คุณลักษณะ
SI7812DN-T1-E3หมายเลขรุ่น
มอสเฟตชนิด
Originalชื่อแบรนด์
Surface Mountประเภทแพคเกจ
MOSFET N-CH 75V 16A พีแพค1212-8ลักษณะ
Originalสถานที่กำเนิด
แพคเกจ/กรณี:พาวเวอร์แพค
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°ค ~ 150°ซี (ทีเจ)
Series:เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน
D/c:-
ใบสมัคร:ทรานซิสเตอร์ MOSFET
ประเภทผู้ผลิต:อื่นๆ
Power-MAX:3.8W (ตา), 52W (ทีซี)
FET ประเภท:เอ็น-แชนแนล
ท่อระบายน้ำ TO แรงดันไฟฟ้าแหล่งจ่ายไฟ (Vdss):75 โวลต์
Current-ต่อเนื่องท่อระบายน้ำ (ID) @ 25 °C:16A (ทีซี)
Rds ON (สูงสุด) @ Id,Vgs:37mOhm @ 7.2A, 10V
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:3V @ 250A
ประตู Charge (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:24 นาโนแอมป์ @ 10 โวลต์
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (MAX Rds ON,Min Rds ON):4.5 โวลต์, 10 โวลต์
VGS (MAX):±20โวลต์
ความจุอินพุต (Cies) @ VCE:840 ปิโควัตต์ @ 35 โวลต์
ชื่อแบรนด์:แบรนด์ต้นฉบับ
แพ็คเกจ:SMD-DIP เอสเอ็มดี-ดิป
ประเภท:ทรานซิสเตอร์
ระยะเวลาการดำเนินการ:24 ชั่วโมง
บริการ:PCBA/PCB/SMT/รายการ Bom
ขายหน่วย:รายการเดียว
