find similar
HELLOCHIP LIMITED logo
HELLOCHIP LIMITED
HK1 ปี
4.6/5(481)
คะแนนร้านค้า
≤7h
เวลาในการตอบกลับ
≥97%
อัตราการจัดส่งตรงเวลา
16%
อัตราการสั่งซื้อซ้ำ

ตลาดหลัก: สหรัฐอเมริกา, เกาหลีใต้, แคนาดา, อินเดีย, บราซิล

logo
ลด 5% เมื่อซื้อครบ ฿67,000 | ลด 8% เมื่อซื้อครบ ฿167,000 | ลด 10% เมื่อซื้อครบ ฿334,000
arrow-logo

STP20NM60 STP20NM60FD N-Channel ทรานซิสเตอร์มอสเฟทแรงดันสูงชิปอิเล็กทรอนิกส์ผ่านรู STP20NM60FD ส่วนประกอบ

ยังไม่มีรีวิว
฿97.05-291.13
จำนวนสั่งซื้อขั้นต่ำ : 1 ชิ้น
เลือกเลย

规格

STP20NM60FD เอสทีพี20เอ็นเอ็ม60เอฟดี

คุณสมบัติที่สำคัญ

หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต

STP20NM60FD

ชนิด

MOSFET

ชื่อแบรนด์

Original

ประเภทแพคเกจ

throught หลุม

ลักษณะ

ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์กำลังไฟฟ้าแรงสูงแบบเสียบขา

สถานที่กำเนิด

Other

การจัดส่ง

โซลูชันการจัดส่งสำหรับปริมาณที่เลือกไม่มีให้บริการในขณะนี้

การคุ้มครองคำสั่งซื้อ Alibaba.com

การชำระเงินที่ปลอดภัย

ทุกการชำระเงินที่คุณทำบน Alibaba.com มีความปลอดภัยด้วยการเข้ารหัส SSL และโปรโตคอลการป้องกันข้อมูล PCI DSS ที่เข้มงวด

การส่งคืนง่าย

ทำการส่งคืนสินค้าในท้องถิ่นฟรี สำหรับข้อบกพร่องในการซื้อที่เข้าเกณฑ์

การคุ้มครองการคืนเงิน

รับเงินคืนหากคำสั่งซื้อไม่ถูกจัดส่ง สูญหาย หรือสินค้ามาถึงพร้อมกับปัญหาด้านคุณภาพ

เฉพาะคำสั่งซื้อที่สั่งและชำระเงินผ่าน Alibaba.com ได้รับความคุ้มครองฟรีจาก

การชำระเงินและการผ่อนชำระ

ผ่อนชำระ 4 งวด 0% ด้วย

คุณสมบัติที่สำคัญ

หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต
STP20NM60FD
ชนิด
MOSFET
ชื่อแบรนด์
Original
ประเภทแพคเกจ
throught หลุม
ลักษณะ
ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์กำลังไฟฟ้าแรงสูงแบบเสียบขา
สถานที่กำเนิด
Original
แพคเกจ/กรณี
TO-220 ทีโอ-220
อุณหภูมิในการทำงาน
/
Series
STP20NM60FD เอสทีพี20เอ็นเอ็ม60เอฟดี
รหัสวันที่ผลิต
/
ใบสมัคร
/
ประเภทผู้ผลิต
/
อ้างอิง
/
Media ม
/
Current-ตัวเก็บประจุ (IC) (สูงสุด)
/
แรงดันพังทลายระหว่างคอลเลกเตอร์และอีมิตเตอร์ (สูงสุด)
/
VCE ความอิ่มตัวของ (สูงสุด) @ Ib,Ic
/
Current-Collector CUTOFF (MAX)
/
DC Current GAIN (HFE) (Min) @ IC,VCE
/
Power-MAX
/
ความถี่-การเปลี่ยนผ่าน
/
ตัวต้านทาน-ฐาน (R1)
/
ตัวต้านทาน-ฐาน Emitter (R2)
/
FET ประเภท
/
FET คุณลักษณะ
/
ท่อระบายน้ำ TO แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ (Vdss)
/
Current-ต่อเนื่องท่อระบายน้ำ (ID) @ 25 °C
/
Rds ON (สูงสุด) @ Id,Vgs
/
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id
/
ประตู Charge (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
/
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
/
ความถี่
/
การจัดอันดับปัจจุบัน (แอมป์)
/
รูปเสียงรบกวน
/
Power-เอาต์พุต
/
แรงดันไฟฟ้า
/
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (MAX Rds ON,Min Rds ON)
/
VGS (MAX)
/
IGBT ประเภท
/
การกำหนดค่า
/
VCE (บน) (สูงสุด) @ VGE,IC
/
ความจุอินพุต (Cies) @ VCE
/
อินพุต
/
NTC Thermistor
/
แรงดันไฟฟ้า-Breakdown (V (BR) GSS)
/
Current-ท่อระบายน้ำ (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
/
ท่อระบายน้ำปัจจุบัน (ID)-MAX
/
แรงดันไฟฟ้า-ตัด (VGS OFF) @ Id
/
ความต้านทาน-RDS (On)
/
แรงดันไฟฟ้า-เอาต์พุต
/
แรงดันไฟฟ้า-Offset (VT)
/
Current-ประตู Anode รั่ว (Igao)
/
Current-Valley (IV)
/
Current-Peak
/
ประเภททรานซิสเตอร์
ทรานซิสเตอร์ MOSFET ชนิด N-Channel
ประเภทการติดตั้ง
ผ่านรู

บรรจุภัณฑ์และการนำส่ง

ขายหน่วย
สินค้าชิ้นเดียว

ระยะเวลารอสินค้า

คำอธิบายผลิตภัณฑ์จากซัพพลายเออร์

รายงานกิจกรรมที่น่าสงสัย
คำเตือน/ข้อสงวนสิทธิ์
แคลิฟอร์เนียเสนอ65เตือนผู้บริโภค