส่ง สูญหาย หรือสินค้ามาถึงพร้อมกับปัญหาด้านคุณภาพ

เฉพาะคำสั่งซื้อที่สั่งและชำระเงินผ่าน Alibaba.com ได้รับความคุ้มครองฟรีจาก

การชำระเงินและการผ่อนชำระ

ผ่อนชำระ 4 งวด 0% ด้วย

คุณสมบัติที่สำคัญ

ประเภทอินเตอร์เฟส

SATA

ขนาด

2.5 "

สไตล์

SSD

การใช้งาน

เดสก์ท็อป

ประเภท

ภายใน

ความเร็วในการอ่าน

601-700เมกะไบต์/วินาที

ความเร็วในการเขียน

601-700เมกะไบต์/วินาที

ความเร็ว

15000rpm

อัตราการเชื่อมต่อ

12กิกะไบต์/วินาที

หน่วยความจำแคช

8MB

ความจุฮาร์ดดิสก์

1TB

ความจุต่อดิสก์

1000gb

จำนวนพอร์ต HD

1pc

พอร์ตขยาย

SATA

วัสดุเปลือก

โลหะ

มีแหล่งจ่ายไฟภายนอก

ไม่

สถานะสินค้า

ใหม่

สภาพสินค้า

ใหม่

แม่พิมพ์ส่วนตัว

ไม่

บรรจุภัณฑ์

ใช่

น้ำหนัก (รวมบรรจุภัณฑ์)

82g

เวลาในการเข้าถึงข้อมูลโดยเฉลี่ย

2.0ms

ไร้สาย

ใช่

ระดับเสียงรบกวน

600mb/s

แหล่งกำเนิด

Guangdong, China

หมายเลขรุ่น

MZ-V8P1T0BW

ยี่ห้อ

FOR SAMSUNG

สมัคร

คอมพิวเตอร์ของลูกค้า, เครื่องเล่นเกม

รูปร่าง

เอ็ม.2 (2280)

อินเทอร์เฟซ

PCIe Gen 4.0 x4, NVMe 2.0 ปี 2020

แฟลช NAND

สำหรับ SAMSUNG V-NAND 3-bit MLC

ตัวควบคุม

สำหรับคอนโทรลเลอร์ที่พัฒนาขึ้นเองของ SAMSUNG

แคช

สำหรับ SAMSUNG 1GB หน่วยความจำ DDR4 SDRAM แบบประหยัดพลังงาน

การอ่านตามลำดับ

สูงสุด 7,450 MB/วินาที

การเขียนแบบต่อเนื่อง

สูงสุด 6,900 เมกะไบต์/วินาที

การใช้พลังงานเฉลี่ย (ระดับระบบ)

* ค่าเฉลี่ย: 5.4 วัตต์ * สูงสุด: 7.8 วัตต์

แรงดันไฟฟ้าที่อนุญาต

แรงดันไฟฟ้าที่ยอมรับได้ 3.3 V ± 5 %

บรรจุภัณฑ์และการนำส่ง

ขายหน่วย

สินค้าชิ้นเดียว

แพคเกจเดียวขนาด

15X11X3 ซม.

เดี่ยวน้ำหนักรวม

0.25 กก.

ระยะเวลารอสินค้า

คำอธิบายผลิตภัณฑ์จากซัพพลายเออร์

รายงานกิจกรรมที่น่าสงสัย

฿6,364.40

5-9 ชิ้น

฿3,014.72

10-999 ชิ้น

฿1,842.33

≥1,000 ชิ้น

เลือกเลย